1、1、什么是半导体 2、半导体的三大特性 3、本征半导体和杂质半导体 4、PN结的形成,任务：认识二极管并能简单测试,问题： 1、二极管的外形有哪些？ 2、二极管怎么分类？ 3、二极管有什么特性？ 4、二极管有哪些应用？ 5、使用二极管有哪些注意事项？,(1) 加正向电压（正偏）电源正极接P区 ， 负极接N区,外电场的方向与内电场方向相反 。
外电场削弱内电场,耗尽层变窄,扩散运动漂移运动,多子扩散形成正向电流（与外电场方向一致）I F,正向电流,1-2-2 PN 结的单向导电性,(2) 加反向电压电源正极接N区 ， 负极接P区,外电场的方向与内电场方向相同 。
外电场加强内电场,耗尽层变宽,漂移运动扩散运 。

【伏安|N结的伏安特性及二极管的检测】2、动,少子漂移形成反向电流I R,P,N,温度一定 ， 本征激发产生的少子浓度一定 ， 故IR与外加反压几乎无关（反向饱和电流） 。
但IR受温度影响较大 。
,PN结加正向电压时 ， 可以有较大的正向扩散电流 ， 即呈现低电阻 ，我们称PN结导通； PN结加反向电压时 ， 只有很小的反向漂移电流 ， 呈现高电阻 ，我们称PN结截止 。
这就是PN结的单向导电性 。
,1-3 半导体二极管,1-3-1 半导体二极管的基本结构,PN 结加上管壳和引线 ， 就成为半导体二极管 。
,点接触型,面接触型,1-3-2 伏安特性,反向击穿电压VBR,死区电压 ， 硅管约0.5V,锗管约0.2V,导通压降: 硅管0.60.8V,锗管0.2 0.4V 。
,反向 。

3、饱和漏电流,二极管的反向击穿简介,二极管的简单测试,1、利用指针式万用表的欧姆档判断二极管性能的好坏； 2、利用指针式万用表的欧姆档判别二极管的阳极和阴极； 3、按要求写测试报告 。
,1-3-3 主要参数,1. 最大整流电流 IDM,二极管长期使用时 ， 允许流过二极管的最大正向平均电流 。
,3. 反向击穿电压VBR,二极管反向击穿时的电压值 。
击穿时反向电流剧增 ， 二极管的单向导电性被破坏 ， 甚至过热而烧坏 。
手册上给出的最高反向工作电压VBWM一般是VBR的一半 。
,2. 反向工作峰值电压VBWM,保证二极管不被击穿时的反向峰值电压 。
,4. 反向电流 IR,指二极管加反向峰值工作电压时的反向电流 。
反向电流大 。

4、 ， 说明管子的单向导电性差 ， 因此反向电流越小越好 。
反向电流受温度的影响 ， 温度越高反向电流越大 。
硅管的反向电流较小 ， 锗管的反向电流要比硅管大几十到几百倍 。
,5. 微变电阻（交流电阻） rD,vD,rD 是二极管特性曲线上工作点Q 附近电压的变化量与电流的变化量之比：,显然 ， rD是对Q附近的微小变化区域内的电阻 。
,介绍：二极管的直流电阻、导通电阻,6. 二极管的极间电容（结电容）,*二极管的两极间存在电容效应 ， 对应的等效电容由两部分组成：势垒电容CB和扩散电容CD 。
*,*势垒电容：势垒区是积累空间电荷的区域 ， 当电压变化时 ， 就会引起积累在势垒区的空间电荷的变化 ， 这样所表现出的电容是势垒电容 。
,电容效应 。

5、：当外加电压发生变化时 ， 耗尽层的宽度将随之改变 ， 即PN结中存储的电荷量要随之变化 ， 就像电容充放电一样 。
,PN结高频小信号时的等效电路：,势垒电容和扩散电容的综合效应,电容效应在交流信号作用下才会表现出来 。
, 从二极管的主要参数中可得出二极管单向导电性失败的场合及原因 ,1、正向偏压太低 。
（不足以克服死区电压） 2、正向电流太大 。
（会使PN结温度过高烧毁） 3、反向偏压太高 。
（造成反向击穿） 4、工作频率太高 。
（使结电容容抗下降而反向不截止）,特殊二极管及其应用,实际二极管：死区电压 0.5V ， 正向压降0.7V(硅二极管) 理想二极管：死区电压=0， 正向压降=0,二极管的应用举例1：二极管半波整流,实际应用中利用二极管的单向导电性 ， 典型应用有整流、限幅、保护等 。
,二极管的应用举例2：波形转换,1、PN结的单向导电性 。
2、两种结构的二极管 。
3、二极管的伏安特性 。
4、二极管电路应用举例 。
,作业： P.21. 1-2 1-3 1-4 1-5 二极管测试小结 。

来源：(未知)

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标题：伏安|N结的伏安特性及二极管的检测