IRF540就是很常用的MOS管了
特殊负载如H桥里面的双MOS驱动
有专用的驱动芯片如IR2103
如果只是单个MOS管的普通驱动方式
像这种增强型NMOS管直接加一个电阻限流即可 。
由于MOS管内部有寄生电容
有时候为了加速电容放电，会在限流电阻反向并联一个二极管
如图
CPAL
MOS管内阻很小 ， 普通的有 40mΩ 左右 ， 导通电流支持20A；好的能到4mΩ左右，导通电流支持80A；
10A电流 在普通的 MOS管上产生的压降为 0.4V，不足以影响负载吧？门极导通电压为2.1V~4V ， 标称3V；3.7V的锂电池，饱和是4.2V ， 选择3.3V工作的单片机，足够驱动了 。
真正要考虑的是电池的负载能力，10A的瞬态输出，及3A的持续输出，电池负载能力不足的话，电压会瞬间跌落，很可能低于3V 。解决方法：
①增大电源电路的退耦电容容量；
优点：在电池电压下跌的瞬间，释放大量电量维持电压，保持单片机正常工作；
缺点：治标不治本，电容电量来自电池，充电时会消耗大量电池电量 ， 需要常充电的电池；
②采用负载输出能力强的电池；
优点：从根本上解决负载能力不足导致电压下跌的现象；
【单片机PWM驱动mos管】
缺点：造价不便宜；

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