芯片|全球首款3nm芯片亮相,技术比台积电更先进,新芯片巨头将诞生


芯片|全球首款3nm芯片亮相,技术比台积电更先进,新芯片巨头将诞生
文章图片
芯片|全球首款3nm芯片亮相,技术比台积电更先进,新芯片巨头将诞生
文章图片
芯片|全球首款3nm芯片亮相,技术比台积电更先进,新芯片巨头将诞生
全球手机芯片行业长期依赖于台积电和三星 , 二者是目前唯二拥有5nm芯片制程工艺的企业 , 两家公司在彼此竞争中相互成长 , 也将其他芯片代工企业远远甩在其后 。
台积电是目前全球最大的芯片代工企业 , 无论是苹果的A处理器 , 华为的麒麟芯片还是高通的骁龙处理器 , 都与台积电有着密切的联系 , 台积电无论是从技术、生产力还是生产规模 , 都远超三星 , 这同样给竞争对手不小的压力 , 想要将其超越十分困难 。 百密必有一疏 , 在攻克3nm制程工艺的道路上 , 三星终于找到了超越台积电的突破口 。
为了尽快攻克3nm工艺制程的技术难关 , 三星加大了对3nm工艺制成的技术投入 , 功夫不负苦心人 , 三星的努力没有白费 , 在近期举办的国际固态电路会议上 , 三星率性展示了其生产的3nm制成工艺的芯片 。 按照生产计划 , 预计明年将进行大规模的量产 。 三星的3nm工艺制成芯片是目前全球首款高精度芯片 , 这项技术目前已经领先台积电成为最早掌握这项技术的企业 。
在过去长达10数年的时间里 , 三星和台积电均采用了FinFET技术 , 这项技术已经完成了从28nm工艺到7nm工艺制成的过渡 , 在进行5nm制成工艺的发展中FinFET的对于高精度芯片生产已经到了极限 , 可以说7nm到5nm工艺之间的过渡已经非常艰难 。
为了尽快攻克难关突破技术瓶颈 , 三星率先采用了MBCFEF技术 , 来替代传统的FinFET技术 。 在三星的不断努力下 , 3nm工艺制成的芯片则率先亮相 。 与三星的创新精神相比 , 台积电更倾向于传统技术的改进 , 在研究了众多的方案之后 , 台积电决定继续对FinFET技术进行改进 。
FinFET技术是目前最成熟的芯片生产技术 , 但是到了5nm技术已经达到了极限 , 芯片漏电问题导致了设备的续航减弱 , 功耗上升 , 手机出现了严重的发热问题 , 从去年的A14和麒麟9000等芯片我们就可以看出台积电采用FinFET技术生产的5nm制成工艺芯片已经出现了严重的问题 , 在此消彼长之下 , 三星的技术革新显然是明智的选择 。
通过技术方面的更新 , 三星掌握的MBCFEF技术或将是FinFET技术未来发展的方向 , 使用新技术生产的3nm芯片较上一代的5nm芯片在性能上会有30%的提升 , 晶圆密度提升了80% , 而且功耗却降低了50% , 一旦成功应用将会手机行业的一大革命 。
台积电通过对传统的FinFET技术的更新 , 也掌握了3nm制成工艺的核心 , 相比于上一代产品 , 性能提升了11% , 晶圆密度提升了70% , 但是功耗之降低了27% 。 同样是3nm制成工艺技术的对比 , 三星比台积电的技术显然更先进 。
三星掌握的MBCFEF技术已经解决了FinFET技术生产芯片出现漏电和发烫严重的情况 , 三星生产的3nm芯片一旦大量投入生产将会对台积电造成沉重的打击 , 台积电的大客户也很容易倒戈向三星 , 三星将继承台积电成为新的芯片巨头 。
【芯片|全球首款3nm芯片亮相,技术比台积电更先进,新芯片巨头将诞生】芯片技术的革新会提高产品的性能 , 英特尔在芯片技术的上的瓶颈 , 只能沦为“牙膏王” , 其最大的客户苹果也只能自立门户推出M1芯片 , 一旦三星技术超越台积电 , 硬件厂商选择三星也很正常 。