1、填空题1在常温下 ， 硅二极管的门槛电压约为 0.5V ， 导通后在较大电流下的正向压降约为 0.7V；锗二极管的门槛电压约为 _0.1_V ， 导通后在较大电流下的正向压降约为_0.2_V 。
2、二极管的正向电阻 小 ；反向电阻 大。
3、二极管的最主要特性是 单向导电性。
结外加正向电压时 ， 扩散电流 大于 漂移电流 ， 耗尽层 变窄。
4、二极管最主要的电特性是 单向导电性， 稳压二极管在使用时 ， 稳压二极管与负载并联 ， 稳压二极管与输入电源之间必须加入一个 电阻。
5、电子技术分为模拟电子技术和数字电子技术两大部分 ， 其中研究在平滑、连续变化的电压或电流信号下工作的电子电路及其技术 ， 称为 模拟 电子技术 。
6、P 。

2、N结反向偏置时 ， PN结的内电场 增强。
PN具有 具有单向导电 特性 。
7、硅二极管导通后 ， 其管压降是恒定的 ， 且不随电流而改变 ， 典型值为 0.7 伏；其门坎电压Vth约为 0.5 伏 。
8、二极管正向偏置时 ， 其正向导通电流由 多数 载流子的 扩散 运动形成 。
9、P型半导体的多子为 空穴 、N型半导体的多子为 自由电子 、本征半导体的载流子为 电子空穴对。
10、因掺入杂质性质不同 ， 杂质半导体可为 空穴（P） 半导体和 电子（N） 半导体两大类 。
11、二极管的最主要特性是 单向导电性， 它的两个主要参数是反映正向特性的 最大整流电流 和反映反向特性的 反向击穿电压。
12、在常温下 ， 硅二极管的开启电 。

3、压约为 0.5 V ， 导通后在较大电流下的正向压降约为 0.7 V 。
13、频率响应是指在输入正弦信号的情况下 ，输出随频率连续变化的稳态响应。
15、N型半导体中的多数载流子是 电子， 少数载流子是 空穴。
16、按一个周期内一只三极管的导通角区分 ， 功率放大电路可分为 甲类 、 乙类 、 甲乙类 三种基本类型 。
17、在阻容耦合多级放大电路中 ， 影响低频信号放大的是 耦合和旁路 电容 ， 影响高频信号放大的是 结 电容 。
18、在NPN三极管组成的基本共射放大电路中 ， 如果电路的其它参数不变 ， 三极管的增加 ， 则IBQ 增大， ICQ 增大， UCEQ 减小。
19、三极管的三个工作区域是 截止，饱和，。

4、放大。
集成运算放大器是一种采用 直接 耦合方式的放大电路 。
20、某放大电路中的三极管 ， 在工作状态中测得它的管脚电压Va = 1.2V ，Vb = 0.5V, Vc = 3.6V, 试问该三极管是 硅管 管（材料） ，NPN 型的三极管 ， 该管的集电极是a、b、c中的 C。
21、已知某两级放大电路中第一、第二级的对数增益分别为60dB和20dB, 则该放大电路总的对数增益为 80 dB ， 总的电压放大倍数为 10000。
22、 三极管实现放大作用的外部条件是： 发射结正偏、集电结反偏。
某放大电路中的三极管 ， 测得管脚电压Va = -1V ， Vb =-3.2V, Vc =-3.9V, 这是 硅 管 。

5、（硅、锗） ，NPN 型 ， 集电极管脚是 a。
23、三种不同耦合方式的放大电路分别为： 阻容（RC）耦合 、 直接耦合 和_变压器耦合_ ， 其中 直接耦合 能够放大缓慢变化的信号 。
24、在多级放大电路中 ， 后级的输入电阻是前级的 负载， 而前级的输出电阻可视为后级的 信号源的内阻。
多级放大电路总的通频带比其中每一级的通频带 要窄。
25、某放大电路在负载开路时的输出电压为4V ， 接入12k的负载电阻后 ， 输出电压降为3V ， 这说明放大电路的输出电阻为 4 k。
26、为了保证三极管工作在放大区 ， 要求：发射结 正向 偏置 ， 集电结 反向 偏置 。
对于型三极管 ， 应使VBC 0。
27、放大器级间耦合方式主要有 。

6、阻容（RC）耦合、直接耦合和 变压器 耦合三大类 。
28、在三极管组成的三种不同组态的放大电路中 ， 共射和共基组态有电压放大作用 ， 共射 组态有电流放大作用 ，共射和共集 组态有倒相作用； 共集 组态带负载能力强 ，共集 组态向信号源索取的电流小 ，共基 组态的频率响应好 。
29、三极管放大电路的三种基本组态是 共集 、 共基 、 共射。
30、多级放大器各级之间的耦合连接方式一般情况下有 直接耦合，阻容耦合，变压器耦合。
31、在单级共射放大电路中 ， 如果输入为正弦波形 ， 用示波器观察VO和VI的波形 ， 则VO和VI的相位差为 1800 ；当为共集电极电路时 ， 则VO和VI的相位差为 0。
32、放 。

7、大器有两种不同性质的失真 ， 分别是 饱和 失真和 截止 失真 。

稿源：(未知)

【傻大方】网址：/a/2021/0801/0023375087.html

标题：模拟|模拟电子技术基础期末试题2