11月22日消息 ， 据国外媒体报道 ， 上周六 ， 三星电子推出了多款与3纳米芯片制造工艺相关、有助于强化代工生态系统战略的设计工具和技术 。
根据此前消息 ， 三星电子的3纳米制程工艺将采用GAA技术 。 与基于FinFET技术的5纳米工艺相比 ， 三星首个3纳米GAA工艺节点的性能将提升30% ， 功耗将降低50% ， 芯片面积将减少35% 。
【芯片|三星电子推出3纳米芯片制造工艺设计工具和技术】今年10月份 ， 三星电子宣布 ， 它将于2022年上半年开始量产3纳米芯片 ， 这一时间表将在台积电之前 。 据悉 ， 台积电计划在2022年7月量产3纳米芯片 。 如果按照三星电子的计划 ， 它将成为全球第一家量产3纳米芯片的代工厂 。
上周 ， 外媒报道称 ， AMD和高通可能将成为三星3纳米芯片制程工艺的首批客户 。

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