降低功耗|如何使用 MRAM 提高边缘计算的可靠性，减少延迟并降低功耗( 二 ) 边缘|存储器|延迟|sram|可靠性

此外，MRAM 提供的持久性还能让新一代物联网节点进行机器学习，而无需在每次设备唤醒后都重新加载推理算法。本地处理包括分析传感器数据、做出决策，甚至在某些情况下重新配置节点。这种本地智能化需要持久的低功耗存储器。这些器件可以实现实时本地粗略推断，并可以使用云端进行增强分析。
MRAM 的速度有利于在边缘设备中实现机器学习，例如企业资源计划 (ERP) 系统、制造执行系统 (MES)、监督控制和数据采集 (SCADA) 系统等。在这些系统中可对数据进行分析，确定中间模式，并与相邻域共享。边缘架构需要快速处理能力和持久性存储器。
设计人员还可以将 MRAM 应用于射频识别 (RFID) 非常有用的医疗保健设备中。低功耗加上抗辐射性能让 MRAM 适用于医院环境。医院中的 RFID 标签有多种用途，包括库存管理、患者护理和安全、医疗设备识别，以及耗材的识别和监控。
高性能串行 MRAM 存储器
M30082040054X0IWAY 配备串行外设接口 (SPI)，因而无需软件设备驱动程序。SPI 是一种同步串行接口，采用单独的数据和时钟线来帮助保持主机和从机的完美同步。时钟可准确告知接收器何时对数据线上的位进行采样。这可以是时钟信号的上升沿（从低到高）或下降沿（从高到低）或在两个沿同时进行。

文章插图
M30082040054X0IWAY 支持芯片内执行 (XIP)，可以完成一系列读写指令，而不必为每条指令单独加载读或写命令。因此，XIP 模式可节省命令开销并减少随机读写访问时间。
M30082040054X0IWAY 提供基于硬件和软件的数据保护方案。硬件保护通过 WP# 引脚提供。软件保护由状态寄存器中的配置位控制。两种方案均禁止写入寄存器和存储器阵列。该器件具有一个独立于主存储器阵列的 256 字节增强存储阵列。此阵列可由用户进行编程，并且可以进行写保护以防意外写入。
该器件采用小巧的 8 焊盘 DFN (WSON) 和 8 引脚 SOIC 封装。这些封装与类似的低功耗易失性和非易失性产品兼容。它提供工业（-40°C 至 85°C）和扩展工业工作温度范围（-40°C 至 105°C）选择。
使用 MRAM
与其他存储器技术相比，MRAM 可以显著降低总能耗。但是，节能量可能会因特定应用设计的使用模式而异。与其他非易失性存储器一样，写入电流远高于读取或待机电流。因此，在功耗关键型应用中，特别是在需要频繁写入存储器的设计中，需要将写入时间降到最少。与其他非易失性存储器选择（如 EEPROM 或闪存）相比，MRAM 较短的写入时间可以缓解这种担忧，并能降低能耗。
若采用电源选通系统架构并尽可能地将存储器置于待机状态，MRAM 就可以实现额外的节能。MRAM 的上电至写入时间更快，因此能比其他非易失性存储器更频繁地进入待机状态。MRAM 在待机状态下的零漏电对于这方面也有所帮助。请注意，采用电源选通技术时，通常需要使用更大的去耦电容器来支持上电能量需求。
MRAM 评估板

文章插图
结语
在利用诸如 DRAM、SRAM、闪存和 EEPROM 之类常规存储器技术设计边缘计算设备时，需要进行各种取舍，因而会限制性能。对于边缘计算，设计人员可以考虑最近推出的 MRAM，它们提供了真正的随机访问能力，并允许在存储器中进行随机读写。
如上所述，MRAM 满足了边缘计算设计人员对存储器的需求：器件必须能存储和检索数据而不会产生较大延迟；待机时零漏电以降低功耗；能够承受 1016次的写入循环，并在 85°C 下保留数据 20 年以上。
作者：Jeff Shepard
来源：Digi-Key

文章插图
声明：本文由作者原创，文章内容系作者个人观点，电子发烧友网转载仅作为传达一种不同的观点，不代表电子发烧友网对该观点的赞同或支持，如有异议，欢迎联系电子发烧友网。
【 降低功耗|如何使用 MRAM 提高边缘计算的可靠性，减少延迟并降低功耗】更多热点文章阅读