21、chottkySchottky型缺陷 ， 型缺陷 ， NaCl ） 金属间化合物（反金属间化合物（反SchottkySchottky型缺陷）型缺陷） 22 氧化膜的完整性与保护性影响因素氧化膜的完整性与保护性影响因素 p 膜的完整性膜的完整性 PBR应该在应该在1-2之间；之间； p 膜的致密性膜的致密性 组织致密 ， 金属与组织致密 ， 金属与O2-离子扩散系数小 ， 电导率低；离子扩散系数小 ， 电导率低； p 膜的稳定性；膜的稳定性； p 膜与基体的附着性；膜与基体的附着性； p 薄膜与基体的膨胀系数越接近越好；薄膜与基体的膨胀系数越接近越好； p 薄膜的应力要小 ， 以免造成薄膜的机械损伤 。
薄膜的应力要小 ， 以免造 。

22、成薄膜的机械损伤 。
OX M M OX nA M V V ratioPB : 23 氧化动力学与机理氧化动力学与机理 p 动力学测量方法动力学测量方法 p 氧化的动力学规律氧化的动力学规律 p 氧化机理介绍氧化机理介绍 氧化速度的参量表征（金属消耗量、氧的消耗量、生成氧化物的量）氧化速度的参量表征（金属消耗量、氧的消耗量、生成氧化物的量） 氧化速度测定方法（质量法：连续氧化速度测定方法（质量法：连续/ /不连续称重 ， 热天平；容量法；不连续称重 ， 热天平；容量法； 压力法）压力法） 氧化膜生长速率表示方法（氧化膜生长速率表示方法（W-y W-y 关系推导）关系推导） 直线规律（直线规律（recti 。

23、linearrectilinear） 抛物线规律抛物线规律 (parabolic)(parabolic) 立方规律立方规律 (cubic)(cubic) 正正/ /反对数规律反对数规律 (logarithmic)(logarithmic) 循环氧化动力学循环氧化动力学 24 WagnerWagner理论理论 电化学模型：电化学模型： 2 2 2 2 :2 1 :2 2 1 : 2 AnodeMMe CathodeOeO OverallMOMO CtkCt nF nnMEkn y ynF nnMEkn dt dy y kSnnEn R E I nFS IM dt dy M Sdy nF Idt。

24、kSnnn y nnnkS y kSnn y kSn y RRR p ace ace ace ace aceace ei )(2 1)( )( )( ) 11 ( )( 2 25 由速度常数可对氧化过程分析如下：由速度常数可对氧化过程分析如下： p 当金属的氧化反应的当金属的氧化反应的G0 ， 即 ， 即K=0时 ， 为平衡态 ， 金属不能时 ， 为平衡态 ， 金属不能 进行氧化 ， 即不会生成氧化膜 。
当进行氧化 ， 即不会生成氧化膜 。
当G为负值时 ， 则为负值时 ， 则K随随E的增大而的增大而 增加 ， 说明氧化速度有增大的可能性；增加 ， 说明氧化速度有增大的可能性； p 当氧化膜的当氧化膜的值愈大 ， 则值愈大 ， 则Kp值愈大 ， 金属的氧化速 。

25、度愈大；反值愈大 ， 金属的氧化速度愈大；反 之之值愈小 ， 值愈小 ， Kp值愈小 ， 膜生长速度愈大；若生成的氧化物是绝缘值愈小 ， 膜生长速度愈大；若生成的氧化物是绝缘 的 ， 则氧化过程中止 。
这是耐热合金的理论依据之一 ， 说明通过加的 ， 则氧化过程中止 。
这是耐热合金的理论依据之一 ， 说明通过加 入高电阻（低比电导）的氧化物 ， 可显著提高合金的耐热性；入高电阻（低比电导）的氧化物 ， 可显著提高合金的耐热性； p当当n ne e= =n na a+ +n nc c时 ， 时 ， n ne e（n na a+ +n nc c）的值最大 ， 此时的值最大 ， 此时也最大 。
根据氧化膜也最大 。
根据氧化膜 中电子或离子迁移倾向的大小 ， 加入适当的合金 。

26、元素 ， 减少电子或中电子或离子迁移倾向的大小 ， 加入适当的合金元素 ， 减少电子或 离子的迁移速度 ， 从而提高合金的抗氧化性 。
离子的迁移速度 ， 从而提高合金的抗氧化性 。
p 通常半导体型氧化膜中 ， 电子导电比离子导电高通常半导体型氧化膜中 ， 电子导电比离子导电高10001000倍 。
离子倍 。
离子 迁移率是金属氧化的控制步骤 。
迁移率是金属氧化的控制步骤 。
WagnerWagner理论分析理论分析 26 提高合金抗氧化的可能途径提高合金抗氧化的可能途径 p 通过选择性氧化生成优异通过选择性氧化生成优异 的保护膜的保护膜 p 生成尖晶石结构氧化膜生成尖晶石结构氧化膜 p 减小氧化物的晶格缺陷浓减小氧化物的晶格缺陷浓。

27、度 ， 降低离子的扩散速度度 ， 降低离子的扩散速度 p 增强氧化膜与基体金属的增强氧化膜与基体金属的 附着力（稀土元素附着力（稀土元素Y Y、LaLa、 CeCe等）等） 合金元素与氧亲和力必须大于基体与氧的合金元素与氧亲和力必须大于基体与氧的 合金元素比基体离子半径小 ， 易于表面合金元素比基体离子半径小 ， 易于表面 扩散形成连续致密的保护膜扩散形成连续致密的保护膜 在极易产生扩散的温度下加热在极易产生扩散的温度下加热 尖晶石的熔点要高尖晶石的熔点要高 蒸气压要低蒸气压要低 离子扩散速度小离子扩散速度小 HauffeHauffe原子价规律原子价规律 n n型半导体：掺杂高价金属型半导体：掺杂高价金属 p 。

稿源：(未知)

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标题：金属腐蚀|金属腐蚀学总复习( 四 )