太平洋电脑网|! 十一代酷睿黑科技爆棚了，赛博时代的数娱体验( 二 ) [PConline杂谈]在今天的早些时候

但单单只是这样，还不足以带来飞跃性的性能提升， 10nm的SuperFin技术，就是为了解决处理器的内部效能的。它大幅度改善了十一代酷睿处理器的频率表现，提升处理器的电力效率，带来了大幅提升的频率输出，更为高效的数据处理效率和能力，自然就带来了更强的性能。
而且， WillowCove架构还采用了英特尔控制流强制技术（Control-flowEnforcementTechnology（关于这个，大家可以戳我阅读它的技术文档））和英特尔全内存加密技术(TotalMemoryEncryption（大家可以戳我阅读它的技术文档）) ，在硬件增强了数据的安全性。
而通过对全电压频率范围进行优化，十一代酷睿不仅提升了响应效率，还实现了持续的峰值性能——在某个电压值， WillowCove可以使频率大幅上升，并最终实现比上一代高出近1GHz的频率升级。
性能强劲牢靠，数据保护安全可靠，再加上对一系列新技术的支持，十一代酷睿自然就有了惊艳的表现。
SuperFin技术
目前的处理器普遍使用了场效应晶体管（FET），它由一端的源极和另一端的漏极组成，夹在它们之间的，则是栅极——当施加电压时，栅极就会在源极和漏极之间建立电子通道。
为了提升十一代酷睿处理器的性能，英特尔就对晶体管的结构进行了改良，并称之为FinFET ，以描述其凸起的3D设计（凸起的部分形状像鳍片）——由于凸起的鳍片提供了更大的表面积，并能在栅极关闭时防止电子在栅极上移动，因而它降低了源极和漏极之间的电阻，从而允许更多的电流流过通道。
再加上英特尔对栅极间距的改良，因而改进的栅极工艺才实现了增加驱动电流的效果（较大的栅极间距可为需要最高性能的某些芯片功能提供更高的驱动电流）。

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摩尔定律使尺寸越来越小，因而金属堆栈的互联性能，也变得愈发地重要。在这一点上，英特尔也付出了巨大的工程设计心血来重新设计——为了确保完全释放晶体管的潜力，英特尔大幅改善了中低层电阻，并大量使用了导通孔，还在顶部增加了2层额外的高性能层，以确保处理器能稳定在峰值频率。此外，英特尔还在金属堆栈的前两个局部层中用钴代替了铜（这里保留了最靠近晶体管的导线，而相比之下，钴虽然比铜具有更高的电阻，但对势垒的要求却要低得多），再加上新的薄壁垒对中下层和中继层电阻的改进，英特尔最终成功消除了30％的电阻（较小的电阻意味着更多的电流，因而可以提高性能降低功耗），在降低整个电压曲线和泄漏电流的同时，还维持了更好的整体输出功率。

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在更高层次上， SuperFin使用的新型金属-绝缘体-金属（MIM）电容器，实现了五倍于此前的电容容量，减少了电压骤降（Vdroop）的情况，并显着提高了性能。
在十一代酷睿处理器内，英特尔在诸如处理器内核、高速总线和内存子系统等部位均使用了这种晶体管，因而通过这些行业领先的技术， 10纳米SuperFin技术顺利地将英特尔增强型FinFET晶体管与SuperMIM电容器相结合，在提升应力、缩减电阻、提高电流等方面为酷睿处理器带来了不可或缺的改进。
人工智能
通过根据用户的需求来定义软件与硬件的架构创新，英特尔对于产品定义也在不断地循环迭代——在过去的18个月内，英特尔就一直在联合众多的合作伙伴，聚焦于第11代英特尔酷睿处理器，以期为用户提供多样的创新PC体验——比如说人工智能在PC中的应用。