1、场效应管教程 1.4.1 结型场效应管结型场效应管 1.4.3 场效应管的主要参数场效应管的主要参数 1.4.4 场效应管与晶体管的比较场效应管与晶体管的比较 1.4.2 绝缘栅型场效应管绝缘栅型场效应管 场效应管教程 场效应半导体三极管是仅由一种载流子参与导电 的半导体器件 ， 是一种用输入电压控制输出电流的的半 导体器件 。
从参与导电的载流子来划分 ， 它有电子作为 载流子的N沟道器件和空穴作为载流子的P沟道器件 。
从场效应三极管的结构来划分 ， 它有两大类 。
1.结型场效应三极管JFET (Junction type Field Effect Transister) 2.绝缘栅型场效应三极管IGFET 。

2、 ( Insulated Gate Field Effect Transister) IGFET也称金属氧化物半导体三极管MOSFET （Metal Oxide Semiconductor FET） 场效应管教程 N沟道沟道 P沟道沟道 增强型增强型 耗尽型耗尽型 N沟道沟道 P沟道沟道 N沟道沟道 P沟道沟道 （耗尽型）（耗尽型） FET 场效应管场效应管 JFET 结型结型 MOSFET 绝缘栅型绝缘栅型 (IGFET) 分类：分类： 场效应管教程 1.4 结型场效应管结型场效应管 结构结构 工作原理工作原理 输出特性输出特性 转移特性转移特性 主要参数主要参数 一、一、 JFET的结构和 。

3、工作原理的结构和工作原理 二、二、 JFET的特性曲线及参数的特性曲线及参数 场效应管教程 1.4.1 1.4.1 结型场效应三极管结型场效应三极管 结构 它是在N型半导体硅片的两侧扩散高浓度P离 子区 ， 形成两个PN结夹着一个N型沟道的结构 。
P区即为栅极 ， N型硅的一端是漏极 ， 另一端 是源极 。
导电沟道： 漏源之间的 非耗尽层区域 。
场效应管教程 源极源极 ， 用用S或或s表示表示 N型导电沟道型导电沟道 漏极漏极 ， 用用 D或或d表示表示 P型区型区P型区型区 栅极栅极 ， 用用G 或或g表示表示 栅极栅极 ， 用用G 或或g表示表示 符号符号符号符号 JFET的结构和工作原理的结构和工作原理 结构：结构 。

4、： 场效应管教程 一、结型场效应三极管的工作原理一、结型场效应三极管的工作原理 根据结型场效应三极管的结构 ， 只能工作在 反偏的条件下 ，N沟道结型场效应三极管只能工作在负栅压 （uGS0 ， 实现栅源电压对漏极电流的控制 。
现以N沟道为例说明其工作原理 。
场效应管教程 1、栅源电压对沟道的控制作用、栅源电压对沟道的控制作用 uDS=0 ， uGS对导电沟道的控制： uGS=0 ， 导电沟道宽； uGS0 ， 漏、源间将形成多子的漂移运动 ， 产生漏 极电流iD ， （负值）uGD=uGS-uDS将随之变化（减小） 。
靠近漏极处的耗尽层加宽 ， 沟道变窄 ， 从左至右呈楔形 分布 ， 如图所示 。
场效应管教程 当uDS增加 ， uGD 。

5、反偏电压增加 ， 沟道电阻取决于 （栅源电压一定）uGS ， iD随uDS线性增大 ， 漏源间 呈电阻特性 。
（负值）uGD=（负值）U GS(off)时 ， 靠漏极处出现预 夹断 ， 如图 (b)所示 。
当uDS继续增加 ， 漏极处的夹 断继续向源极方向生长延长 。
（负值）uGD （负值）U GS(off)时 ， 沟道夹断使iD减 小；漏源间电场使iD增大 。
则uDS变化iD几乎不变 ， 只与uGS有关 。
恒流特性 。
场效应管教程 场效应管教程 VGS对沟道的控制作用对沟道的控制作用 当当VGS0时时 （以（以N沟道沟道JFET为例）为例） 当沟道夹断时 ， 对应当沟道夹断时 ， 对应 的栅源电压的栅源电压VGS称为称为夹断夹断 电压 。

6、电压VP （ 或或VGS(off) ） 。
） 。
对于对于N沟道的沟道的JFET ， VP 0 。
PN结反偏结反偏耗尽层加厚耗尽层加厚 沟道变窄 。
沟道变窄 。
VGS继续减小 ， 沟道继续减小 ， 沟道 继续变窄继续变窄 当当VGS=0时 ， 时 ， VDS ID G、D间间PN结的反向电结的反向电 压增加 ， 使靠近漏极处的压增加 ， 使靠近漏极处的 耗尽层加宽 ， 沟道变窄 ， 耗尽层加宽 ， 沟道变窄 ，从上至下呈楔形分布 。
从上至下呈楔形分布 。
当当VDS增加到使增加到使VGD=VP 时 ， 在紧靠漏极处出现预时 ， 在紧靠漏极处出现预 夹断 。
夹断 。
此时此时VDS 夹断区延长夹断区延长 沟道电阻沟道电阻 ID基本不变基本不变 3、uGS和 。

7、和uDS同时作用时同时作用时 当当uGDU GS(off)时 ， 时 ，uGS对iD的影响： 导电沟道夹断 ， 漏导电沟道夹断 ， 漏 电流对应栅源电压 。
实电流对应栅源电压 。
实 现电压控制电流 。
现电压控制电流 。
对于同样的对于同样的uDS，iD 的值随的值随uGS减小而减小减小而减小 。
对应电流放大系数对应电流放大系数 是是低频跨导低频跨导gm 。

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