文章图片



在芯片要进入3nm制程时 ， 三星与台积电似乎出现了分歧 ， 三星表示在3nm时要使用GAAFET晶体管 ， 而台积电则表示将继续使用当前的FinFET晶体管 。
FinFET晶体管其实是英特尔在2011年提出来的 ， 当时使用在22nm的芯片上 ， 后来台积电、三星均跟进 ， 在14nm/16nm时使用FinFET晶体管 ， 一直用到了现在 。

而在FinFET晶体管之前 ， 大家使用的是平面型MOSFET 。 那么每一代晶体管技术相比于前一代 ， 究竟有什么进步呢？一方面是可以大幅缩短晶体管的栅长 ， 这样让芯片制程更先进 。
另外一方面则是更先进的晶体管 ， 需要的电压更低 ， 这样可以大幅改善电路控制并减少漏电流（leakage） ， 降低功耗 ， 因为漏电流产生的功耗 ， 其实就是芯片的静态功耗 ， 甚至占到了芯片功耗的50%以上 。

不过大家也要注意一个情况 ， 那就是FinFET晶体管 ， 虽然英特尔在2011年就提出来了 ， 但国内其实是在中芯实现了14nm工艺的量产时 ， 才掌握了这一技术 ， 毕竟在28nm时 ， 还没有用到FinFET晶体管 。
但虽然掌握了这一项技术 ， 国内却一直没有建成一条完整的FinFET生产线 ， 大规模的使用FinFET技术来生产芯片 。
不过近日 ， 国内首条FinFET生产线 ， 终于要来了 ， 那就是中芯位于上海的中芯南方SN1项目 ， 总投资是90.59亿美元 ， 规划月产能 3.5 万片 ， 这是中国大陆第一条 FinFET 工艺生产线 ， 也是中芯国际 14 纳米及以下先进工艺研发和量产的主要承载平台 。

并且这一条FinFET生产线 ， 可不仅仅是只生产14nm的芯片 ， 是可以一直用到5nm的 ， 甚至如果中芯如果跟随台积电的脚步 ， 在3nm时使用FinFET晶体管的话 ， 使用到3nm都可以 。
【芯片|90亿美元，国内首条FinFET芯片生产线落户上海，可用到5nm】不知道大家对于这条生产线怎么看？当然 ， 现在中芯因为“实体清单”的原因 ， 10nm及以下的芯片制造设备被禁 ， 但相信只要努力坚持 ， 会有办法解决的 ， 你觉得呢？

来源：(互联网乱侃秀)

【】网址：/a/2021/0213/kd706577.html

标题：芯片|90亿美元，国内首条FinFET芯片生产线落户上海，可用到5nm