【界面新闻|上海临港新片区：推进6英寸、8英寸GaAs、GaN和SiC工艺线建设】_原题是：上海临港新片区：推进6英寸、8英寸GaAs、GaN和SiC工艺线建设
上海临港新片区发布集成电路产业专项规划（2021-2025） 。 规划提出 ， 积极对接引进国内最先进工艺线放大项目 ， 推进磁存储器（MRAM）、3DNAND、半浮栅等新型存储项目落地 ， 提升新片区芯片制造产业能级 ， 夯实产业基础 。 打造国内特色工艺生产高地 ， 坚持市场需求与技术开发相结合 ， 推动BCD、IGBT、CIS、MEMs等特色工艺研发与产业化 ， 支持细分领域IDM项目建设 。 推动化合物半导体产业实现由国内引领向国际领先跨越 。 推进6英寸、8英寸GaAs、GaN和SiC工艺线建设 ， 面向5G、新能源汽车等应用场景 ， 加快化合物半导体产品验证应用 。
责任编辑：邓健
来源：(未知)
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标题：界面新闻|上海临港新片区：推进6英寸、8英寸GaAs、GaN和SiC工艺线建设
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