测试指标：1. 开路电压 (Voc): 在光照下 ， 电池片没有接负载时的电压 2. 短路电流 (Isc): 在光照下 ， 电池片短路时的输出电流 3. 最大功率 (Pmax): 在光照下 ， 电池片所能输出的最 。

7、大功率 4. 最大功率下的电压 (Vopt)/电流 (Iopt)5. 填充因子 :Pmax/Voc*Isc， 体现电池的输出功率随负载的变动特性 6. 效率 : 在光照下 ， 电池片的工作效率7. 等效串联电阻：太阳能电池片内部的等效串联电阻 ， 会影响其正向伏安特性和短路电流 ， 另外串联电阻的8. 增大会使太阳能电池的填充因子和光电转换效率降低之后我们一起参观了带锯截断机床 ， 主要是把生产出来的硅锭切成几毫米的硅片 ，然后把切下来的硅片送去检测碳氧含量 ， 之后再投入到熔炉中 ，再进行冶炼 ，在这期间那个技术员问我们一个在他看来很简单的问题 ， 应该属于常识 ， 但我们在场的却没有一个人知道 ， 之后我们来到单晶硅的生 。

8、产车间 ， 几台高大的设备正在运转 ，公司负责人介绍制造单晶硅硅锭的生产工艺即直拉法：直拉法是半导体单晶生长用的最多的一种晶体生长技术 。
直拉法单晶硅工艺过程 - 引晶：通过电阻加热 ，将装在石英坩埚中的多晶硅熔化 ， 并保持略高于硅熔点的温度 ， 将籽晶浸入熔体 ， 然后以一定速度向上提拉籽晶并同时旋转引出晶体 ;
- 缩颈：生长一定长度的缩小的细长颈的晶体 ，以防止籽晶中的位错延伸到晶体中 ;
- 放肩：将晶体控制到所需直径 ;
- 等径生长：根据熔体和单晶炉情况 ，控制晶体等径生长到所需长度 ;
- 收尾：直径逐渐缩小 ， 离开熔体 ;
- 降温：降底温度 ， 取出晶体 ， 待后续加工 。
直拉法 - 几个基本问题最大生长速度晶体 。

9、生长最大速度与晶体中的纵向温度梯度、晶体的热导率、晶体密度等有关 。
提高晶体中的温度梯度 ，可以提高晶体生长速度 ;
但温度梯度太大 ， 将在晶体中产生较大的热应力 ， 会导致位错等晶体缺陷的形成 ， 甚至会使晶体产生裂纹 。
为了降低位错密度 ，晶体实际生长速度往往低于最大生长速度 。
熔体中的对流相互相反旋转的晶体 ( 顺时针 ) 和坩埚所产生的强制对流是由离心力和向心力、最终由熔体表面张力梯度所驱动的 。
所生长的晶体的直径越大 ( 坩锅越大 )， 对流就越强烈 ， 会造成熔体中温度波动和晶体局部回熔 ，从而导致晶体中的杂质分布不均匀等 。
实际生产中 ， 晶体的转动速度一般比坩锅快 1-3 倍 ， 晶体和坩锅彼此的相互反向运动 。

10、导致熔体中心区与外围区发生相对运动 ，有利于在固液界面下方形成一个相对稳定的区域 ， 有利于晶体稳定生长 。
生长界面形状 ( 固液界面 )固液界面形状对单晶均匀性、 完整性有重要影响 ，正常情况下 ， 固液界面的宏观形状应该与热场所确定的熔体等温面相吻合 。
在引晶、放肩阶段 ， 固液界面凸向熔体 ， 单晶等径生长后 ， 界面先变平后再凹向熔体 。
通过调整拉晶速度 ， 晶体转动和坩埚转动速度就可以调整固液界面形状 。
生长过程中各阶段生长条件的差异直拉法的引晶阶段的熔体高度最高 ， 裸露坩埚壁的高度最小 ， 在晶体生长过程直到收尾阶段 ，裸露坩埚壁的高度不断增大 ，这样造成生长条件不断变化 ( 熔体的对流、热传输、固液界面形状等 )，。

11、即整个晶锭从头到尾经历不同的热历史：头部受热时间最长 ， 尾部最短 ， 这样会造成晶体轴向、径向杂质分布不均匀 。
单晶硅的制造工艺转化并不容易 ， 但操作起来很简单 ， 全自动化的机械设备 ， 只需工作人员记录仪表的各项数据 ， 经过 48 小时的拉晶 ， 单晶硅锭就形成了 ，我们看到的只是在一系列自动化之后出来的产品 ， 从多晶硅到单晶硅理论上是个物理过程 ，看到生产车间的一切之后 ， 对于人只是做一些简单的操作 ，不得不承认现代科学技术的发展之快 。
见习体会通过这两次的见习 ， 虽然时间不长但让我们了解到了太阳能电池组件的生产加工流程 ，以及对相关工作人员的要求得到了一些了解 ， 为以后参加工作有所准备 。
但是通过这次见习也让我深深体会到 。

12、自己有那么多的不足 ， 尤其是见习当中相关工作人员对我们做的一些就简单基础知识的提问 ， 而我们却一无所知的反应让我感到很惭愧 。
其实这个问题也一直困惑着班里的同学 ， 我们一直在想我们所学的专业知识到底是什么 ，到底该怎样学好这门专业该从哪方面下手一直没有答案 ， 对于将来就也该有哪些准备 ， 比如 ， 需不需要考某些专业技能证书 ， 该培养哪些方面的素养和技能对将来就业有帮助 。

来源：(未知)

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标题：电厂|光伏电厂实习报告总结( 二 )