高速GaN FET驱动器面世，大幅提升固态LiDAR分辨率据麦姆斯咨询报道

据麦姆斯咨询报道，Murata company（日本村田）旗下子公司pSemi? Corporation（曾用名Peregrine Semiconductor，以下简称pSemi）近日在INTERNATIONAL MICROWAVE SYMPOSIUM（IMS国际微波会议）上宣布推出应用于固态LiDAR（激光雷达）的GaN FET（氮化镓场效应晶体管）驱动器PE29101。PE29101具有业内最快的上升时间和更低的最小脉冲宽度。这款高速驱动器可帮助设计工程师充分利用GaN晶体管的全部性能和开关速度优势。在固态LiDAR系统中，更快的开关速度意味着更高的LiDAR成像分辨率和精度。

PE29101 GaN FET驱动器

在LiDAR系统中，脉冲激光器的开关速度和上升时间直接影响着LiDAR的测量精度。为了提高分辨率，电流需要尽可能快地切换通过激光器二极管。GaN技术凭借其极低的输入电容，及其相比MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）显著更快的开关速度，为LiDAR系统提供了更高的分辨率和更快的响应时间。

GaN FET必须由非常快的驱动器来控制，以最大化它们的快速开关潜力。更高的开关速度要求驱动器具有快速的上升时间和更低的最小输出脉冲宽度。PE29101具备这些关键的性能参数，能够帮助GaN技术提高LiDAR分辨率。

PE29101是一款控制GaN晶体管栅极的半桥FET驱动器。这款驱动器输出能够在高达40 MHz的开关应用中提供亚纳秒范围内的切换转换速度。PE29101的上升/下降时间为1 ns，100 pF load，最小输出脉冲宽度2 ns。其工作电压范围为4 V ~ 6.5 V，可支持80 V的高侧浮动电源电压。PE29101的输出拉电流（source current）为2A，输出灌电流（sink current）为4A。

PE29101提供倒装芯片封装，目前已可提供大规模量产的产品、样品和评估套件。1000颗订单量的单价为2.79美元。

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推荐会议：

2018年9月6日，麦姆斯咨询将在深圳会展中心举办

『“微言大义”研讨会：毫米波雷达技术及应用』

（同期展会：第二十届中国国际光电博览会）。

目前已邀请到亚德诺半导体（ADI）、意法半导体（ST）、清能华波、矽杰微电子、意行半导体、中国电子科技集团公司58所、生益科技、美国国家仪器等公司演讲

，拟邀请英飞凌（Infineon）、恩智浦（NXP）、德州仪器（TI）、博世（Bosch）、法雷奥（Valeo）、大陆集团（Continental）、奥托立夫（Autoliv）、德尔福（Delphi）、加特兰微电子、华域汽车、隼眼科技、森思泰克、行易道、智波科技、纳雷科技、木牛科技等公司参加。

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