国产7nm核心技术终于突破，美日也没料到速度这么快国产芯片随着华为芯片事件的

国产芯片随着华为芯片事件的持续发酵，国内所有科技公司都意识到了掌握核心技术的必要性，因为如果太过于依赖国外的供应，一旦出现了什么问题，就会处处受制。尤其是在半导体领域，芯片的自主化和国产化更是重中之重，目前国内也正在朝着这个方向发展！
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其实国内拥有很多优秀的芯片设计公司，例如华为、中兴等，它们设计出来的产品丝毫不输于国外企业。就拿华为来说，海思最新发布的麒麟9000 ，不仅是全球首款5nm手机SoC ，还追上了苹果A14的脚步，各方面的表现都堪称顶尖！
这证明了国内的芯片设计实力已经迈入了高端水平，而华为就是最具代表性的国产芯片设计企业。既然如此，那么华为为什么会受到美国芯片规则的影响呢？这就不得不提到国内的技术难点——芯片制造了。
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虽然华为能设计出先进的芯片，但是却不具备量产的能力，需要与代工厂合作，才能完成芯片的制造工作。而美国正是看透了这一点，通过规则制约各大代工厂，导致它们无法再为华为代工任何产品，所以麒麟芯片才会出现短缺的问题。
对此，国内有心想要帮助华为，却也无能为力。因为芯片制造不仅是华为的薄弱点，同样也是国内的劣势所在。由于缺少各种精密设备和关键材料的支持，国内的芯片制造技术始终未能取得较大的进展，与国外先进水平相比还有一定的差距。
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为了改善这种情况，国内开始大力扶持半导体行业的发展，并且制定了远大的目标，计划投入数万亿资金！正所谓“重赏之下必有勇夫” ，在举国支持的大环境下，最近很多公司都完成了技术突破，好消息一个接一个地传来！
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核心技术终于突破首先，在芯片代工领域，国内最大的代工厂中芯国际已经掌握了量产7nm芯片的技术，要不了多久，国产7nm芯片就将正式登场。据了解，中芯国际的N+1工艺通过了流片测试，而且所有IP全为国产，只要再给它一段时间，量产7nm芯片轻而易举！
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其次，有了技术之后，还需要设备的支持，才能制造出芯片。光刻机是芯片制造过程中必备的机器，国内在这方面也做出了一些成绩。
据悉，国内的上海微电子能够生产出28nm的国产光刻机，预计将于明年正式交付使用。虽然与ASML的EUV光刻机相比，国产28nm光刻机并不算先进，但是已经可以满足大部分芯片的生产要求了，这是光刻机突破的一小步，却是国产芯片事业的一大步！
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最后，当技术和设备都准备好之后，最关键的就是材料，无论是芯片原材料还是光刻机工作所需的材料都至关重要。最近，国内的南大光电材料有限公司传来了好消息，国产7nm的核心技术终于突破！
据了解，此次南大光电宣布的消息与光刻胶有关，它已经建成了国内首条ArF光刻胶生产线，并且正式投入了生产。光刻胶是制造芯片的核心材料之一，没有它光刻机就无法正常工作，而ArF光刻胶则适用于28nm~7nm的芯片。
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也就是说，在南大光电生产线建成之后，国内7nm芯片的所有核心技术都取得了突破，只要拥有一台先进的光刻机，就可以实现量产。
对此，美日两国也没料到速度这么快，因为之前它们一直垄断着半导体材料市场，而现在却被南大光电打破了一个缺口！可以预料的是，未来国内还会涌现出更多的像南大光电这样的公司，美日的领先将会一去不复还！
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写在最后虽然目前国产7nm芯片还没有正式亮相，但是它已经在摇篮中了，很快就会成长起来。相信以后国内的芯片事业一定能获得更好的发展，最终实现崛起的伟大目标！
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