涨价|晶圆产能排挤如骨牌效应，SDRAM存储芯片意外提前涨价涨价|dram|骨牌效应|意外|晶圆

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晶圆代工产业正处于稀缺的“黄金年代”，8 寸产能吃紧涨价效应逐渐蔓延到 12 寸晶圆，在 CIS 传感器、电源管理芯片 PMIC 等产能严重吃紧下，整个产业的排挤效应已经蔓延至利基型 SDRAM 芯片，意外提前吹响利基型存储芯片的涨价号角。

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DRAM 存储芯片分为标准型 DRAM 和利基型 SDRAM 芯片，前者是应用在 PC 和服务器、手机领域，供应商为 IDM 如三星、SK 海力士、美光等国际大厂。
另一块是 SDRAM 利基型存储芯片，应用于各种消费性电子领域，供应商是 IC 设计公司如晶豪科、钰创等，而这些 IC 设计公司自己没有晶圆厂，要到代工厂投片，主要是投片在力积电等专业 DRAM 代工厂。
近期全球晶圆代工产能吃紧的状况，也从逻辑芯片排挤到利基型 SDRAM 存储芯片的产能，带动 SDRAM 芯片价格上涨。当然，价格的调涨也可以视为反应投片成本的增加。
一连串的晶圆产能排挤和涨价效应，让整个利基型 SDRAM 市场突然活跃起来，有点出乎各界意料之外。
业界原本预期明年 5G 手机对于 DRAM 容量需求倍增的带动，会有一波存储芯片涨价大行情喷出，但似乎不是眼前这一波因为晶圆产能吃紧而带动的 SDRAM 涨价潮。
两者有着根本意义上的截然不同。5G 手机的带动是从终端需求来驱动产业向上;然而，晶圆产能吃紧则是供给端的排挤效应，若从基本面来看，前者才可真正让产业脱胎换骨，享受一波需求带动的甜蜜期，而后者则是暂时性的供给干预。

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因此，这一波利基型存储 DRAM 涨价潮是否能带动真正大宗的标准型 DRAM 价格上涨，还需要进一步观察，要看后市是否能有补货潮即时跟上。
整体来看，中国手机厂明年会让 4G 手机强势退场，因此手机厂对于 5G 手机相关芯片备货的意愿会大幅增加。
不过，手机厂真正大举备货应该是落在明年第二季左右，明年主流旗舰型手机都是从 8G 芯片起跳，对整个 DRAM 产能消化量可观。
再者，眼前整个 DRAM 芯片应用的结构早已扭转，不再是以 PC 应用为中心，DRAM 芯片最大的应用产品已经是手机，估计消耗 50% 以上的 DRAM 芯片产能。
由此可知，5G 手机厂一旦启动备货，足以为全球的 DRAM 产业带来一波非常可观的盛况荣景。
然而，从基本面观察，在等待 5G 手机需求真正腾飞之前，中间还有很多因素会影响 DRAM 供需。例如，华为把荣耀品牌分拆独立后的表现，也可能牵动整个手机产业出现大幅变化，是加速 5G 手机前进，或是让 5G 在大规模普及之前，出现一些小泡沫。
总之，5G 时代的来临，对整个 DRAM 产业会是一个十年难见的超级大循环。可是，这样逻辑未必会出现在 3D NAND 产业上。
首先，明年上半年有各大 NAND Flash 厂大量转进 128 层技术的产能大举开出，产能大量出现势必会压抑价格。不过，中间可能会出现一些良率不稳定，带动短暂的产能短缺现象。

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另外，新玩家长江存储每月几十万片的产能即将加入战局，长期对于既有 3D NAND 国际大厂也是一个很大压力。
除了供给大增之外，在需求端上，手机搭载 256G 的存储容量可能已经到顶，当然也可以往 512G 的存储容量移动，那手机会变得很贵，是否卖得动是一大问号。
总结一下，原本预计 5G 对于 DRAM 需求倍增的效应会在明年出现，现在却因为晶圆产能吃紧，排挤到 SDRAM 投片产能，间接导致利基型存储芯片价格提前发动攻势。
【 涨价|晶圆产能排挤如骨牌效应，SDRAM存储芯片意外提前涨价】不过，这样的 SDRAM 产能排挤效应是否能发酵到明年 5G 手机大厂备货之时，仍要观察一下。再者，明年存储大厂的 128 层技术的产能大举开出，市场需求是否能消化得了这些新产能，更是另一个疑问。