英特尔发布670p固态盘基于144层QLC 3D NAND技术打造 2021年3月2日

2021年3月2日，英特尔正式发布全新的、基于QLC3DNAND技术打造的670p固态盘。新产品包含512GB、1TB、2TB三种容量，尺寸为2280标准，支持PCIe3.0×4接口，基于英特尔先进的144层QLC3DNAND技术打造，在整体容量和性能方面有了极大提升。

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英特尔670p固态盘单驱动容量最高达到2TB ，并针对办公和游戏进行了优化。它采用超薄的M.280毫米外壳打造，适合笔记本电脑、台式机以及诸多移动设备。

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英特尔全新的QLC3DNAND技术相比前一代，在顺序读取性能方面提升2倍，耐久性提高20% 。根据官方测试数据，其顺序读取速度达到3500MB/s ，顺序写入速度2700MB/s；随机4KB读取最高可达310KIOPS ，随机4K写入最高达到340IOPS 。其写入耐久性为每512GB185TBW ，综合表现优异。

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全新的英特尔670p固态盘采用创新性的浮动栅极架构，它拥有紧密、对称的层，结合CuA（CMOSunderArray,阵列下CMOS技术），没有单元开销。浮动栅极架构拥有良好的程序/擦除阈值电压窗口，单元之间电荷隔离更加稳定，并且能够完整保留数据。

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此外，这种动态架构改变了单元配置，以同时满足用户对于存储容量和性能的需求。同时该技术使高性价比的大容量存储成为现实，并且有助于加快大容量固态硬盘普及。
英特尔670p固态盘还扩大了动态SLC的使用范围， 2TB容量最大SLC容量达到280GB ， 1TB容量最大SLC容量为140GB ， 512GB容量最大SLC为70GB ，有效提升存取速度。

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英特尔客户端计算事业部副总裁兼PC创新部总经理JoshNewman表示：“全新英特尔670p固态盘将有助于实现更强的性能、更快的速度和响应能力，同时提供人们所期待的全天电池续航所需的低功耗。通过我们的开放实验室，这些固态盘还对功率和性能进行了优化，使其成为未来英特尔Evo设计的一个绝佳选择。 ”
总体来看，英特尔670p固态盘使用了144层英特尔QLC3DNAND技术，并且优化了控制器、固件和缓存算法。其针对低队列深度和混合读/写负载进行了调整，满足时下最常见计算需求的存储，如办公和游戏。而与上一代660p固态盘相比，全新的670p固态盘在性能、耐久性方面更加出色，功耗更低，并且在最大容量上提升巨大。
据悉，英特尔670p固态盘将于二季度通过OEM发售， 3月1日起，用户也可通过网络零售商进行购买。
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英特尔发布670p固态盘 基于144层QLC 3D NAND技术打造

英特尔发布670p固态盘基于144层QLC 3D NAND技术打造