7、= I2(XL XC)=0电感上和电容上的无功功率为：Q L= Q C = UC I= UL I在工程实际应用中a.谐振回路的有功损耗还有电晕、电导损耗、频率损耗等 ， 故有功损耗将会大于I2R 。
b.谐振回路中的电阻是等效出来的 ， 其实际是电抗器的内阻rL和电容器的等效损耗电阻rC之和 ， 所以工程中所测电压和电流之积为电抗器或电容器上的视在功率 。
c.谐振回路中的电源提供容量（有功功率等于视在功率） ， 为电抗器上所产生容量的1/Q倍（Q为谐振回路的品质因素） 。
1.2并联谐振由电感（感性试品）与电容（容性试品）以及中压电源并联组成 。
改变回路参数或电源频率 ， 回路即可调谐至谐振 ， 同时将有一个幅值远大于电源电流 ，。

8、且波形接近于正弦波的电压加在试品上 。
谐振条件和试验电压的稳定性取决于电源频率和试验回路特性的稳定性 。
当试品放电时 ， 电源输出的电流较小 ， 从而限制了对试品绝缘的损坏 。
1.3谐振电抗器用于同试品电容进行谐振 ， 以获得高电压或大电流的电抗器 。
1.4电容分压器采用电容元件 ， 由高压臂和低压臂组成的转换装置 。
输入电压加到整个装置上 ， 而输出电压则取自低压臂 。
通常低压臂输出电压恒定为100VAC 。
1.5励磁变压器用于给谐振电抗器、试品提供能量的变压器 。
1.6变频电源可连续调整输出频率和电压的电源转换设备 。
1.7峰值表能够测量交直流电压的各种参数的仪表 。
峰值表常与分压器组合 ， 测量高电压的1.8高压电流流过谐振电抗器 。

9、、试品的电流 ， 等于谐振回路电流 。
1.9励磁电压励磁变压器的输入电压 。
1.10励磁电流励磁变压器的输入电流 。
1.11电压比（占空比）在变频电源的逆变电路中 ， 逆变电路为开关电路 ， 电压的调节是以开关开通的时间来控制的 。
电压比指的是开关开通时间与关断时间之比 。
在串联谐振回路 ， 电压比是相对量 ， 相对控制变频电源输出电压或容量 。
1.12 品质因素（Q值）试品所获得的容量与励磁变压器输出容量之比 。
在串联谐振回路 ， 可用试品的电压值与励磁变压器的输出电压之比或串联谐振回路的无功与有功之比代替 。
品质因素主要取决于谐振电抗器的品质因素 ， 约等于谐振电抗器的感抗与直流电阻之比 。
1.13试验电压值试验电压值指其峰值除以21 。

10、.14容许偏差在整个试验过程中试验电压的测量值应保持在规定电压值的1以内；当试验持续时间超过60s时 ， 在整个试验过程中试验电压测量值可保持在规定电压值的3以内 。
四、 各类变频电源及原理变频电源通常是交直交电路 ， 即交流电源经过半导体整流后变换成直流 ， 然后再通过半导体逆变电路变换成交流 ， 通过控制逆变电路可以改变逆变输出的频率和电压 。
在交流电源变换成直流电时 ， 通常采用全桥（可控）整流 ， 通过电容组虑波 。
直流变换交流有多种控制方式和多种逆变功率器件 ， 但逆变电路相同 ， 如图4-14.1推挽式变频电源（低干扰）早期的大功率逆变电路采用几百个或更多功率放大晶体管串并联组成 ， 通过控制放大晶体管的基极时间和电流控制 。

11、输出电压、电流和频率 。
由于该类逆变采用较多晶体管串并联 ， 故电路的可靠性降低 ， 在实际应用中 ， 晶体管损坏较多 。
但该变频电源由于采用推挽方式 ， 可用在低干扰要求的场合 ， 如局放测量等 。
4.2低干扰变频电源 随着大功率半导体器件的应用有上述原理可知 ， 变频电源的输出的波形并不是正弦波 ， 其基波是方波 ， 那么试验电压波形是如何满足1失真度的要求呢 。
我们从高压谐振回路来分析 ， 当串联谐振回路产生谐振时 ， 其激励频率只有一个 ， 即为变频电源的基波频率 ， 且该频率的电压被放大Q倍 ， 而非谐振频率则被衰减Q倍变频串联谐振原理五、 电力系统试验简介现给出人身与带电体的最小安全距离 ， 以供试验时参考 。
试验时带电体与试验人员的距离不得小于 。

12、规定距离 。
带电体电压（kV）10及以下3560110154220330500最小安全距离（m）0.40.60.71.01.41.82.63.6VFSR系列变频串联谐振成套试验装置一、 产品简介图、变频串联谐振试验成套装置原理图VF: 变频电源 T: 励磁变压器L: 试验电抗器 Cx: 试品 C1、C2: 分压器 其中C1为分压器高压臂、C2为分压器低压臂 MOA1： 避雷器主交流电送入变频电源 ， 经整流转换为幅值恒定的直流电压,直流电压经变频电源逆变器调制变为频率脉宽 (或称占空比)可调的方波 ， 整个控制过程由计算机完成 。

来源：(未知)

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标题：变频|变频串联谐振现场试验技术( 二 )