cmos集成工艺为什么能将陷阱注入放到sti工艺之后_生活广记

CMOS 集成电路的基础工艺之一就是双阱工艺，它包括两个区域，即n-MOS和p-MOS 有源区，分别对应p阱和N阱，在进行阱注入时，产业内的主流技术多数采用倒掺杂技术来调节晶体管的电学特性，即首先采用高能量、大剂量的离子注入，注入的深度约为 1um，注入区域与阱相同，随后通过大幅降低注入能量及剂量，控制注入深度和掺杂剖面。阱的注入掺杂不仅可以调节晶体管的阈值电压，也可以解决CMOS 电路常见的一些问题，如闩锁效应和其他可靠性问题。
集成电路制造工艺的目录线路板制作方法
原料板——按照预定尺寸切割电路板——按照准备好的电路图用自动钻孔机钻孔——用抛光机抛光——预浸（3分钟）——水洗—用使油墨固化机75℃烘干——活化（5分钟）——通孔（通孔后的检查通孔效果）——固化机120℃烘干——用抛光机抛光——微蚀——水洗——加速水洗——用镀铜机镀铜25～30分钟（有效镀铜面积下镀铜电流：3A/0.01㎡）——抛光机抛光——75℃烘干——线路油墨丝?。ㄊ褂?0T丝网丝?。???5℃烘干——用曝光机曝光9秒（抽气，开灯，曝光）——显影机显影（在46℃下显影10秒左右）——水洗——烘干——微蚀——水洗——烘干——用镀锡机镀锡25～30分钟（有效镀锡面积下镀锡电流：1.5A/0.01㎡）——油墨脱膜（3～4分钟）——水洗——75℃烘干——用腐蚀机腐蚀（在56℃左右下腐蚀45秒左右）——水洗——抛光——烘干——刷阻焊油墨（1：3调配油墨，使用100T丝网印刷）——75℃烘干——曝光90秒——显影（10秒左右）——水洗——75℃烘干——刷字符油墨（1：3调配油墨，使用120T丝网印刷）——75℃烘干——曝光120秒——显影（10秒左右）——水洗——150℃固化烘干(10～15分钟)
总的来说你只要做好电路就可以了其他的都是代工厂家做的事情
【cmos集成工艺为什么能将陷阱注入放到sti工艺之后】
集成电路其实一句话说到底就是在多晶硅材料商硅是半导体添加五价或者三价元素形成PN结
在硅片上形成无数个PN结就可以了详细看电子技术基础
电子元器件的制作其实要看哪种了，比如三极管或者二极管再者可控硅等其实还是利用了PN结
电阻有很多种，有的是金属膜电阻有的是线绕电阻每个的工艺都不一样
电容也分很多种的，常见的有电解电容和涤纶电容和纸介电容等
第1章　概述
第2章　半导体材料
第3章　硅平面工艺流程
第4章　薄膜的制备
第5章　光刻技术
第6章　掺杂技术
第7章　金属化与平坦化
第8章　芯片封装与装配技术
附录A　术语表
参考文献