新洁能: 海内功率半导体十强细分领域做到独一他就是新洁能（605111）。同样

功率半导体家族又迎来一家新上市公司，他就是新洁能（605111）。同样是细分领域海内龙头，今天就来从基本面了解下。

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无锡新洁能是海内功率半导体芯片及器件设计龙头。主营为功率半导体芯片和器件的研发、设计及销售。公司深耕半导体功率器件行业，是海内最早专门从事MOSFET、IGBT研发设计的企业之一，具备独立的芯片设计能力和自主工艺流程设计平台。
新洁能具备完善的MOSFET产品矩阵，技术实力和销售规模处于海内领先地位。公司基于全球半导体功率器件进步前辈理论技术开发领先产品，是海内率先把握超结理论技术，并量产屏蔽栅功率MOSFET及超结功MOSFET的企业之一；也是海内最早同时拥有沟槽型功率MOSFET、超结功率MOSFET、屏蔽栅功率MOSFET及IGBT四大产品平台的本土企业之一。公司目前已成长为海内8英寸进步前辈工艺平台芯片投片量最大的半导体功率器件设计公司之一、是海内独一一家完全基于8英寸芯片工艺平台开发设计MOSFET和IGBT产品的功率半导体设计类龙头企业。于2016-2019连续4年名列中国半导体功率器件十强企业。
根据IHS数据， 2016、2017、2018年，公司MOSFET占海内市场份额分别为2.88%、2.83%、3.65% ，市场份额逐步晋升，是除英飞凌（Infineon）、安森美（ONSemiconductor）、瑞萨电
子（RenesasElectronics）等9家外资品牌外，海内排名前茅的MOSFET研发设计及销售本土企业。
公司产品按照是否封装可以分为芯片和功率器件两类。公司主要负责设计方案，制造和封装委托外部企业完成。公司是海内8英寸进步前辈工艺平台芯片投片量最大的功率器件设计公司之一。目前公司初步完成进步前辈封装测试产线的建设，具有小批量封装能力。

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公司产品种类齐全，下游应用领域笼盖广阔。目前主要产品包括12V~200V沟槽型功率MOSFET、30V~300V屏蔽栅功率MOSFET、500V~900V超结功率MOSFET和600V~1350V沟槽栅场截止型IGBT ，下游应用领域笼盖消费电子、汽车电子、产业电子以及新能源汽车/充电桩、智能装备制造、物联网、光伏新能源等领域。
新技术领域，公司目前已拥有“高浪涌电流能力碳化硅二极管”“一种高耐压的碳化硅肖特基二极管”等多项相关专利，并积极推进“SiC肖特基二极管工艺技术”、“氮化镓功率HEMT工艺“等研发项目。
高管与科研团队：
核心治理和科研团队均具有多年的功率半导体研发、治理从业经验，多人曾有海内半导体领先企业的相关工作经历，出发点高、实力强，为公司成立以来的快速成长打下扎实基础。
控股股东、实际控制人朱袁正先生直接持有公司23.34%股权（同时朱袁正分别与叶鹏、王成宏等共计10名股东签订有关一致步履的协议）。朱袁正先生亦是公司技术创新领军人物，在半导体行业内拥有超过30年的研究和工作经历，是海内MOSFET等半导体功率器件领域研究及产业化的亲历者和先行者。以其为领军人物的公司研发团队，是海内最早一批专注于8英寸晶圆片工艺平台对MOSFET、IGBT等进步前辈的半导体功率器件进行技术研发和产品设计的先行者之一，在该领域具有雄厚的技术实力和丰硕的研发经验。
截至2020年1月19日，公司拥有97项专利，其中发明专利35项、实用新型59项，外观设计3项。

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客户情况：

新洁能: 海内功率半导体十强 细分领域做到独一

新洁能: 海内功率半导体十强细分领域做到独一