包括： ID不饱和 ， 与VDS相关； 沟长缩短后 ， VDS产生的高E时载流子速度饱和 ， 跨导下降 阈 。

16、值电压与L、W有关 ， 不再是常数 亚阈特性退化 ， 器件关不断 诱发器件发生各种击穿：栅氧击穿、漏衬雪崩、源漏穿通 影响器件寿命的热载流子效应,30,4.3 MOSFET 完全按比例缩小:小结,为了提高器件性能 ， L要继续缩小 ， 还必须要防止出现短沟道效应 原则：应使短沟道器件保持电学上的长沟道特性 ， 标志： VDS3kt/e, 弱反型区IDsub与VDS无关 ID与1/L成正比 长沟道特性最小沟长（经验公式）： L=c1rjtox(WS+WD)21/3 c1为常数（0.4） ， rj源漏结深 ， tox氧化层厚度 WS+WD源漏区耗尽层宽度之和 有利于器件继续发展的技术（可延缓短沟道效应）： 高K介质：放缓了器 。

【半导体器件物理-MOSFET3|半导体器件物理-MOSFET3】17、件对栅介质厚度缩小的需求 ， 使缺陷减少 ， E减小 FinFET器件的使用：薄体区 ， 减缓穿通 ， 改善亚阈值摆幅 ， 减小电路功耗,31,MOSFET是多子器件 ， 提高沟道中的载流子迁移率有利于MOS晶体管特性的提高 。
电子迁移率比空穴迁移率高 ， 因此NMOS性能优于PMOS 。
MOSFET是一种表面型器件 ， 提高器件性能的关键是改善表面特性和缩小表面沟道几何尺寸 。
栅、源极间有绝缘栅介质 ， 栅电流极小 ， 因此MOSFET是容性高输入阻抗器件 。
容性输入阻抗可用来储存信息 。
这在存储电路设计中是十分重要的 。
由于沟道和衬底之间构成pn结 ， 在同一衬底上形成的多个MOS晶体管之间具有自隔离的效果,4.3 MOSFET 器件特点,32,MOSFET是电压控制器件：VGS控制IDS （BJT为电流控制器件） 输入端G-S为绝缘栅 ， 输入电流很小 ， 输入阻抗很高 （BJT低输入阻抗） 沟道电流IDS为多子漂移电流 ， 所以MOSFETFET为单极器 （BJT为双极器件） 饱和区指VDS ， 但是沟道电流为饱和的区域 （ BJT饱和区指IB ， 但是IC和VCE都基本不变区域） IDS-VDS特性曲线从原点“扇形”展开 （BJT是从一条“包络线”弹出,4.3 MOSFET 器件特点,33,2021/3/18,XIDIAN UNIVERSITY,END,34 。

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标题：半导体器件物理-MOSFET3|半导体器件物理-MOSFET3( 三 )