asml|关于国产高精尖光刻设备，清华大学再立功，ASML也没想到会这么快清华大学|芯片|华为

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“一代芯片、一代设备”是半导体行业内的共识，老美之所以能对华为等中企实施芯片禁令，其根本原因是国内市场缺乏包括EUV光刻机在内的制造设备。以至于在台积电断供之后，任正非无奈表示：华为海思虽然可以设计出全球最顶尖的麒麟芯片，可却没有企业能够制造。
虽然芯片禁令给华为各项业务带来的不小的影响，但好的一方面是，此次“卡脖子”之痛让我们彻底认识到了掌握核心自研技术的重要性，并加大了对半导体产业的扶持和投资力度。
尤其是在光刻技术的自主研发方面，虽然ASML泼来冷水，表示给中国图纸也造不出，但中科院、清北高校等科研机构依然是义无反顾的跑步入场。
虽然EUV号称拥有十万个精密零件，但其难度系数最高、最核心的技术只有三项，分别是：光源、光学镜头、双工件台系统。
在今年初，由唐传祥教授带领的清华科研团队，通过SSMB认证探索出了一种新型加速粒子加速器“稳态微聚束” ，其波长可从太赫兹覆盖到极紫外光波段，而极紫外光正是EUV设备的核心光源技术。
这意味着，被美企所垄断的光源技术正式被中国科学家打破。业内人士表示：研发出了自主光源，就等于EUV光刻机研发完成了一半。
这让此前嘲讽我们造不出EUV光刻设备的ASML大为震惊，并识相的改口称：中国或将在5年内实现攻克包括EUV在内的所有尖端技术设备。
很显然， ASML再次低估了中国科学家们的攻坚实力， 5年太久，我们只能朝夕，它没想到，国产高精尖光刻设备的自主研发会进展的如此之快，清华大学科研团队再次立了大功。
据媒体报道，在清华科研团队的技术支持下，华卓精科自主研发的双工件台系统实现了全面升级，其应用精度现阶段已达到了1.8nm的全球顶尖水平。
要知道，双工件台是ASML应用于EUV光刻设备的为数不多的独有技术，就连日本老牌光刻巨头尼康和佳能，也没能达到比肩ASML的1.8nm水平。
ASML之所以会不看好我们实现高精尖光刻设备的国产化，很大原因就是它对自己所垄断的双工件台技术相当自信。可没想到打脸会来的这么快。
值得强调的是，在光源系统和光学镜头方面，中科院的首台高能辐射光源与中科科美的0.1nm镀膜装置均已投入使用。
也就是说，现阶段EUV最复杂的三大核心技术均已完成突破，至于其他的多达10万个的精密零件，它能多的过“航母”？这对庞大的国内制造市场而言，根本不是什么大问题。
正如林毅夫教授所预言的那样：国产高精尖光刻设备的落地应用，在三年之内或许就能完成。
至于ASML为什么会一直唱衰我们自主研发光刻机，一方面或许是因为立场不同，它自己难以独立完成的技术设备，就认为我们也做不到；而更重要的原因是， ASML担心我们突破EUV设备垄断后，物美价廉的中国高精尖光刻设备会在全球范围内冲击到它的市场地位，因此泼冷水，想要我们知难而退。
然而，面对老美毫无底线的科技“霸凌”行为，国产芯片产业除了不断突破、实现国产化替代之外，没有别的路可走。而且，此次科技博弈让我们彻底明白：核心技术是买不来、换不来、求不来的。
【asml|关于国产高精尖光刻设备，清华大学再立功，ASML也没想到会这么快】国产设备的突破、“中国芯”的崛起是大势所趋，至于ASML或可能受到的市场影响，我们无暇顾及，也没有义务去格外照顾，毕竟在我们最急缺的时刻， ASML自始至终都没有向我们出口一台EUV设备。