13、高频瓷介电容；符号：CC；电容量：1--6800p；额定电压：63--500V；主要特点：高频损耗小，稳定性好；应用：高频电路
14、低频瓷介电容；符号：CT；电容量：10p--4 。7u；额定电压：50V--100V；主要特点：体积小，价廉，损耗大，稳定性差；应用：要求不高的低频电路
15、玻璃釉电容；符号：CI；电容量：10p--0 。1u；额定电压：63--400V；主要特点：稳定性较好，损耗小，耐高温（200度）；应用：脉冲、耦合、旁路等电路
16、铝电解电容；符号：CD；电容量：0 。47--10000u；额定电压：6 。3--450V；主要特点：体积小，容量大，损耗大，漏电大；应用：电源滤波，低频耦合，去耦，旁路等
17、钽电解电容（CA）、铌电解电容（CN）；电容量：0 。1--1000u；额定电压：6 。3--125V；主要特点：损耗、漏电小于铝电解电容；应用：在要求高的电路中代替铝电解电容
18、空气介质可变电容器 ；可变电容量：100--1500p；主要特点：损耗小，效率高；可根据要求制成直线式、直线波长式、直线频率式及对数式 等；应用：电子仪器，广播电视设备等
19、薄膜介质可变电容器 ；可变电容量：15--550p；主要特点：体积小，重量轻；损耗比空气介质的大；应用：通讯，广播接收机等
20、薄膜介质微调电容器 ；符号： 可变电容量：1--29p；主要特点：损耗较大，体积小；应用：收录机，电子仪器等电路作电路补偿
21、陶瓷介质微调电容器 ；符号： 可变电容量：0 。3--22p；主要特点：损耗较小，体积较小；应用：精密调谐的高频振荡回路

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