内存超频黑屏怎么解决（内存超频反而稳定） _超频

本文所涉及的内容仅仅是针对内存超频过程中的参数解释，方便诸位在进行内存超频时，能对内存参数数值调整有更加清晰的判断。
① Memory Profiles（内存参数设置）：

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设置内存时序。设定值有：
Default Profile（自动）、Custom Profile（自定义）、XMP Profile1 。XMP 全名为 Extreme Memory Profile，它是英特尔提出的一种内存超频模式，就是把内存的超频频率和参数设置以文件的方式存在内存条的 SPD 模块中。BIOS 启动 XMP 就是直接从 SPD 中读取超频设置参数设置内存频率。选择“Manual” ，可对内存频率进行超频设置。
② CAS Latency Time（tCL）：
此项控制了 C A S 延迟，它决定了在 SDRAM 在接收指令后开始读取的延迟时间（在时间周期中）。
③ RAS/ CAS Delay（tRCD）:

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此项目用于选择从 RAS (Row Address Strobe) 到 CAS (Column Address Strobe)在相同的 bank 读写数据时所延迟的时间。设定的周期越短，DRAM 运行越快。④ ROW Precharge Time（tRP）：这个项目用来控制当 SDRAM 送出 Precharge 命令后，多少时间内不得再送出命令。建议您使用缺省值以保持系统的稳定。设置值有：[2Clocks] [3 Clocks] [4 Clocks] [5 Clocks] [6 Clocks] 。

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⑤ Min Active RAS（tRAS）（SDRAM 内存预充电延迟）：
此项控制SDRAM内存时钟周期数的RAS最小值。
⑥ Read to Precharge（tRTP）：
选择预充电时间。
⑦ Row Cycle（tRC）：
TRC 表示“SDRAM 行周期时间”，它是包括行单元预充电到激活在内的整个过程所需要的最小的时钟周期数。其计算公式是：row cycle time (tRC) = minimum row activetime(tRAS) + row precharge time(tRP) 。因此，设置该参数之前，你应该明白你的 tRAS 值和 tRP 值是多少。如果 tRC 的时间过长，会因在完成整个时钟周期后激活新的地址而等待无谓的延时，而降低性能。然后一旦该值设置过小，在被激活的行单元被充分充电之前，新的周期就可以被初始化。
⑧ Write Recover Time（TWR）：

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选择 DRAM 登录最后一笔写入数据后的写入回复时间，即最后一笔写入数据之后的预充电时间。
⑨ RAS/RAS Delay（TRRD）：
TRRD 表示"行单元到行单元的延时" 。该值也表示向相同的 bank 中的同一个行单元两次发送激活指令（即：REF 指令）之间的时间间隔。tRRD 值越小越好。延迟越低，表示下一个 bank 能更快地被激活，进行读写操作。然而，由于需要一定量的数据，太短的延迟会引起连续数据膨胀。于桌面计算机来说，推荐 TRRD 值设定为 2 个时钟周期，这是最佳的设置，此时的数据膨胀可以忽视。
⑩ Write to Read Delay（tWTR）：
【内存超频黑屏怎么解决（内存超频反而稳定）】TWTR 表示“读到写延时” 。它设定向 DDR 内存模块中的同一个单元中，在最后一次有效的写操作和下一次读操作之间必须等待的时钟周期。