(2)溶解度的温度系数 。
(3)溶液的体积V和晶体生长表面积S之比 ， 简称体面比 。
一般来说 ， 在生长初期降温速度要慢 ， 到了生长后期可稍快些,2）流动法（温差法,基本原理：将溶液配制、过热处理、单晶生长等操作过程分别在整个装置的不同部位进行 ， 构成一个连续的流程 。
通过温度梯度 ， 形成过饱和溶液 ， 进行晶体生长 优点：大批量生产和培养大单晶并不受晶体溶解度和溶液体积的限制 ， 而只受容器大小的限制 缺点：设备复杂 ， 必须用泵 。

8、强制溶液循环流动,温度和过饱和度恒定 ， 因此晶体应力小；温度调节容易 ， 可以选择较低的生长温度 ， 宜于生长大晶体,3）蒸发法,基本原理：将溶剂不断蒸发移去 ， 而使溶液保持在过饱和状态 ， 从而使晶体不断生长 。
适合溶解度较大而溶解度温度系数很小或是具有负温度系数的物质 。
这种装置比较适合于在较高的温度下使用（60C以上,控制点 掌握好溶液蒸发速度 ， 使溶液始终处于亚稳过饱和区 ， 保证一定的过饱和度 。
特点 温度恒定 ， 因此晶体应力小； 蒸发量不易控制 ， 适宜于生长小晶体,4）电解溶剂法,原理：电解法分解溶剂 ， 除去溶剂 ， 使溶液处于过饱和状态,3.4 溶液中培养单晶生长条件的控制和单晶的完整性,在晶体具有完整性前提下 。

9、 ， 提高晶体生长速率和利用率是目标 籽晶： 以结构和成分完全相同的完整晶体的一部分作为籽晶最好 以结构和成分与生长晶体相似的晶体也可作为籽晶,溶液处理,1 溶液处理意义和目的 溶液是水溶性晶体生长的母体 ， 其状态决定了晶体生长特性和晶体质量 。
高度纯净 ， 减少杂质 ， 减少有害物质 。
2 溶液处理方法 选用试剂级原料 ， 蒸馏水或离子交换水配制溶液；用微米级以下过滤器过滤；调整pH值和掺质,介质对晶体生长的影响,实际晶体都是在一定的介质环境下生长的 ， 因此介质必然对晶体(外形和完整性)发生影响开展这方面的研究 ， 不仅对于培养优质单晶 ， 而且对于探讨实际晶体的形成问题都具有重要的意义 介质对从溶液中生长晶体的影响主要 。

10、包括以下几个因素：杂质、溶液中氢离子浓度(pH值)、温度、过饱和度和介质运动,杂质,杂质影响溶解度和溶液的性质 ， 例如改变溶解度或溶液的粘度 ， 使有利于晶体的生长 杂质也会显著地改变晶体的结晶习性(晶癖) 影响晶体质量： (i)进入晶休； (ii)选择性吸附在一定的晶面上； (iii)改变晶面对介质的表面能,氢离子浓度(pH,在水溶液中存在着大量的H和OH ， 溶液中的氢离子浓度对晶体生长的影响是很显著的 ， pH影响也是相当复杂的 pH影响溶解度 ， 使溶液中离子平衡发生变化 pH改变杂质的活性 ， 即改变杂质络合成水合状态 ， 使杂质敏化或钝化pH的作用也可能改变晶面的吸附能力 pH直接影响晶体生长 ， 通过改变各晶 。

【溶液法生长晶体 ppt课件|溶液法生长晶体ppt课件】11、向的相对生长速度 ， 引起晶体生长习性的变化,温度,生长温度对晶体的习性和质量都有影响 ， 可以利用生长习性随温度的变化 ， 选择合适的生长温度以获得所需要的晶癖,过饱和度 过饱和度是结晶的驱动力 ， 由于不同过饱和度会产生不同的生长机制 ， 过饱和度对晶体生长速度、质量和晶体外形影响都很大 介质的运动 对晶体生长速度和完整性都有显著的作用 ， 这种作用往往又和过饱和度紧密联系在一起 。
质量传输和热量传输的主要形式 。
它影响晶体生长动力学、杂质浮获、组分均匀性、形态稳定性和成核作用,过饱和度和介质运动,3.5 凝胶法晶体生长,原理：以凝胶作为扩散和支持介质 ， 使一些在溶液中进行的化学反应通过凝胶(最常用的是硅胶)扩散缓慢进行 。
通过反应物在凝胶中扩散、反应 ， 进行晶体生长 适于生长 1.溶解度十分小的难溶物质的晶体 2.对热很敏感(如分解温度低或熔点下有相变)的物质的晶体,凝胶是一种半固体、富液体、高粘滞性且含有微孔的二组分体系 ， 其中一个组分的分子键合成三维网络 ， 而另一组分通过渗透形成连续相,凝胶法晶体生长的特点,能有效地控制流体的对流、湍流及外界扰动 凝胶的微孔结构有过滤 。
隔离成核和抑制成核的作用 凝胶法一般是在近于室温下进行的 ， 所生长的晶体含有较少的热缺陷 ， 提高了晶体的完整性 凝胶法可降低化学试剂的扩散速度 ， 因此 ， 可以控制 溶质的扩散速率和成核速率 育晶装置简便 ， 化学试剂用量少 ， 生长晶体品种多 ，适用性广 。

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