7、3.等离子化学气相沉积 PECVD 4.微波等离子增强化学气相沉积 MWPECVD 5.金属有机化学气相沉积 MOCVD 6.热丝化学气相沉积 HW-CVD 7.射频等离子体增强化学气相沉积 RF-PCVD CVD系统 化学气相沉积法 原理：CVD方法是一种气相生长方法 ， 它通过将金属的氢 化物、卤化物或者金属有机物蒸发成气相 ， 或用适当的气 体作为载体 ， 在一定衬底上沉积 ， 形成所需要的固体薄膜 材料 。
1.热分解反应沉积过程：P63 2.化学反应沉积：P64 反应顺利进行须满足条件： 1.具有足够高蒸气压； 2.反应生成物中 ， 除了所需要的沉积物为固态外 ， 其它都为 气态； 3.沉积物本身的蒸气压足够 。

8、低 ， 这样在整个沉积过程中 ， 能 稳定保持在加热的衬底上； 化学气相沉积法 影响膜质量因素：P66 1.沉积温度； 2.反应气体的比例； 3.衬底对沉积膜层的影响； 4.沉积室内的压强； 优点： 1.纯度高 ， 致密性好 ， 结晶定向好 ， 广泛用于高纯和单晶材 料的制备； 2.能在较低温度下制备难熔物质； 3.掺杂过程容易控制； 4.适应性广； 缺点： 1.沉积速率低 ， 一般每小时几微米到几百微米； 2.采用的气体 ， 如硅烷等反应气体具有一定毒性； 3.设备复杂； 4.真空系统要求高； 应用举例 微波等离子化学气相沉积 MWPECVD：是一种不需电极及 发热体的等离子沉积系统 ， 由微波当做主能量供应导入反 应室 ，。

9、其微波能量激发反应室的气体 ， 使气体分子解离为 原子 ， 再形成带电的离子 ， 这种含有离子、电子、自由基 等的状态称为等离子 。
微波等离子体的特点是能量大 ， 活 性强 。
激发的亚稳态原子多 ， 化学反应容易进行 ， 是一种 很有发展前途、用途广泛的新工艺； 磁控溅射镀膜法 磁控溅射是一种溅射镀膜法 ， 它对阴极溅射中电子使基片温度上升过 快以及溅射速率低的缺点加以改良 ， 工作原理是在直流溅射的技术之 上 ， 增加了磁场约束 ， 利用磁场产生的洛仑兹力束缚阴极靶表面电子 的运动轨迹 ， 导致轰击靶材的高能离子的数量增多 ， 而轰击基片的高 能电子的减少 ， 具有高速和低温的特点； 磁控溅射法是在真空度为10-310-4Pa(10-510-6。

10、Torr)左右时充入适量的氩 气 ， 在阴极（靶）和阳极（真空室壁）之间施加几百伏直流电压 ， 真 空室内的氩气被电离 ， 产生磁控型异常辉光放电； 在被溅射的靶极（阳极）与阴极之间加一个正交磁场 ， 电场和磁场方 向相互垂直； 在正交电磁场的作用下 ， 电子以摆线的方式沿着靶表面前进 ， 增加了 同工作气体氩分子的碰撞几率 ， 提高了电子的电离效率 ， 使磁控溅射 速率数量级地提高； 氩离子被磁控阴极延长运动距离和加速 ， 并轰击阴极（靶）表面 ， 将 靶材上的原子溅射出来沉积在工件表面形成薄膜（物理气相沉积）； 电子经过多次碰撞后 ， 丧失了能量成为 “最终电子”进入弱电场区 ，最后到达阳极时已经是低能电子 ， 不再会使基片过热； 工作 。

11、气压低减少了对溅射出来的原子或者分子的碰撞 ， 提高了沉积速 率； 磁控溅射镀膜法 分子束外延法 分子束外延法 分子束外延生长技术通称MBE（Molecular Beam Epitaxy） 是由AY,Cho和John Arthur创始命名的； “外延”就是在一定的单晶体材料的衬底上 ， 沿着衬底某 个指数晶面向外延伸生长一层晶格结构完整的单晶薄膜； 它是在超高真空下 ， 把构成晶体的各个组分和预搀杂的原 子（或分子）以一定的热运动速度按一定比例从束源炉中 喷射到基片上 ， 进行晶体外延生长单晶膜 ， 它是真空热蒸 镀方法的进一步发展； 主要用于生长III-V ， II-VI族的化合物半导体材料； 分子束外延法 原理： 。

12、 超高真空系统 ， 10-8 Pa； 分子束源、样品架和样品传递系统；2到3个分子束蒸发源 ，制备薄膜所需要的物质和掺杂剂等放入蒸发源的坩埚内 ，加热使物质熔化(升华) ， 产生相应的分子束 ， 为了控制外延 膜生长 ， 每个蒸发源和衬底之间都单独装有挡板(快门) ， 可 瞬时打开与关闭 ， 从而控制蒸发速率以获得成分均匀的合 金膜；还可以周期性地改变膜的成分以制备超晶格材料(如 GaAs/ GaAlAs)等； 四极质谱仪：控制分子束的种类和强度； 单晶薄膜表面的监测系统：观察外延膜表面成分和晶格结 构 ， 主要有俄歇电子能谱仪 ， 反射高能电子衍射仪等； 分子束外延法 优点： 生长温度低； 生长条件可精确控制； 膜的组分和 。

13、掺杂浓度可控； 精度高； 有效利用平面技术； 缺点： 设备复杂； 价格昂贵； 使用成本高； 脉冲激光沉积法 物理气相输运法 物理气相传输法是制备 SiC单晶的主要方法； 多晶SiC升华 ， 石墨坩埚 20003000K ，20hPa(hPa= 1百帕=1毫巴=3/4毫米汞 柱)； 冷却籽晶； 真空技术真空技术 晶体生长系统对真空的要求； 真空的基本特点 真空度的划分； 真空的获得； “真空”这一术语译自拉丁文Vacuo ， 其意义是虚无； 真空应理解为气体较稀薄的空间 。

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标题：晶体生长科学与技术11-2|晶体生长科学与技术1(1-2) 综述( 二 )