l有极性电容包含了一个 寄 。

15、生的实际存在的二极 管 ， 在电容极性接反时 允许电流流过 。
电容等效电路电容等效电路 问题：请计算问题：请计算t=0之后电路发生了什么？之后电路发生了什么？ 1.6 半导体工艺之光刻工艺半导体工艺之光刻工艺 l光刻：用光刻蚀 。
l光刻是一种图形转移工艺 。
l光刻步骤是半导体工艺不可或缺的一步 。
平面加工工艺（光刻）的发明平面加工工艺（光刻）的发明 Si(硅)衬底上真正的集成电路 1959年 ， Fairchild公司的 Noyce将光刻技术和SiO2 巧妙的结合起来 ， 在Si衬底 上制备真正的集成电路 。
由此导致平面工艺的诞生 。
1957年 ， 美国DOF实验 室首先将光刻技术引入 到半导体技术中 。
光刻 。

16、流程示意光刻流程示意 光刻胶光刻胶(抗蚀剂 ， 光阻抗蚀剂 ， 光阻) l正胶：光刻胶在原始状态下不会被显影剂溶 解 ， 只有被曝光后才会被溶解 。
l负胶：被曝光的区域不溶解于显影剂中 ， 而未 曝光的区域会被显影剂溶解 。
光学图形曝光的图光学图形曝光的图 案转移步骤示意案转移步骤示意 (a)涂胶 (b)曝光 (c)显影 (d)刻蚀 (e)去胶 涂胶涂胶 掩模板掩模板(Mask) l利用一块带有图形的玻璃板 ， 透过这块玻璃板投射 一束光到基板表面 ， 就在基板的表面形成了图形的 阴影 ， 玻璃板上的这些图形对应了要在工艺加工中 保护的区域 。
l上述的这块玻璃板就是掩模板(Mask) 。
l掩模板上的图形通常用铬制作 ， 这些 。

17、铬层将阻挡光 线通过 。
l画版图时 ， 画的每一层图形都对应了一块掩模板 。
光刻机光刻机 l图形的转移是利用图形曝光设备完成的 ， 该图形曝光设备就 是光刻机 。
l光刻机有三个参数： 分辨率：能精确转移到基板表面抗蚀剂膜上图案的最小尺寸。
套准精度：后续掩模板与先前掩模板刻在基板上的图形相互 对准程度 。
产率：对一给定的掩模板 ， 每小时能曝光完成的数量 。
l光刻机大部分属于遮蔽式曝光 ， 又可分为： 接触式曝光：掩模板与基板直接接触 接近式曝光：掩模板与基板紧密相邻 遮蔽式曝光技术示意遮蔽式曝光技术示意 1.7 TFT LCD 制程制程 lTFTArray制程 lCF基板制程 lLCD制程 lLCM制程 TFT Array 制程制程 CF BM 制造流程制造流程 CF-RGB 制造流程制造流程 CF-ITO 制造流程制造流程 TFT LCD 结构图结构图 LCD 段制造流程段制造流程 LCM 制造流程制造流程 TheEnd 温馨提示： 本PPT课件下载后 ， 即可编辑修改 ，也可直接使用 。
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标题：TFT|TFT LCD 简介（图文详解）( 三 )