在半导体晶圆代工上 ， 台积电一家独大 ， 从10nm之后开始遥遥领先 ， 然而三星的追赶一刻也没放松 ， 今年三星也量产了5nm EUV工艺 。 三星计划在2年内追上台积电 ， 2022年将量产3nm工艺 。
从2019年开始 ， 三星启动了一个“半导体2030计划” ， 希望在2030年之前投资133万亿韩元 ， 约合1160亿美元称为全球最大的半导体公司 ， 其中先进逻辑工艺是重点之一 ， 目标就是要追赶上台积电 。
在最近的几代工艺上 ， 三星的量产进度都落后于台积电 ， 包括10nm、7nm及5nm ， 不过5nm算是缩短了差距 ， 今年也量产了 ， 此前也获得了高通、NVIDIA、IBM等客户的8nm、7nm订单 。
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但三星追赶台积电的关键是在下一代的3nm上 ， 因为这一代工艺上三星押注了GAA环绕栅极晶体管 ， 是全球第一家导入GAA工艺以取代FinFET工艺的 ， 而台积电比较保守 ， 3nm还是用FinFET ， 2nm上才会使用GAA工艺 。
最新消息称 ， 三星半导体业务部门的高管日前透露说 ， 三星计划在2022年量产3nm工艺 ， 而台积电的计划是2022年下半年量产3nm工艺 ， 如此一来三星两年后就要赶超台积电了 。
【2年后追上台积电 三星计划2022年量产3nm：首发GAA工艺】值得一提的是 ， 台积电也似乎感受到了三星的压力 ， 原本计划2024年才推出2nm工艺 ， 现在研发顺利 ， 2023年下半年就准确试产了 。
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稿源：(未知)

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标题：2年后追上台积电 三星计划2022年量产3nm：首发GAA工艺