宸恺科技|中心国际正式官宣！光刻工艺迎来新突破，高端芯片国产化不远了

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中芯国际的工艺突破
我国半导体产业发展，大部分的资源都是偏向于芯片设计，在芯片制造领域，反而未能达到高端7nm ， 5nm级别。
因为芯片制造的难度远远超过了芯片设计，如果说芯片设计是“纸上谈兵”的话，那么芯片制造就是把这些难度非常大的芯片设计图给制造出来。有时候拿不到好的光刻机设备，是很难攻克高端芯片了。

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有了高端光刻机还不够，还要有技术，不然就等于让一个刚学会用键盘的人去开发程序，明摆着力不从心。
而国内最大芯片制造商中芯国际已经在一步步向前迈进，继N+1工艺完成流片和测试后，这一次中芯国际正式宣布， 14nm工艺的良率达到了业内量产水准。

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11月11日，中芯国际发布了第三季度财报，数据显示第三季度营收10.8 亿美元，环比增长 15.3% ，同比增长 32.6% 。就在此次的财报业绩会上，中芯国际表示14nm工艺自去年第三季度量产以来，良率已经达到了业内的量产水准。

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今年中芯国际的研发任务基本完成了，包括客户对中芯国际的信心也在大大增加。
此次中芯国际光刻工艺迎来新突破，良率达到业内的水准，是非常大的进步。
中芯国际在取得出色营收成绩的同时，也将14nm量产工艺提升到业内水平。据悉，中芯国际是在去年第四季度才正式量产14nm 。

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虽然14nm和高端的5nm仍然有数代制程差距，但14nm已经能满足生活中很多需求了。而且工艺突破的意义也是非常重要。
首先第一个，距离高端芯片更进一步。此前中芯国际等同于7nm的N+1工艺已经完成了流片和测试，全IP国产化。 N+1是中芯国际第二代14nm工艺，比第一代14nm工艺提升了20%的性能。
功耗降低了57% ，逻辑面积缩小了63% ， SOC面积减少了55% ，所以N+1是等同于7nm芯片的工艺水准。

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如今第一代已经能稳定量产，且达到业内水平，而第二代也完成流片和测试，可见距离高端芯片国产化不远了。
第二个，极大满足生活需求，有望实现70%芯片自给率目标。高端芯片的市场范围主要是在电子消费产品上，这部分的需求大概占据国内一成，剩余的九成靠14nm都能满足。
而且我国定下的70%芯片自给率也有望完成，到时候就不会过度依赖国外进口芯片了，因为我们可以自己造。

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在芯片制造上，中芯国际取得了重大工艺进展，可能在未来5年内，就能突破高端7nm工艺，在未来10年，进军5nm 。
国产芯片的路还很长，虽然中芯国际今年的研发目标已经完成，但距离成为世界一流水平，显然还有一段路要走。

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但这并不是问题，台积电能成为世界领先，也是用了33年世界，英特尔成为世界巨头，更是发展了52年。他们的例子告诉我们，只有经得起时间的考验，才能站到最后。中芯国际发展了20年，就已经在现有的技术范畴内，做到了业内水平。分页标题
国产芯片的路是漫长的，但也是坚定不移的，相信走到最后，前途会更加光明。
现在看高端芯片可能遥不可及，但那些世界一流的芯片制造企业，也是从低端转为高端。中芯国际是国内最大的芯片代工厂，为了扶持芯片半导体，最高给予十年免税的待遇。

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在国内半导体产业的扶持下，中芯国际的工艺技术，进步还能更快。外界的不稳定因素可以共同面对，内部的技术缺陷可以一起攻克。把芯片这处的技术缺口给填补上，打造坚实的技术壁垒。
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