目前生长 KTP晶体的方法主要有熔盐法和水热法两种 。熔盐法生长的KTP晶体具有生长速度较快、成本低的优点 。但是,由于熔盐法的固有缺点(相对高的非恒定的生长温度、溶液的黏滞性很大、体系容易被环境污染等),此法生长出来的KTP晶体,其完整性、均匀性及纯度等均不如水热法生长的KTP晶体好,而且其抗激光损伤阈值较水热法 KTP要低一个数量级 。目前熔盐法生长的KTP晶体的抗激光损伤阈值一般为0.4~0.8GW/cm2,最高也只能达到 2GW/cm2,灰迹问题严重限制了它在中等以上功率激光器上的应用 。随着激光技术的飞速发展,对KTP晶体的抗激光损伤阈值要求越来越高(5GW/cm2,甚至10GW/cm2) 。这样,用盐熔法技术生长的KTP晶体就达不到这方面的要求,因此,开展用水热法生长高抗激光损伤阈值KTF晶体的技术研究就成为迫在眉睫的课题 。
1.KTP晶体生长工艺
KTP晶体生长的有关工艺参数如表1所列,在此生长条件下,KTP晶体沿(011)面的生长速度为0.15~0.17mm/d,生长出来的晶体透明、无色,无包裹体,外形良好,晶体尺寸可达40mm×25mm×25mm,如图2所示 。
表1 水热法生长KTP晶体的有关工艺参数
图2 水热法生长的KTP晶体
2.KTP晶体性能测试
(1)透过率
我们将水热法生长的KTP晶体按 λ=1064nm→532nm时的Ⅱ类相位匹配(θ=90°,φ=26°)关系将晶体加工成3mm×3mm×7mm的器件,在LAMBDA900分光光度计上测试了晶体从200~3000nm波段的通过率,如图3所示 。
【什么是非线性光学晶体?它的基本结构特征是什么?】图3 水热法KTP晶体的透过率曲线
从图3可以看出,水热法生长的KTP在450~2500nm波段内透过率曲线非常平坦,不存在任何吸收峰,且透过率超过80% 。从图上还可以看到,水热法生长的KTP晶体在2750nm波段附近存在由OH-引起的强烈吸收,这是水热法晶体的共性,与熔盐法 KTP晶体有很大不同 。但这一吸收峰并不影响水热法KTP晶体在Nd:YAG激光器1064nm波长倍频到532nm波长上的应用 。
(2)抗激光损伤阈值
对同一样品,我们进行了抗激光损伤阈值测试 。测试参数如表2所列 。
表2水热法KTP晶体抗激光损伤阈值测试参数
在样品的3个不同部位测量其损伤阈值,均为30mJ,根据公式:,可得脉冲宽度内平均面功率密度为9.5GW/cm2,该晶体064nm波长激光的损伤阈值为9.5GW/cm2 。
三、水热法合成氧化锌(ZnO)晶体
衬底材料是发展微电子产业的重要基础性材料,大尺寸、高质量的氧化锌(ZnO)晶体是研究制作GaN,ZnO等发光电子器件的重要衬底材料,特点是:作为Zn()薄膜的衬底材料,ZnO单晶具有任何其他衬底材料无法比拟的优势——同质外延,因此其应用潜力巨大,市场前景宽广 。可以预计,随着ZnO器件产业化的到来,对ZnO单晶的需求也会越来越大 。因此重视并发展大尺寸高质量ZnO单晶的生长技术,不仅可以为今天ZnO器件的研究提供合适的衬底材料,更重要的是为将来ZnO器件的产业化打下坚实的基础 。
1.氧化锌(ZnO)晶体生长工艺及生长结果
水热法生长ZnO晶体所用的原料是由分析纯ZnO粉末经等静压成型后在1200℃烧结而成的,有关的生长工艺参数见表3 。
表3氧化锌晶体的水热法生长条件
在上述条件下,我们已经生长出了尺寸达到25mm×25mm×10mm的Zn()晶体,其颜色为浅黄绿色,透明 。晶体外形呈规则的六角对称形状,主要显露面为 (图4) 。各方向的生长速度为:v (即[0001]方向)方向与-C(即 方向])方向生长速率差异明显,前者大约是后者的两倍,这是因为Zn()晶体本身具有极性,晶体+C面为带正电荷的Zn原子面,-C面为带负电荷的()原子面,所以溶液中的负离子生长基团在+C方向大于-C方向叠合速率 。从结果可以看到柱面 生长速率比较缓慢,这是目前用水热法生长更大尺寸的ZnO晶体所需要解决的关键问题之一
图4 水热法生长的ZnO晶体及其形貌示意图
2.氧化锌(ZnO)晶体性能测试
采用等离子体质谱分析(ICP-MS)对晶体+C部分新生长层中的杂质含量进行了分析,结果如表4所示 。从中可以看出由于没有使用高纯度的原料,造成晶体中杂质的含量比较大,特别是Al,Fe,K,Si,Pb等元素,其中的Au应是来自于黄金衬套管 。
表4水热法氧化锌晶体杂质元素分析结果
取晶体+C部分切片,对晶体(0001)面进行机械抛光后进行双晶摇摆曲线w扫描,所得到曲线如图5所示 。从中可看出,其半峰宽为FWHM值为60弧秒,考虑到仪器入射X射线发散角为12弧秒,所以结果表明该样品晶体结构完整性较好 。
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