中国电子报英特尔“尚能饭否”？，7nm工艺“卡壳” 超出预期的营收往往能增强资本市场的信

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【中国电子报英特尔“尚能饭否”？，7nm工艺“卡壳”】

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超出预期的营收往往能增强资本市场的信心，带动股价市值的双重增长，可刚刚公布第二季度财报的英特尔却成了一个例外。明明手握营收同比增长19.53%、净利润同比增长22.16%的好成绩，股价却不升反降，在财报公布当天重挫16% 。
这一反常现象的原因，是英特尔在制程工艺上的再度“卡壳” 。英特尔CEOBobSwan在投资者电话会议中透露，其7nm技术进度已经落后内部计划一年，面向消费市场的7nmCPU将推迟到2022年末或者2023年初上市。
Swan同时表示，在制程研发上将更加务实，考虑使用自家代工，第三方代工厂代工，或者两者皆有的方式来生产芯片。作为公众视野中最为活跃的IDM ，英特尔考虑使用第三方代工的消息也“一石惊起千层浪” 。英特尔制程“卡壳”可能是哪些因素造成的？英特尔会失去在代工和计算领域的优势地位吗？
技术指标过于激进
越来越小的数字，是代工厂商制程迭代最直观的变化。虽然英特尔、三星、台积电都以“14 ， 10 ， 7”等数字来命名制程节点，可相应数字对应的指标却大不相同。
业界知名专家莫大康向《中国电子报》采访人员指出，英特尔从10nm开始制程进展缓慢，可能与其制程缩小过快以及采用钴材料有关。
所谓制程缩小过快，是指英特尔对晶体管密度的提升力度相对激进。按照摩尔定律， IC上可容纳的晶体管数目约每隔18个月便会增加一倍。可目前来看，最贴近每一代工艺提升一倍晶体管密度的厂商，是英特尔。其10nm晶体管密度是14nm的2.7倍。根据韩国媒体曝光的英特尔2019年投资者会议资料，英特尔7nm晶体管设计密度较10nm翻了一番。而台积电、三星并没有死守摩尔定律。根据市调公司ICKnowledge公布的数据测算，台积电10nm晶体管密度是14nm的1.8倍， 7nm（N7FF）的晶体管密度是10nm的1.8倍。三星10nm晶体管密度是14nm的1.6倍， 7nm晶体管密度（7LPE）是10nm的1.8倍。
因此，虽然台积电、三星已经实现了7nm的量产，但两家厂商的7nm晶体管密度略低于英特尔的10nm工艺。这也意味着，英特尔的7nm比台积电和三星的7nm更难实现。
为了推动摩尔定律在10nm以下继续发展，英特尔将目光转向了材料。在10纳米以下制程，以“铜”作为导线材料开始暴露导电速率不足等缺点，而钴的填满能力、抗阻力、可靠度正好能突破铜材料的瓶颈。资料显示，英特尔将在10纳米工艺节点的部分互连层上导入钴材料。
曾经，三星为了率先在7nm节点导入EUV技术，导致量产时间落后于台积电。如果说EUV的导入是“hard”模式，那材料的转变就是“hell”模式。不仅难以突破，还需要材料、设备、制造厂商的共同转变，可谓难上加难。
“如今英特尔正处于将连线金属材料由铜转向钴的阶段,遇到困难也很正常,因为材料变革总是很难的，责任也与设备供应商有关。 ”莫大康表示。
但是，作为首个在代工业务中采用HKMG和FinFet的厂商，英特尔对于半导体制程的贡献有目共睹。如果英特尔率先在钴材料取得突破，加上每一代产品都在晶体管密度、鳍片间距、栅极间距有着更优的指标，依然存在反败为胜的机会。只是，距离铜取代铝作为导线材料已经二十多年，英特尔何时能啃下这块“硬骨头” ，还难以预料。
IDM模式有利有弊
半导体制造主要有两个模式，一是纯做代工的Foundry（晶圆厂），二是自有设计、代工、封测的IDM 。台积电是当前市占率最高的Foundry ，而英特尔作为2019年营收最高的半导体厂商，也是当之无愧的IDM代表。

中国电子报 英特尔“尚能饭否”？，7nm工艺“卡壳”

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