【磊晶|磊晶-南台科技大学知识分享平台EshareI】1、石 日石 石 日 日,指導教授：王文峰 學 生：林俊榮 學 號：49514014 班 級：奈米四甲,Outline,磊晶之目的 磊晶之製程 磊晶之設備,磊晶之目的,何謂磊晶 磊晶生長(Epitaxy,同質磊晶 異質磊晶,磊晶成長是為了提升元件性能 ， 導引出晶圓單晶無法達到的新功能,半導體能隙 晶格常數,磊晶之製程,氣相磊晶 Vapour Phase Epitaxy , VPE 液相磊晶 Liquid Phase Epitaxy , LPE 分子束磊晶 Molecular Beam Epitaxy , MBE,是在單晶襯底的生長界面上 ， 從已經飽和溶質的溶液中定向生長出 晶體薄層的方法,利用化學反應 。

2、的方式 ， 使得氣體反應物生成固態生成物 ， 並沉積在晶 片表面的一種薄膜沉積技術,在極高的真空狀況(10-10torr) ， 以一種或多種原子或分子的熱束和結晶表面反應而完成 。
分子束磊晶法是一種蒸發過程而非化學氣相沉積,磊晶生長速率,磊晶生長速率與原料氣體的種類、溫度、壓力及濃度等因素有關,氣相磊晶,桶型反應器,常壓系統(一大氣壓) Si晶圓是放置於渡 SiC的石墨感測器上 。
晶圓朝反應器底部方向 突出 ， 以增加反應氣體 流於晶圓表面的均勻度,氣相磊晶,CVD原理,氣相磊晶,反應氣體傳送到反應器磊晶生長區域內 反應產物傳送到晶片表面 反應產物被晶面表面吸收 在晶面表面發生化學反應 表面擴散、晶格崁入 由晶面表面釋出殘留氣體及副產物 將殘留氣體及副產物傳送到主氣流中 將殘留氣體及副產物傳送到反應器外,液相磊晶,分子束磊晶,磊晶之設備 氣相,MOCVD,磊晶之設備 分子束,MBE,是六十年代末在真空蒸發的基礎上 發展起來一套成長極薄單晶薄膜的新技術,Thanks for your attention 。

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