内存芯片产值2018年将破1000亿美元,中国开始起航!( 二 )
这样的数字背后,最兴奋的当然是韩国企业,尤其是三星电子,毕竟它是DRAM内存、NAND闪存两大行业的双料老大,占据份额分别有45%、37%之多,SK海力士则分别占28%、10%。
换言之,仅仅是韩国两大巨头,就称霸了几乎四分之三的DRAM内存市场、几乎一半的NAND闪存市场。
标准PC和服务器处理器一直是行业龙头,但这两年完全被内存、闪存碾压,年产值预计只有508亿美元,年增幅仅5%。即便如此,这也是该行业连续两年创造新高了。
之后是计算芯片、无线通信芯片,分别为276、160亿美元左右。
简评:中国国家存储器基地位于武汉光谷 。存储器芯片市场是全球垄断最为严重的芯片细分市场,DRAM和NANDFLASH芯片市场长期被韩国美日垄断,尤其以韩国三星、SKHynix两家为首,共占据了DRAM市场和NANDFLASH市场70%和50%的市场份额。中国于2013年发布了自主研发的55纳米相变存储芯片,成为继美国和韩国后,全球第三个掌握相变存储技术的国家。