摘要：【华微电子举行“新基建-芯片制造的新风口”交流会|8月12日】IGBT模块是新能源汽车动力系统的核心器件，华微电子针对新能源汽车开发的系列IGBT产品，均采用先进的TRENCH+FS结构设计和超薄片工艺技术，目前650V和1200V系列IGBT模块，最大电流800A，正在研发DSC双面散热模块，此模块同时集成了温度和电流传感，能够进一步...
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8月12日，吉林华微电子(行情600360,诊股)在北京举行了“新基建-芯片制造的新风口”华微电子交流会 。
华微电子产品在新基建的应用
作为本次交流会上最大亮点，华微电子向来宾介绍了新能源汽车上的核心器件——系列IGBT产品 。正在研发的DSC双面模块，可大幅度缩小电机控制器的体积，提高新能源汽车的续航里程 。
IGBT模块是新能源汽车动力系统的核心器件，华微电子针对新能源汽车开发的系列IGBT产品，均采用先进的TRENCH+FS结构设计和超薄片工艺技术，目前650V和1200V系列IGBT模块，最大电流800A，正在研发DSC双面散热模块，此模块同时集成了温度和电流传感，能够进一步降低新能源汽车控制器体积，降低整车损耗，提升整机效率，提高续航里程 。
在本次交流会上，华微电子还介绍了在新基建领域中，富含科技水平的关键产品具体应用 。
我国大力发展新能源汽车，与之配套的新能源汽车充电桩需求不断增加 。华微电子在充电桩领域，三相维也纳输入整流（PFC）部分可以使用FRED和超结MOSFET，在LLC谐振电路可以使用超结MOSFET，在输出输出整流部分可以提供FRD和SiC SBD的解决方案 。
服务器电源，是新基建中的大数据中心建设中不可或缺的重要支撑，数据中心服务器的电源和输出整流部分，需要大量的超结MOS和中低MOS器件 。华微电子的600~650V超结MOS导通电阻可以做到35毫欧，中低MOS电阻可以做到2毫欧，能够高效率的电力转换，数据中心建设提供有力支撑 。
5G基站，5G网络建设的基础是5G基站的大规模建设，根据工信部数据显示，2019年我国自正式启动5G商用，全国开通的5G基站12.6万个，预计2020年将建设超过60万~80万个5G基站，5G通信电压在PFC、DC/DC、同步整流、电池保护部分功率半导体器件不可或缺，华微电子可以提供超结MOSFET、中低压MOSFET和SiC产品 。
工业互联网，是把人、数据和机器连接起来，是工业革命的第三次浪潮；华微电子致力于工业变频应用的功率器件的制造与研发，为中国工业互联网的发展提供坚实的中国制造基础 。能够提供包括IGBT、IPM、PM模块和MOSFET产品的解决方案 。
华微电子迎来内循环经济发展新风口
华微电子是中国功率半导体器件行业的头部企业，华微电子产品覆盖功率半导体所有分支，作为国内门类最齐全的功率半导体器件IDM企业，未来，在5G、人工智能、工业互联网等领域，华微电子的身影都不会缺席 。
【华微电子举行“新基建-芯片制造的新风口”交流会】华微电子“新基建-芯片制造的新风口”京媒交流会的举行，预示着在国家新基建的风口下，在内循环经济战略下，华微电子将会迎来更大的发展机遇，继续助力中国半导体事业开拓创新 。
来源：(新华网)
【】网址：/a/2020/0813/kd412302.html
标题：华微电子举行“新基建-芯片制造的新风口”交流会
