1、铸造法 铸造设备 HEM(热交换法 ，heat exchanger method ) DSS(定向凝固系统, Directional Solidification System ) 优点： 铸造或定向凝固方法； 生长成本较低 ， 具有较高的生产效率； 熔融的熔体浇注到一个涂有SiO/SiN表面 膜的方形石墨模具中 ， 然后控制这些融 体从模具的底部向顶部定向凝固 ， 从而 得到晶体； 通常一次铸造得到的晶锭体积可以很大 ，达到60cm*60cm*20cm ， 重量达几百公斤； 冷坩埚法 冷坩埚法简介 简介： 很多无机非金属难熔化合物的熔点高 ， 找不到合适的坩埚材料； 熔点高 ， 如果熔体直接与坩埚接触 ， 会导致污染； 。

2、 将原料压成块状 ， 用射频感应加热熔化 ， 表面采用水冷 ， 保留 着一层由原料组成的外壳 ， 起到坩埚的作用； 技术关键在于原料的熔化 ， 要想用射频加热来熔化这些原料 ，必须首先产生少量能导电的熔体； 一般金属氧化物的熔化方法采用与该金属氧化物相应的金属块 作为引燃剂； 金属在射频作用下 ， 产生涡流 ， 熔化 ， 温度升高 ， 使周围金属 氧化物也逐渐熔化； 冷坩埚法简介 应用： 人工合成氧化锆即采用冷坩埚法 ， 因为氧化锆的熔点高（ 2700） ， 找不到合适的坩埚材料； 用原料本身作为“坩埚”进行生长； 原料中加有引燃剂（生长氧化锆时用的锆片） ， 在感应线圈加 热下熔融； 锆片附近的原料逐渐被熔化； 最外层的原料不断被水冷套冷 。

3、却保持较低温度 ， 而处于凝固状 态形成一层硬壳,起到坩埚的作用 ， 硬壳内部的原料被熔化后随着 装置往下降入低温区而冷却结晶 。
弧熔法 晶体生长方法简介 气相生长法： 拟生长的晶体材料经过升华、蒸发、分解等过程成为气态 ，再通过结晶过程得到晶体； 气相法生长过程中 ， 分子密度低 ， 因此生长速率大大低于熔 体法晶体生长速率； 一般生成的晶体厚度在几个到几百个微米之间； 厚度、表面形态和杂质含量； 膜和衬底的热膨胀系数以及晶格失配的关系； 高质量的衬底表面 ， 没有损伤； 衬底的温度、沉积压强、气体分压与成膜的质量关系； 真空蒸发镀膜法 真空蒸发镀膜是将固体材料置于蒸发电极上 ， 在真空条件下 ，将固体材料加热蒸发 。

4、 ， 当把一些加工好的基板材料放在其中时 ，蒸发出来的原子或分子就会吸附在基板上逐渐形成一层薄膜； 在蒸发电极上采用高熔点的金属(如W ， Mo ， Ta等) ， 制成蒸 发源 ， 待蒸发原料就放在蒸发源上； 蒸发源的要求是： 1. 良好的热稳定性 ， 化学性质不活泼 ， 达到蒸发温度本身的蒸汽压要足够 低； 2. 蒸发源的熔点要高于被蒸发物的蒸发温度； 3. 蒸发物质和蒸发源材料的互熔性必须很底 ， 不易形成合金； 4. 要求线圈状蒸发源所用材料能与蒸发材料有良好的浸润 ， 有较大的表面 张力； 5. 对于不易制成丝状、或蒸发材料与丝状蒸发源的表面张力较小时 ， 可采 用舟状蒸发源；(综合4.5分析 ， 如果张力小 ， 容易掉下去) 真空 。

5、蒸发镀膜法 蒸发源的结构：螺旋式(a)、篮式(b)、发叉式(c)和浅舟式(d) 真空蒸发镀膜法 真空蒸发镀膜是将固体材料置于蒸发电极上 ， 在真空条件下 ，将固体材料加热蒸发 ， 当把一些加工好的基板材料放在其中时 ，蒸发出来的原子或分子就会吸附在基板上逐渐形成一层薄膜； 在蒸发电极上采用高熔点的金属(如W ， Mo ， Ta等) ， 制成蒸 发源 ， 待蒸发原料就放在蒸发源上； 蒸发源的要求是： 1. 良好的热稳定性 ， 化学性质不活泼 ， 达到蒸发温度本身的蒸汽压要足够 低； 2. 蒸发源的熔点要高于被蒸发物的蒸发温度； 3. 蒸发物质和蒸发源材料的互熔性必须很底 ， 不易形成合金； 4. 要求线圈状蒸发源所用材料能与蒸发材 。

6、料有良好的浸润 ， 有较大的表面 张力； 5. 对于不易制成丝状、或蒸发材料与丝状蒸发源的表面张力较小时 ， 可采 用舟状蒸发源；(综合4.5分析 ， 如果张力小 ， 容易掉下去) 升华法 升华法 升华法是气相法生长晶体的一种 ， 一般采用氩气作为输运介 质 ， 热端原料与掺杂剂加热后挥发 ， 在氩气的输运下到达冷端 ，成为过饱和状态 ， 经过冷凝成核重新结晶； 升华法生长的晶体质量不高 ， 主要用来生长小尺寸单晶体、 薄膜或者晶须； 适当调节扩散速度 ， 可提高晶体材料的纯度和完整性； 对于原料易氧化的材料 ， 通常采用闭管方式； 化学气相沉积法 化学气相沉积种类： 1.常压化学气相沉积 APCVD 2.低压化学气相沉积 LPCVD。

【晶体生长科学与技术11-2|晶体生长科学与技术1(1-2) 综述】