1、光电子器件第一章1. 光电探测器输出信号电压或电流与单位入射光功率之比 ， 即单位入射光功率作用下探 测器输出信号电压或电流称为响应率.光谱响应率（RX）：光电器件在单色（在波长入附近一个很小的波长范围里）幅射功率作用下产生的信号电压或信号电流 。
叽入dP其中Rm为光谱响应率的最大值dP光谱电压响应率和光谱电流响应率合并称为光谱响应率R ， X （单位：A/W）2L24772光谱响应率及量子效率仅由器件的响应特性所决泄 ， 而与光源无关 。
2器件的光谱响应与光源辐射功率谱密度紧密相关 ， 它们之间的匹配系统u称为器件与 光源的光谱兀配系数 ， 它反映了器件响应的波长范用同光源光谱的吻合程度 。
在光源固左的情况下 ， 而枳A 。

2、1是不变的 ， 如果与曲线重合得愈多 ， 而积A2愈大 ， a愈大, 也就是光谱匹配愈好;
反之 ， 如果两曲线没有重合之处 ， 二0,即二者完全失配,则该光电器件 对光源辐射没有探测能力 。
光谱匹配是选择光电子器件 ， 如像管、光电倍增管、红外成像器 件的材料的重要依据 。
3光电探测器输出的电流或电压在其平均值上下无规则的、随机的起伏 ， 称为噪声 。
噪声是 物理过程所固有的 ， 人为不可能消除 。
它的讣算是在足够长时间内求其平方平均或均方根 。
Pmin 二光电探测器的噪声來源主要有热噪声.散粒噪声.温度噪声、放大器噪声、频率噪声、 复合噪声等 。
u in Rs / nit当输出信号电压等于输出噪声电压均方根值时的探测器的入射辐射功率叫 。

3、做最小可探测辐射功率 ， 也叫做噪声等效功率NEP 。
Pmin越小 ， 器件的探测能力越强 。
对Pmin取倒数可作为衡量探测器探测能力的参数 ， 称为探测率 。
研究指出：探测率与器件的而积和工作带宽成反比 。
4光吸收厚度：设入射光的强度为10,入射到样品厚度为x处的光强度为I,则: 。
为线吸收系数 ， 单位为(1/cm)U大时 ， 光吸收主要发生在材料的表层； 。
小时 ， 光入射得深 。
当厚度1/(时 ， 称为吸 收厚度 ， 有64%的光被吸收 。
5本征吸收：价带中的电子吸收了能量足够大的光子后 ， 受到激发.越过禁带 ， 跃入导带 ，并在价带中留下一个空穴 ， 形成了电子空穴对 ， 这种跃迁过程所形成的光吸收称为本征吸收 。
本征吸收条件：光子的能量必须大于 。

4、或等于禁带的宽度Ego6. 内光电效应：材料在吸收光子能量后 ， 岀现光生电子一空穴 ， 由此引起电导率变化或 电压、电流的现象 ， 称之为内光电效应 。
光电导效应：当半导体材料受光照时 ， 吸收光子引起载流子浓度增大 ， 产生附加电导率 使电导率增加 ， 这个现象称为光电导效应 。
在外电场作用下就能得到电流的变化 。
光电导效应分为本征型和非本征型 。
7设本征半导体在没有光照时 ， 电导率为bo (称为暗电导率)5)= 0叫 + Poep当有光注入时 ， 半导体电导率：b = e(n0 + An)/zn + e(p0 + Ap)/P电导率的增量称为光电导率： Act = cr-cr()=幺8. 增加载流子寿命：好处：增益提高 ， 灵敏度 。

5、提高 ， 响应率提髙 。
缺点：惰性增加 ， 频率响应特性变差 。
所以增益和惰性不可兼得9. 影响光谱响应的两个主要因素:光电导材料对各波长辐射的吸收系数和截流子表而复介 率o光电导光谱响应特点：都有一峰值 ， U巾值一般靠近长波限（长波限约为峰值一半处所对 应的波长） 。
10. 光敏电阻是利用光电导效应制成的最典型的光电导器件 。
光敏电阻器均制作在陶瓷基 依匕光敏而均做成蛇形 ， 目的是要保证有较大的受光表而 。
上而带有光窗的金属管帽或直 接进行塑封 ， 苴目的是尽可能减少外界（主要是湿气等有害气体）对光敏而及电极所造成的 不良影响 ， 使光敏电阻器性能保持稳能 ， 工作可靠 。
光敏电阻光谱响应特性主要由所用的半导体材料所决雄 ， 主 。

6、要是由材料禁带宽度所决左 ， 禁 带宽度越窄 ， 则对长波越敏感 。
但禁带很窄时 ， 半导体中热激发也会使自由载流子浓度增加, 使复合运动加快 ， 灵敏度降低 ， 因此采用冷却光敏而的办法来提高灵敏度是很冇效的 。
光敏 电阻一般用于与人眼有关的仪器 ， 在使用时 ， 必须加滤光片修正光谱 。
第一章作业1、什么是光谱响应率？根据器件与光源的光谱曲线说明光谱匹配系数a的意义 。
2、某光电二极管 ， 受波长为1.55um的6x1012个光子的照射 ， 其间输出端产生2x1012个 光子 。
试计算该光电子器件的量子效率和响应度 。
3、什么是器件的最小可探测辐射功率和探测率？探测率表达式的意义如何？4、半导体发生本征光吸收的条件是什么？第二章1. 光 。

7、生伏特效应：两种半导体材料或金属/半导体相接触形成势垒 ， 当外界光照射时 ， 激发 光生载流子 ， 注入到势垒附近形成光生电压的现象 。
结型光电探测器与光电导探测器的区别：（1）产生光电变换的部位不同 。
（2）光电导型探测器没有极性 ， 且工作时必须有外加电压 ， 而结型探测器有确左的正负极, 不需外加电压也可把光信号变为电信号 。
（3）光电导探测器为均质型探测器 ， 载流子驰豫时间长 ， 频率响应特性差 。
而结型探测器 频率特性好 ， 灵敏度髙 。
雪崩式光电二极管、光电三极管还有内增益作用 ， 可以通过较大的 电流 。
2. 外接电路开路（断路）时 ， 光生载流子积累在PN结两侧 ， 光生电压最大 ， 此时的光生电 动势Uoc称为开路电汗 ， 外接电路短 。

8、路时 ， 流过电路的电流Isc称为短路电流 ， 就是光生电 流 。
3. 光电池在受光表面上涂保护膜 ， 如镀Si02、MgF2o目的是减小反射损失 ， 增加对入射光 的吸收 ， 冋时又可以防潮防腐蚀 。
上电极一般多做成栅指状 ， 英目的是便于透光和减小串联 电阻 。
通常在用单片光电池组装成电池组时 ， 可以采用增加串联片数的方法来提高输岀电压 ，用增加并联片数的方法来增大输岀电流 。
4. 光电二极管与光电池的L：要区别：（1）结面积大小不同 ， 光电二极管的要小很多 。
结电容很小 ， 频率特性好：（2）PN结工作状态不同 ， 光电池P7结工作在零偏垃状态下 。
而光电二极管工作于反偏工作状态下 ， 光电流小光电二极管分类：按工作基础分：有耗尽型及雪崩 。

9、型 。
按特性分：有PN结、PIN结、异质结、肖特基势垒及点结触型等 。
按对光的响应分：紫外、可见光、红外型：按制造工艺：平而型、生长型、合金型、台而型 。
5. PN结型光电二极管：根据衬底材料不同分为2DU和2CU型两种 。
2DU型易形成表而漏电流流到前极 ， 它是暗电流（噪声）的大部分 ， 应禁止它流过负载 。
温度特性：光电二极管受温度影响最大的是暗电流 。
频率特性：有两决肚因素：1）光生载流子在耗尽层的渡越时间：2）结电容Cj和负载电阻RL所构成的时间常数RLCj光电二极管等结型光电器件的噪声主要是电流散粒噪声和电阻的热噪声 。
6. PIN型光电二极管特点：（1）光生电流较大 ， 灵敏度髙 。
因为I层比PN结宽得多 。

10、 ， 光生载流子要多得多 ， 光生载流子在内建电场和反向电场作 用下的漂移移动会形成较大的光电流输出 ， 灵敏度得以提高 。
（2）响度速度快 ， 频率特性好 。
一般说 ， 扩散运动的速度比漂移运动的速度低得多 ， PIN管由于扩散运动被抑制 ， 所以 响应速度提高了 。
时间响应特性主要取决于结电容和载流子渡越耗尽层所需要的时间 。
由于PIN耗尽层变 宽 ， 因此结电容变小了；同时由于I区电阻高 ， 可承电压髙 ， 电场强 ， 载流子渡越耗尽层时 间缩短了 ， 所以时间特性变好了（频率带宽可达10GHz） 。
（3）响应波段宽由硅材料制成的PIN管 ， 长波段能响应到1. lum,可以探测到1. 06卩m的激光 。
7. 雪崩型光电二极管（APD）1、雪朋光电二 。

11、极管原理PN结加上相当大的反向偏压（略低于反向击穿电压）一髙电场一光生载流子加速一晶 格原子-新载流子一晶格原子-新载流子一雪崩式载流子倍增 。
频率特点：载流子运动速度快 ， 渡越时间短（10-10s级） ， 所以时间特性非常好 ， 响应频率可达105MHz,是目前响应速度最快的一种光电二极管 。
8. 光电三极管不仅能实现光一电转换 ， 还能放大光电流 。
第二章作业1、结型光电探测器与光电导探测器的主要区别有哪些？2、用波长为0.83 um、强度为3m的光照射在硅光电池 ， 无反射 ， 其量子效率为0. 85,并 设全部光生载流子能到达电极 。
求：（1）光生电流 。
（2） T二300K、反向饱和电流为10-8A时 ， 求光电池的开 。

12、路电压 。
3、已知2CR太阳能电池的参数为UOC=O. 54V, ISC二50mA,若用它进行串并联组合对0. 5A, 6V的蓄电池充电 ， 需要多少个这样的电池？4、光电二极管与光电池的主要区别是什么？5、某光电二极管的结电容为5pF,要求带宽为10MHz,求允许的最大负载电阻是多少？6、PIN管的时间响应特性为什么比普通光电二极管好？7、说明雪朋型光电二极管的工作原理和频率特点 。
第三章1. 真空光电器件的突出特点：1）易于在管内实现快速、高增益、低噪声的电子倍增 。
用于探测极微弱的光辐射和变化 极快的光辐射 。
如光子计数器 。
2）易于制取大而积均匀的光敏而 ， 像元密度大 ， 可得到很高的分辨率 。
用于较高要 。

13、求的 精密测呈: ， 如光谱分析仪 ， 扫描电镜等 。
2. 将丫牛体光电发射的物理过程归纳为三步：（1）半导体中的电子吸收入射光子的能疑而被激发到高能态（导带）上：（2）这些被激发的电子在向表而运动的过程中因散射而损失掉一部分能量：（3）到达表而的电子克服表而电子亲和势EA而逸出 。
3. 把电子从体内导带底逸出真空能级所需的最低能疑称为有效电f亲和势EAeff,以区 别于表而电子亲和势EA 。
4. 如果给半导体的表而作特殊处理 ， 使表而区域能带弯曲 ， 頁空能级降低到导带之下 ， 从 而使有效的电子亲和势为负值 ， 经过这种特殊处理的阴极称作负电子亲和势光电阴极（NEA） 。
NEA电子传输特性：1）参与发射的电子是导带的未 。

14、热化的冷电子；2）NEA阴极中导带的电子逸入真空几乎不需作功 。
5. 真空光电管光电管是根据外光电效应原理工作的光电探测器 ， 它把光能转变为电能 ， 属于非成像型 的光电器件 。
光电倍增管目前普遍采用而且最有效的探测微弱光辐射的器件是光电倍增管,它是光电阴极和二次 电子倍增器的结合 。
光电倍增管结构主要由四部分组成：光电阴极、电子光学输入系统（光电阴极至第一倍 增极的区域） ， 倍增系统（或称打拿极系统）、阳极（或称收集极） 。
光电倍增管工作原理：光子透过入射窗口入射在光电阴极上 ， 电子受光子激发发射到真 空中 ， 光电子通过电场加速和电子光学系统聚焦入射到第一倍增级上 ， 倍增级将发射出比入 射电子数目更多的二次电子 ，。

15、入射电子经N级倍增极倍增后 ， 光电子就放大N次 ， 最后由阳 极收集形成光电流 。
光电阴极在结构形式正笄咻 射型侧窗式和透射型端窗式 。
二次电子发射系数：二次发射系数不仅与倍增极的二次发射材料有关 ， 且与它极间电斥VD有关 。
电子倍增系统结构分类：根据工作原理可分为两类：聚焦型、非聚焦型 。
6. 光电倍增管的主要特性和参数光电倍增管的频率响应主要受到电子渡越时间散差限制 。
渡越时间散差是造成脉冲展 宽的主要因素 。
7. 暗电流左义：当光电倍增管完全与光照隔绝 ， 在加上工作电压后 ， 阳极仍有电流输出 ， 输出电 流的直流部分称为该管的暗电流 ， 即由非光照因素引起的一切电流称为暗电流 。
引起暗电流有下列几方而的因素：1）热发射2 。

16、）极间漏电3）光反馈4）离子反馈5）场致发射6）其他原因作业：1、简述半导体光电发射的过程 。
2、用波长为589nm光照射某光电阴极 ， 英发射电流的光谱灵敏度为0. 05A/W,该材料的 逸出功为1. 4eV,求该材料的光谱量子效率、长波阈值以及发射光电子最大动能 。
3、什么是负电子亲和势光电阴极？4、说明光电倍增管的结构组成和工作原理 。
5、某光电倍增管有10个倍增级 ， 每个倍增级的二次电子发射系数二4,阴极灵敏度为 Rk=200nA/lm,阳极电流不得超过10mA,试估计入射阴极的光通量的上限 。
6、光电倍增管的暗电流是指什么？引起暗电流的因素主要有哪些？ 第四章1. 光电成像器件按结构分类有：像管、 。

17、真空摄像管、固体成像器件等 。
像管能把丿 它包括变像管木 像管结构:下的光电成像 。
荧光屏 。
1- 镜；2光电阴极；3电子透镜；4荧光屏；5H镜像竹的工作过程:1、光电转换：由光电阴极完成 。
微弱或不可见辐射图像信号转换成电子信号（电子 流）；2、电子成像：由电子光学系统完成（类似于光学透镜） ， 英上加有髙电压 ， 能将光电 阴极发岀的电子流加速 ， 并聚焦成像在荧光屏幕上：3、增强亮度：高速电子流轰击荧光屏后 ， 屏幕发岀的光要强于入射信号光 ， 相当于 增强了图像的亮度 ， 对图像做了二次转换 。
2. 电子光学系统 。
分为静电透卑n磁透镜 。
静电透 隠透纯是靠跟陶磁场厦滞来完成聚焦成使电子流聚焦成像的电子光学系统 ， 也#镜是靠 。

18、静电场来使光电子加速 ， 并聚焦成像 。
像 。
1、非聚焦型静电透镜（近贴）在阳极而上的全色电子束的最大弥散圆半径为：从上式可以看出：阴极与阳极之间的电位墨U越大 ， 最大初电能5及极间距离1越 小,弥散圆斑越小 ， 图像越淸晰 。
通常 ， 极间距离1总是很小（小于1mm）,而U却很大（37KV）, 所以图像一般较淸晰 。
3. 光学纤维而板级间耦合几乎全部采用纤维而板 。
4. 像管一般入射于光电阴极的光是物体的反射光 。
对同一光源 ， 阴极长波响应大者 ， 提供的初始对比度髙 。
对同一阴权 始对比 。
由于光电更I星光和月光） ， 光源光谱偏向长波者 ， 能提供较髙的初 眼睛 ， 所以光电阴极所提供的初始对比度总是大于人亮度增益:像管输出亮度L与 。

19、阴极入射照度旳之比的n倍:M光出射度lni/m2像管的传像特性是指像管在传递图象时 ， 对图像几何形状的影响 。
图像几何形状主要受 到电子光学系统的影响 。
像管的时间响应特性主要由荧光屏所决立 。
限制人眼分辨能力的因素有三个：物体的亮度、视角、亮度对比度 。
5. 第一代微光像增强利用Sb-Cs、Sb-K-Na-Cs、NEA等阴极制成的像管称为像增强器 ， 它能够在微弱的自然 光条件下实施观察 ， 所以又称为微光像增强器或微光管 。
第一代微光管由三个单管串联而成, 成像质量明显提髙 。
但仍工作于被动观察方式 。
主要缺点是有强光晕光现象 。
微通道板：是带有许多微通道孔的薄板 ， 厚1辽mm,每个微通道内表面电阻很大 ， 可连 续进行 。

20、二次电子发射 ， 能够实现髙达106的电子倍增 。
采用微通道板的像管 ， 称为微通道板 像增强器 ， 属于第二代微光夜视器件 。
第二代微光管倍增效果好 ， 像管体积小 。
制作CEM的材料目前主要有两种：髙铅玻璃、陶 体“ 关于MCP的增益：1、对于一个固泄尺寸的MCP,增益随所加电压U增加而升髙 。
2、在电压确左时 ， G随（】的变化有一最佳值 。
在某个长径比时 ， 增益最大 ， 即存在一 个最佳长径比 。
o=45附近时 ， 增益最大 。
3、计算分析表明：U=22 时 ， 增益G有极大值 。
由此MCP两端加1000V电压为佳 。
4、一般随着开口面积增大 ， 增益随之增大 。
可使用扩口技术来提高开口面积 。
现在开 口面积一般在60%以上 。
6. 第二代微光像 。

21、增强器采用了微通道板作为电子倍增器 。
近贴式MCP像增强器：光电阴极、MCP、荧光屏之间都是近贴 ， 不倒像 ， 图像不放大 。
静电聚焦式MCP像增强器：静电透镜成像在MCP平而上 ， MCP 屏近贴 ， 成倒像 。
7. 三代微光管的特点：采用了双近贴结构 ， 阴极、MC P与荧光屏之间都为近贴结构 。
阴极为GaAs/InGaAs NEA光电阴极 。
采用了高增益、低噪声、长寿命的MCP 。
MCP电子输入端面镀了近3-10nm厚的离子阻挡膜（A1203）,以减少离子反馈对阴极的 损害 。
四代微光像增强器两个特征：采用体电导MCP,并使光电阴极与MCP间采用自动脉冲门控电源 。
1）体电导HCP2）自动脉冲门控电源作业：1、说明像管 。

22、的结构和工作原理 。
2、试说明在像管中 ， 提高光电阴极长波响应对增加对比度的意义 。
3、某二级级联像管 ， 两个光电阴极均为S-25,它对标准光源的积分灵敏度R=400 H A/lm, 两个荧光屏均为P-20,发光效率为50 lm/W, 级电压均为12KY,各级电子光学系统透过 系数和放大率均为1 ， 不考虑极间耦合损失的情况下 ， 试汁算它对星光下绿色草木反射光的 亮度增益GL 。
第六章1. 电荷耦合器件的基本原理MOS电容的电荷分布在一泄厚度的半导体表而层内 ， 这个带电的层称为空间电荷区 。
1、UG0 （反偏）多数载流子耗尽 。
空间电荷区两端的电势差称为表而势 ， 规启表面 电势比内部高时 ， 取正值 。
3、UG0,继续增大 。

23、 。
表面处能带进一步向下弯曲 ， 这意味着表面处的电子浓度将超过 空穴浓度而变得很高 ， 即形成与原来半导体衬底导电类型相反的层 ， 叫做反型层 。
4、UG0,自由电荷进入势阱CCD就是在非稳泄条件下工作的MOS电容器的集成 。
CCD的势阱深度和存贮电荷能力都是由表而势所决定 。
表而势与栅压 ， 氧化层电容 ， 受主浓度以及势阱中的自由电子浓度有关 。
2. 电荷耦合原理CCDI作在深耗尽区 ， 可以用电注入或光注入的方法向势阱注入电荷 ， 势阱中的自由电 荷通常称为电荷包 。
在提取信号时 ， 需要将电荷包有规则地传送岀去 ， 这一过程叫做CCD的电荷转移 ， 它是 靠各个MOS栅极在时钟电压作用下 ， 以电荷耦合方式实现的 。
CCD器件基本结构包括： 。

24、转移电极结构、转移沟道结构、信号输入结构、信号输出结构 。
在实际的供电系统中 ， CCD根据转移电极结构（外接脉冲相数）的不同 ， 分为.相、相、 四相结构：CCD根据转移信道结构（电荷转移时所经过的道路）的不同 ， 又分为表而沟道 和体内沟道结构 。
目前常用的横向限制方法有：沟阻扩散(或注入)法、氧化物台阶法 。
电注入型输入方 法有很多(保证线性转移) 。
主要有动态电流积分法、二极管截止法、电位平衡法等 。
其中 ，电位平衡法应用最广泛 。
引起电荷包不完全转移的原因有：表面态对电子的浮获、时钟频率过高、体内缺陷对 电荷包的作用 ， 如自感应电场、热扩散、边缘电场等 。
其中前二者是主要原因 。
CCD电荷贮存容量越大 ， 处理电荷 。

25、的能力就越强 ， 动态范用就越好 。
两相线阵CCD成像器件结构包括光敏区、存贮电极、电荷转移电极、CCD移位寄存器、 输出机构和补偿机构 。
面阵CCD成像器件根据信号电荷转移和读岀的结构方式不同通常分为三种类型：帧/场 转移(FT)、行间转移(IT)、帧行间转移(FIT) 。
2.光电门+FD方式：优点：噪声小 。
掩埋型光电二极管+FD方式：优点：较低的暗电流 ， 且无电极材料吸收光的现象 。
作业：1、用三相CCD结构说明电荷耦合转换的原理 。
2、CCD器件的基本结构包括哪些？3、说明BCCD与SCCD之间的区别 。
4、说明帧/场转移而阵CCD的工作原理 。
5、说明行间转移结构CCD的工作原理 。
6、试列表比较CCD与C 。

26、MOS传感器的特性 。
7、CCD与CMOS图像传感器在储存同时性方面有什么区别？1 一答：电荷的耦合转换过程分为四步如下：(1) 势阱的形成如图(a),在三金属栅极上加三相电压VI、V2、V3,则在苴表面下形成与 电压大小成线性关系的耗尽层 ， 即所谓势阱 。
(2) 电荷的存贮如图(b),若V2电压高于英他电压 ， 则它下面的势阱比苴他栅极下的势阱 要深 ， 电荷存贮在里面形成电荷包 。
(3) 电荷的传输如图(c),若在V3上加高于V2的电压 ， 则在V3相应栅极下形成比V2下更 深的势阱 ， 由于电极间隔很小 ， 相邻两势阱将合并一起 ， 电荷也将不受阻碍地转入更深势阱, 从而使电荷得以传输 。
(4) 形成新的存贮状态如图(d 。

27、),此时V1=V2, V3V1电荷包向右移动了一个位置 。
第八章1. 利用热效应探测和观察外来辐射而制成的器件称为热探测器 。
热探测器的娠本原理：分类：1)直接利用辐射所产生的热效应 。
根据温度的变化来探 测辎射 ， 以温度来度量热 。
2)利用辐射产生热 ， 热能再转换为电或磁效应 ， 通过对电或磁 量的度量来探测辐射的大小 。
2. 微测辐射热计的工作原理：物体热辐射经过凸镜聚焦 ， 成像在热敏探测器阵列上 ， 热辐 射导致探测器温度变化 ， 温度变化又导致热敏元的电阻的变化 ， 通过回路把电阻变化信号取 出 ， 就可以探测外界的热辐射 。
3. 微机械制成的微辐射计可以分为两种结构类型：单层结构和两层结构 。
与单层结构相比 ， 因为它允许了更 。

28、大的填充系数（读出电路可以处在硅微桥下而）和更大 的红外光吸收率（在腔体下方产生一个共振光学腔） ， 这种结构还可以减少热传导系数 ， 起到 微观隔热的效果 。
目前 ， 微测辐射热计主要是“两层”结构类型作业：1、红外探测的两种主要形式是什么？2、对于热探测器 ， 如何有效地提高温升？3、概述微测辐射热计的工作原理 。
4、简述“两层”微测辐射热il阵列的微桥结构的特点？第九章1热释电探测器是根据热释电效应来探测光辐射或热輻射能量的器件 。
其特点是匚作频率 髙 ， 灵敏度高 ， 尤其在高温、低温探测领域是其他探测器件无法取代的 。
晶体的自发极化：在自然条件下 ， 晶体的某些分子正负电荷中心不重合 ， 具有一泄固有 的偶极矩 ， 在垂直极轴 。

29、的两个端而上就会造成大小相等 ， 符号相反的而束缚电荷 。
这样的晶 体也称为极化晶体 。
热释电效应：极化晶体受热辐射照射时 ， 由于温度的改变使热电晶体的偶极矩发生变化 ，极化强度和面束缚电荷发生变化 ， 结果在垂直于极化方向的晶体两个外表而之间出现电压 ，这种现象称为热释电效应 。
铁电体具冇电滞冋线现象 ， 是目前热释电探测器的重要组成材料o作业：1、什么是热释电效应？为什么热释电探测器只能测量变化的或经过调制的热辐射？2、热释电探测器适合在什么样的温度区间工作 ， 为什么？1什么是光谱响应率？根据器件与光源的光谱曲线说明光谱匹配系数的意义 。
答：光谱响应率：光电器件在单色（在波长X附近一个很小的波长范用里）辐射功率作 。

30、用 下产生的信号电压或信号电流 。
光谱匹配系数反映了器件响应的波长范国同光源光谱的吻合程度 ， 可用而积A1.A2表示 ， 在 光源固左的情况下 ， 面枳A1是不变的 ， 如果与曲线重合得愈多 ， 面积A2愈大 ， u愈大 ， 也就 是光谱匹配愈好;
反之,如果两曲线没有重合之处 ， “二0,即二者完全失配 ， 则该光电器件对光 源辐射没有探测能力 。
2什么是器件的最小可探测辐射功率和探测率？探测率表达式的意义如何？答：当输出信号电压等于输出噪声电压均方根值时的探测器的入射辐射功率叫做最小可探测 辐射功率 ， 也叫做噪声等效功率NEP o对P屈取倒数可作为衡量探测器探测能力的参数 ，称为探测率 。
童乂：表示探测器接收而积为圧,工作带宽为1H 。

31、z时的单位入射辐射功率 所产生的信噪比 。
3半导体发生本征光吸收的条件是什么？答：本征吸收条件：光子的能量必须大于或等于禁带的宽度Eg 。
4什么是光电导效应？答：光电导效应：当半导体材料受光照时 ， 吸收光子引起载流子浓度增大 ， 产生附加电导率 使电导率增加 ， 这个现象称为光电导效应 。
在外电场作用下就能得到电流的变化 。
1结型光电探测器与光电导探测器的主要区别有哪些？答：结型光电探测器与光电导探测器的区別：（1）产生光电变换的部位不同 。
（2）光电导型探测器没有极性 ， 且工作时必须有外加电压 ， 而结型探测器有确怎的正负极, 不需外加电压也可把光信号变为电信号 。
（3）光电导探测器为均质型探测器 ， 载流子驰豫时 间长 ，。

32、频率响应特性差 。
而结型探测器频率特性好 ， 灵敏度高 。
雪崩式光电二极管、光电三 极管还有内增益作用 ， 可以通过较大的电流 。
2光电二极後与光电池的主要区别是什么？答：光电二极管与光电池的主要区别：（1）结面积大小不同 ， 光电二极管的要小很多 。
结电容很小 ， 频率特性好：（2）PN结工作状态不同 ， 光电池PN结工作在零偏置状态下 。
而光电二极管工作于反 偏工作状态下 ， 光电流小 。
3 PIN管的时间响应特性为什么比普通光电二极管好？答：一般说 ， 扩散运动的速度比漂移运动的速度低得多 ， PIN管由于扩散运动被抑制 ， 所以 响应速度提高了 。
时间响应特性主要取决于结电容和载流子渡越耗尽层所需要的时间 。
由 于PIN耗尽层变宽 ， 因此 。

33、结电容变小了：同时由于I区电阻高 ， 可承电压高 ， 电场强 ， 载流 子渡越耗尽层时间缩短了 ， 所以时间特性变好了（频率带宽可达10GHz） 。
4说明雪崩型光电二极管的工作原理和频率特点 。
答：雪崩光电二极管原理：PN结加上相当大的反向偏压（略低于反向击穿电压）一高电场 光生载流子加速一晶格原子-新载流子一晶格原子-新载流子一雪崩式载流子倍增 。
频率特 点：载流子运动速度快 ， 渡越时间短（10_los量级） ， 所以时间特性非常好 ， 响应频率可达 10lHz,是目前响应速度最快的一种光电二极管 。
1简述半导体光电发射的过程 。
答：将半导体光电发射的物理过程归纳为三步：（1）半导体中的电子吸收入射光子的能量而被激发到高能态（ 。

34、导带）上：（2）这些被激发的电子在向表而运动的过程中因散射而损失掉一部分能量：（3）到达表而的电子克服表而电子亲和势E而逸岀 。
2什么是负电子亲和势光电阴极？答：如果给半导体的表而作特殊处理 ， 使表而区域能带弯曲 ， 真空能级降低到导带之下 ， 从 而使有效的电子亲和势为负值 ， 经过这种特殊处理的阴极称作负电子亲和势光电阴极（NEA） 。
3说明光电倍增管的结构组成和匚作原理o 答：光电倍增管结构主要由四部分组成：光电阴极、电子光学输入系统（光电阴极至第一倍 增极的区域） ， 倍增系统（或称打拿极系统）、阳极（或称收集极） 。
工作原理：光子透过入射 窗口入射在光电阴极上 ， 电子受光子激发发射到貞空中 ， 光电子通过电场加速 。

35、和电子光学系 统聚焦入射到第一倍增级上 ， 倍增级将发射出比入射电子数目更多的二次电子 ， 入射电子经 N级倍增极倍增后 ， 光电子就放大N次 ， 最后由阳极收集形成光电流 。
4光电倍增管的暗电流是指什么？引起暗电流的因素主要有哪些？答：当光电倍增管完全与光照隔绝 ， 在加上工作电压后 ， 阳极仍有电流输出 ， 输岀电流的直 流部分称为该管的暗电流 ， 即由非光照因素引起的一切电流称为暗电流 。
引起暗电流有下 列几方而的因素：1）热发射2）极间漏电3）光反馈4）离子反馈5）场致发射6）其他原 因 。
1说明像管的结构和工作原理 。
答：像管结构主要有三部分组成：光电阴极、电子光学系统、荧光屏 。
像管的工作过程：1、 光电转换：由光电阴极完 。

36、成 。
微弱或不可见辐射图像信号转换成电子信号（电子流）；2、 电子成像：由电子光学系统完成（类似于光学透镜） ， 其上加有髙电压 ， 能将光电阴极发岀 的电子流加速 ， 并聚焦成像在荧光屏幕上：3、增强亮度：髙速电子流轰击荧光屏后 ， 屏幕 发岀的光要强于入射信号光 ， 相当于增强了图像的亮度 ， 对图像做了二次转换 。
2试说明在像管中 ， 提高光电阴极长波响应对增加对比度的意义 。
答：对同一光源 ， 阴极长波响应大者 ， 提供的初始对比度髙 。
这就是为什么阴极响应要向红 外延伸的原因 。
对同一阴极 ， 不同的光源情况（如星光和月光） ， 光源光谱偏向长波者 ， 能 提供较髙的初始对比 。
由于光电阴极长波阈值总是大于眼睛 ， 所以光电阴极所提供的初始对 比 。

37、度总是大于人眼 。
3何为光学传递函数和调制传递函数？调制传递函数和对比度度传递的关系如何？答：光学传递函数：输出函数的傅里叶变换与输入函数的傅里叶变换之比 。
它也等于光学系 统对线扩散函数的傅里叶变换；调制传递函数等于正弦图案的对比传递系数 。
M（f）=l,像和 物的调制度相同；M（f）二0,则不论物的调制度如何 ， 像的调制度为0,即强度是均匀的一片, 分不出图像 ， 一般M（f）0,即经过系统后 ， 像的调制度降低了 M（f）倍 。
4与第一代微光管相比 ， 第二代像增强器的优点有哪些？答：（1）它们的重疑轻 ， 体积小 ， 有的仅为一代管的1/41/10 。
在军用方而应用具有重要意 义 。
（2）增益连续可调 。
因为它取决于MC 。

38、P的长径比、以及两端所加电压 。
有多的调整 因素 ， 可在很宽的外界照度范用内来改变荧光屏的输出亮度 。
（3）自动防强光 。
MCP有电 流饱和特性（每一个通道都有） ， 这样 ， 当有突然强光时,每个视场都不致于产生过大的电流 灼伤荧光屏 ， 这种特性可以控制住视场范围内某些强度大的亮点 。
5、何为微通道板？试对影响微通道板增益的相关因素进行分析 。
答：微通道板：是带有许多微通道孔的薄板,厚广2mm,每个微通逍内表面电阻很大 ， 可连 续进行二次电子发射 ， 能够实现高达1（T的电子倍增 。
（1）、对于一个固定尺寸的HCP,增 益随所加电圧U增加而升高（2）、在电压确左时 ， G随 。
的变化有一最佳值 。
在某个长径比 时 ， 增益最大 ， 即存 。

39、在一个最佳长径比 。
=45附近时 ， 增益最大 。
（3）、计算分析表明： U=22 a时,增益G有极大值 。
由此,HCP两端加1000V电压为佳 。
、一般随着开口而积增 大 ， 增益随之增大 。
可使用扩口技术来提高开口而积 。
现在开口而积一般在60%以上 。
6与二代微光管比较 ， 说明三代微光管的结构特征和性能 。
答：三代微光管的特点采用了双近贴结构 ， 阴极、MC P与荧光屏之间都为近贴结构 。
阴极 为GaAs/InGaAs NEA光电阴极 。
采用了高增益、低噪声、长寿命的MCP 。
MCP电子输入端而 镀了近3-10nm厚的离子阻挡膜（ALO,）,以减少离子反馈对阴极的损害 。
性能：（1）大大扩展了长波阈 ， 响应非常均匀 。
如三元系 。

40、材料InGaAs的长波阈达1.3um, 可探测1.06um波长激光的辐射 。
（2）光谱灵敏度和积分灵敏度大大提高 ， 量子效率n =30%,积分灵敏度达ISOOuA/lm.（3）由于NEA阴极的光电子初能小 ， 初能散布小 ， MTF提高 ， 空间分辨率达601p/mm7四代微光像增强器的两个特征是什么？答：采用体电导MCP,并使光电阴极与MCP间采用自动脉冲门控电源 。
1.用三相CCD结构说明电荷耦合转换的原理？答：电荷的耦合转换过程分为四步如下：（1）势阱的形成如图（a）,在三金属栅极上加三相 电压VI、V2、V3,则在其表而下形成与电压大小成线性关系的耗尽层 ， 即所谓势阱 。
（2） 电荷的存贮如图（b）,若V2 。

41、电压高于其他电压 ， 则它下而的势阱比其他栅极下的势阱要深 ，电荷存贮在里面形成电荷包 。
（3）电荷的传输如图（c）,若在V3上加髙于V2的电压 ， 则在 V3相应栅极下形成比V2下更深的势阱 ， 由于电极间隔很小 ， 相邻两势阱将合并一起 ， 电荷 也将不受阻碍地转入更深势阱 ， 从而使电荷得以传输 。
（4）形成新的存贮状态如图（d）,此 时VI二Y2, V3V1 。
电荷包向右移动了一个位置 。
2. CCD器件的基本结构包括哪些？答：转移电极结构、转移沟道结构、信号输入结构、信号输出结构 。
3说明BCCD与SCCD之间的区别 。
答：1） BCCD中传递信息的电子是N层中的多子 ， 而SCCD的是P层中少子 。
2） BCCD的信息电荷 。

42、集中在半导体内Z平而附近 ， 而SCCD中的信息电荷是集中在界面处的 薄反型层中 ， 所以BCCD处理电荷的能力低 。
3） BCCD具有较髙的转移效率 ， 转移损失比SCCD 小广2个数量级 。
4说明帧/场转移而阵CCD的工作原理 。
答：（1）光积分：在一场图像时间内 ， 光生信号电荷被收集在整个光敏区势阱中 ， 形成与光 像对应的电荷图形 。
（2）帧转移：任帧转移脉冲作用下 ， 光敏区的信号电荷平移到暂存区 。
（帧脉冲过后 ， 光敏区又处于第二场积分）（3）行转移：任行转移脉冲驱动下 ， 暂存区将 全部信号自下而上一行一行地转移到水平读出寄存器 。
（4）位转移：已进入读出寄存器的信 号电荷 ， 在相当于行正程期间 ， 由水平时钟驱动 ， 快速地一 。

43、行接一行将一行内的电荷包一个 个读岀 ， 在输出级得到视频信号 。
5说明行间转移结构CCD的工作原理 。
答：（1）光敏元在积分期内积累的信号电荷包 ， 在转移栅控制下水平地转移入垂直寄存器 。
（2）在相当于水平消隐期间 ， 在“、作用下 ， 暂存区将原来从光敏区平移来的信号 自下而上一行一行地转移到水平读岀寄存器 。
（3）已进入读岀寄存器的信号电荷 ， 在相当于行正程期间 ， 由水平时钟驱动 ， 快速地一行 接一行将一行内的电荷包顺序读出 ， 在输出极上得到视频信号 。
6. CCD与CMOS器件在信号读出动作上有何差异？那个与LSI制造更廉容? 答：CCD只能将信号依照像素的排列顺序输出：CMOS与像素排列无关 ， 各像素的信号利用 选择 。

44、的方式取岀 ， 取出的顺序容易改变 ， 具有较髙的扫描自由度 。
CMOS是由光电二极管与 接收放大、选择与复位的MOS晶体管等元件所构成 ， 这些具有独立功能的元件 ， 可以在像素 内绝缘分离 ， 再利用配线进行连接 ， 符合大规模集成电路的构造 。
利于LSI制造 。
7. CCD与CMOS图像传感器在储存同时性方而有什么区别？答：CCD将同一时期内入射光转换成信号电荷进行储存之后 ， 将所有的信号电荷又同时读岀 至垂直CCD,结合电子快门 ， 即使是高速移动的物体 ， 仍可在瞬间进行拍摄 ， 全而曝光输岀 。
CMOS图像传感器 ， 各像素输岀的信号从不同时刻开始储存 ， 因此随着摄影面的扫描时序 ，储存时期发生偏差 。
快速动作的拍摄对象会拍岀扭曲的 。

45、图像 。
CMOS为逐行曝光 。
1红外探测的两种主要形式是什么？答：热探测与光子探测2对于热探测器 ， 如何有效地提高温升？答：（1）、降低热传导系数H值 。
这样可增大热探测率D 。
这需要热探测器同外界环境进行 热隔离 。
但是H小 ， 将使热时间常数C/H增大 ， 响应时间特性变差 ， 在探测连续可变的辐射 信号时 ， 不能及时地将上一个信号导走以接收新的入射信号 。
（典型的热探测器的热时间常 数在几亳秒的范国内）（2）、降低热容C,减小热时间常数 。
就是把探测器光敏面做得很小, 但工艺困难 。
3概述微测辐射热计的工作原理 。
答：物体热辐射经过凸镜聚焦 ， 成像在热敏探测器阵列上 ， 热辐射导致探测器温度变化 ， 温 度变化又导致热敏元的电阻的 。

46、变化 ， 通过回路把电阻变化信号取出 ， 就可以探测外界的热辐 射 。
4简述“两层”微测辐射热计阵列的微桥结构的特点？答：“两层”微辐射计包括一个高于原始硅表面的微桥 ， 这样位于下方的硅是无损的 。
与 单层结构相比 ， 因为它允许了更大的填充系数（读出电路可以处在硅微桥下而）和更大的红外 光吸收率（在腔体下方产生一个共振光学腔） ， 这种结构还可以减少热传导系数 ， 起到微观隔 热的效果 。
1、什么是热释电效应？为什么热释电探测器只能测量变化的或经过调制的热辐射？ 答：极化晶体受热辎射照射时 ， 由于温度的改变使热电晶体的偶极矩发生变化 ， 极化强度和 而朿缚电荷发生变化 ， 结果在垂直于极化方向的晶体两个外表而之间出现电压 ， 这种现 。

【光电子|光电子器件笔记】47、象称 为热释电效应 。
因为温度恒左时 ， 因晶体表而吸附有来自于周用空气中的异性自由电荷 ， 它和体内面束缚电荷中和了 ， 所以观察不到自发极化现象 。
自由电荷和而朿缚电荷 中和的时间很长 ， 需要数秒钟 。
当某辐射入射晶体时 ， 温度改变 ， Ps变化 ，。
变化 ， 这个 自发极化的弛豫时间则是很短的 ， 约为10一岂 ， 所以 ， 要探测的辐射必须是变化的或经调制 的辐射信号 ， 并使变化或调制频率高于极化电荷的中和速度 ， 且在极化电荷中和之前把信号 引出来 ， 就能明显地观察到晶体的极化现象 ， 从而获得热辐射电信号 。
2热释电探测器适合在什么样的温度区间工作 ， 为什么？答：温度比居里温度低太多时 ， p值太小 ， 不适宜器件工作 。
当温度接近居里温度时 ， p值 虽大 ， 但起伏大 ， 容易出现退极化 ， 若制作器件 ， 需通过电路措施来改善 。
只有温度离居里 温度不太远时 ， p值较大且比较恒左 ， 这一温度区间适宜作为热释电探测器的工作温度 。
这 一区间越宽越好 ， 接近室温更好 。

稿源：(未知)

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标题：光电子|光电子器件笔记