张志勇教授表示："这项研究中展示的晶体管和集成电路只是原型 。 我们现在将尝试通过扩大半导体碳纳米管晶体管FET的规模 ， 优化结构和工艺来提高集成电路的性能和集成密度 。 事实上 ， 这种辐射硬化集成电路只有在性能和密度达到一定阈值的情况下才有实用价值 。 "
【科学|中国发明抗辐射和可修复集成电路 可用于芯片制造】《自然电子学》发表了这篇论文 。

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