|量子光刻，和3D全息光刻有什么区别？

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如果成功，大抵也是一项诺奖级的研究我最近聊过两次全息光刻，也提到过干涉光刻技术，有许多朋友问量子光刻怎么样了？量子光刻，这个概念是1999年由美国路易斯安娜州立大学的Jonathan Dowling（乔纳森·道林）和他的同事提出的，它是利用纠缠光子形成的干涉条纹来突破衍射极限。因此，量子光刻，更准确一点地说，可以叫做“量子干涉光刻” ，所以其局限性和我昨天提到的“干涉光刻”是类似的。只是量子光刻，可以突破光学波长对光刻分辨率的限制。原理上量子光刻的分辨率是由纠缠光子数N决定的，其等于经典瑞利极限/N 。
早在2000年，美国马里兰大学的Boto设计了由自发参数下转换 (SPDC) 产生的“纠缠”光子对在巧合计数实验中在瑞利极限的一半处产生双缝干涉图案。 2004年，物理学家则验证了双光子纠缠的量子光刻的物理机制。 Dowling博士在1988年获得科罗拉多大学数学物理博士学位后，一直从事量子物理研究，可惜已于2020年去逝。我看到Dowling教授和中国科研机构也有往来和合作，在多个国内单位任特聘教授。近年来，量子光刻并没有获得太多的关注。我想最主要的原因，一是目前EUV光刻的巨大发展，已经大大延迟摩尔定律；二是目前发展起来的EUV干涉光刻，也已经达到8nm的应用水平。
因此从技术角度而言，目前的干涉光刻瓶颈已经不在于传统光学极限，而更多地在于光源的提升、配套光刻材料的优化。从产业角度来看，目前DUV干涉光刻已经批量产业化， EUV干涉光刻产业化也已经成型，在大量的半导体、光学技术领域都将打开市场。而8nm EUV干涉光刻对应于成熟的8nm产业应用的爆发可能还需要3-5年。我想，未来几年， EUV干涉光刻依然会发展到更高的水平。

【|量子光刻，和3D全息光刻有什么区别？】而量子光刻短期内可能还无法达到基本的可应用的范畴--没有了强大的产业背景需求，短期内可能不太有太多的突破。相反， 3D全息光刻，则因为俄罗斯科学家的努力，已经在实验上得到了证明，并且由于其不依赖于复杂的光学设备、光学制造，更多的是依赖于光学的数学处理和计算来实现物理功能，并且具有较低的成本、更高的鲁棒性，我相信其量产是大势所趋。