7、合系数,方程,可简化为,注意n(t)既表示过剩多数载流子也表示过剩少数载流子,在小注入时是一个常数,在某种注入下 ， 产生的过剩载流子的数量显著低于热平衡时的多子浓度 ， 此时称小注入 。
在小注入下 ， 半导体的导电性仍然由自身的掺杂条件所决定,小注入条件,在小注入条件下 ， 公式可简化为（以p型半导体为例,过剩少数载流子的寿命,讨论,过剩载流子由外界的附加激发产生 ， 而且对其有一响应过程,过剩少数载流子寿命）的意义,载流子浓度,p+n(0,t=0,n+n(0,n()= 1/e*n(0,dn(t) 表示在衰减过程中从dt 时间内复合掉的过剩电子数目 ， 也就是说当外界激发在t=0时刻去除后 ， (n) 个过剩载流子并不 。

8、是瞬间即消失的 ， 其中dn() 个载流子是“生存”了这么长时间后才消失的,过剩少数载流子的复合率,由于电子和空穴为成对复合 ， 因而,对于n型半导体的小注入条件,过剩少数载流子空穴的寿命为,注意过剩少数载流子寿命和多数载流子浓度有关,Generation and recombination mechanisms,Band-to-band G needs lots of carriers;
important only in heavily-doped semiconductors,c) Trap-assisted generation and recombination, relying on el 。

9、ectronic states in middle of gap (”deep levels” or ”traps”) that arise from: crystalline defects impurities,d) Trap-assisted G/R is: dominant in Si engineerable: can introduce deep levels to Si to enhance it,d) Other generation mechanisms Impact ionization: Auger generation event triggered by electr 。

10、ic-field-heated carrier Zener tunneling or field ionization: direct tunneling of electron from VB to CB in presence of strong electric field,Energetic particles Energetic electrons incident from outside: electron microscope characterization techniques,影响载流子寿命的产生与复合机制,直接带隙材料主要的复合机制（GaAs）辐射复合,运动着的电子和空 。

11、穴相遇 ， 电子由导带某一状态 ， 跃迁到价带空穴所占据的一个状态 ， 同时以一定形式（光于或声子）释放能量,通过产生复合中心的间接产生与复合过程,间接带隙材料主要的复合机制非辐射复合,载流子运动 ， 经过某一缺陷或杂质中心时 ， 被其俘获 ， 然后这一中心再俘获另一相反类型的载流子 ， 完成复合,带间俄歇产生-复合（三粒子过程,载流子从高能级向低能级跃迁 ， 经过带间复合后 ， 载流子多余的能量传递给另一个载流子（电子、空穴） ， 并导致该粒子的跃迁 ， 激发到更高的能级上去 。
当重新跃迁回低能级时 ， 多余的能量常常以声子的形式放出,对于窄禁带半导体起着重要的作用 。
还存在与杂质或缺陷能级有关的俄歇复合过程非辐射复合,表面复合,在半导体的表面 ， 禁带中存在着大量的表面能级 ， 它们的存在可以大大促进表面附近的过剩载流子的复合,表面的存在 ， 加速了过剩载流子的复合 ， 总体来说 ， 使得过剩载流子的平均等效寿命降低了,从能带理论来看 ， 表面是一个非理想（非周期性）区域 ， 因而表面的性质和体内有很大的不同,很显然 ， 当材料尺寸缩小到表面原子数和体内原子数可以相比拟的时候 ， 材料的性质将极大的受表面性质所影响而表现出和体材料理论所完全不同的性质 。

来源：(未知)

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标题：第六章1 载流子的产生与复合|半导体物理学第六章1载流子的产生与复合( 二 )