注意 ， 最末级（反相器）只 用于获得不反相的输出电平 。
0JI 1-AHA12GAGGAGAGGAFFFFAFAF图2-3基于TSPC原理构成的动态D触发器此电路的掩模板图如图所示 。
nMOS聶体管的器件尺寸 的宽长比为(W/L) = (1.5um/350nm) , pMOS晶体管的器件尺 寸的宽长比为(W/L) = (2. 1 um/350nm) o版图对应的工艺的 寄生参数可通过电路的提取决定 。
而提取的电路文件用 SPICE仿真来确定它的性能 。
仿真的TSPC DF 。

14、F电路的输入 ，输出波形如图2-5所示 。
可见 ， 电路可以工作在500MHz的 时钟频率上 。
因为他们的设计相对简单 ， 晶体管数目少喝运 行速度快高 ， 特别是在高性能设计中 ， 对于传统CMOS电路 来说基于TSPC电路时一种较好的选择 。
精品文档第三章0. 35um工艺基于TSPC原理的D触发器设计3.1电路图的设计3.1.1创建库与视图Iab1中创建的库与视图如果仍存在 ， 则没有必要再行 创建 ， 直接调用即可 。
在CIW中选择FileTopen,在弹出 窗口中选择如下：Library Name: ZFCeI I Name: DView Name: Schematic点击OK,打开Schemat i c Edit 。

15、ing的空白窗口 。
以下 步骤为创建库与视图的过程 。
在命令解释窗口 CIW中 ， 依次选择FileTNewTLibrary,打开 New Library 窗口 。
在New Library窗口中 ， Name栏输入库文件名ZF (可以自定义) ， 右侧工艺文件(Technology Fi le)栏中 ， 选择最下方的Don t need a techf i le,点击窗口左上角的AHA12GAGGAGAGGAFFFFAFAF精品文档OKo 在 CIW 中 ， 选择 fi leTnewTcel I view,打开 Create New File 窗口 。
在 Create New File 窗 口中 ， Library N 。

16、ame 选取为ZF （与刚才定义一致） ， CeI I Name 设置为 D, View Name 选取为 Schematic, Tool栏选取为Composer-Schematic,点击 OK,弹出 Schematic Editing 的空白窗口 。
3.1.2基于TSPC原理的D触发器电路原理图电路如图3-1所示AHA12GAGGAGAGGAFFFFAFAF3-1基于TSPC原理的D触发器电路原理图3.2创建D触发器版图3. 2.1设计步骤 在CIW中 ， 选择FileTOpen,参数设置如下：Library Name ZFCeI I Name DView Name Iayout点击OK,打开desi 。

17、gn的空白窗口 ， 以下编辑将实现D 版图结构如图所示 。
在LSW窗口中 ， 选择poIy drawing作为当前编辑层O 选择Create-Path或按盲键p,来绘制多晶硅栅 体 。
在design窗口中 ， 点击LMB,从坐标原点x = 0、y =0到x = 0、y = 4.8连线poly,之后双击LMB或按Return(Enter)键 ， 完成栅体绘制 。
在LSW窗口中 ， 选择nd iff drawing层为当前编辑 层 ， 选择Create-Rectang I e或按盲键门 ， 用以绘制扩散 区 。
在design窗口中 ， 选择不在同一直线的任意两点 ，点击LMB形成矩形扩散区 ， 矩形形状可在后续操作中调整 。
精品文档调 。

18、整 nd iff 与 poly path 选择Wi ndow- Create Ru I er或按盲键k,在设计 窗口中加入Ruler,以便精确控制版图尺寸 。
按Return键或点击LMB完成Ruler的添加 ， 可选 择 Window-Clear Al 137RuIers或按盲键K,删除添加的Rulero 选择Edit-Stretch或按盲键s,在设计窗口中 ，使用LMB选择需要调整的目标或目标的一部分 ， 选择后以高亮显示 ， 拖动鼠标 至合适位置后释放 ， 完成目标大小的调整 。
注意：调整path时 ， 确保只有path的中线高亮显示,否则 ， 有可能将path的宽度也进行了调整 。
绘制 Source 与 Drain 。

【触发器|D触发器的设计】19、 在LSW窗口中 ， 选择matall作为当前编辑层 ， 选 择Create-Rectang I e或按盲键r,绘制一个矩形 ， 用以AHA12GAGGAGAGGAFFFFAFAF精品文档源区金属连接 。
在LSW窗口中 ， 选择contact dg作为当前编辑层, 选择Create-Rectang I e或按盲键r,绘制两个正方形 ，作为源区接触孔 。
按照设计规则 ， 调整contacts与meta 11的位置 。
同时选择contacts与meta 11 （选择一个目标后按 Shift键 ， 继续选择其它目标 ， 操作与Windows系统相同） ， 选择EditTCopy或 按盲键c,因为mos器件的对称性 ， 可通过拷贝完成漏 。

20、区 的绘制 。
点击高亮显示的被选目标实现拷贝 ， 在空白处点击 LMB实现粘贴 。
按照设计规则 ， 利用Ruler和Stretch调整版图尺 寸 。
选择Opt ionsT Di splay或按盲键e,点亮Axes, 选择EditTMove或按盲键m 。
选择所有D版图的组件 ， 点击选中并放置到合适位 置 。
完成绘制后 ， 选择Des ign-*Save并关闭窗口 。
版图如下3. 2.2器件规格此电路的掩膜版图（用0. 35um COMS技术设计规则）如 图所示 ， nMOS晶体管的器件尺寸宽长比为（W/L ） n=（1.5um/0. 35um）, p MOS 晶体管的宽长比为（W/L ） p 二（2. 1um/0. 。

21、 35um） 。
版图对应工艺的等生参数可以通过电路 提取决定 。

稿源：(未知)

【傻大方】网址：/a/2021/0816/0023746577.html

标题：触发器|D触发器的设计( 三 )