按关键词阅读: IC 半导体 现状 发展 清洗
关东化学CMP后 。
7、清洗液包括酸性和碱性两种产品 , 其生产体系可以同时满足两种用户的需求 。
最近 , 具有突破性的碱性新药液“CMP-B200系列”受到用户好评 , 该药液解决了以前的酸性药液和碱性药液不能兼顾的问题 。
还开发了两种具有不同碱性主成份的产品“CMP-B201”和“CMP-B202” 。
据称该产品对颗粒和金属沾污具有很好的清洗能力 , 在阻挡层金属CMP后清洗工序中得到了用户的好评 。
此外 , 由于可以在100倍以上的稀释倍率下使用 , 因此可以降低运行成本 。
在前道工序(FEOL:Front-End-Of-Line)方面 , 用于代替RCA清洗液的产品有“Frontier Cleaner系列” 。
由于双氧水的供给曾经一度受到日本福岛大 。
8、地震的影响 , 以此为契机 , “A系列”酸性清洗液作为RCA清洗液的替代品而订单急增 。
而且 , 由于可以在一道工序内同时完成对颗粒和金属沾污的清洗 , 最近用于SiC产品的订单也有所增加 。
在后道工序(BEOL:Back-End-Of-Line)方面 , 拥有用于去除各种干法刻蚀残渣的清洗液 , 最近又增加了 “JELK系列”新产品 , 除了用于去除残渣外 , 还可用于抗蚀剂剥离 。
在具有良好的残渣去除性能的基础上 , 通过更换防蚀剂 , 可以分别适用于Cu配线和Al配线 , 而且对于二者都可以实现良好的防腐蚀性能 , 且该产品不含有违反消防法的羟胺 。
这一产品的开发主要是针对难以剥离的高剂量抗蚀剂 , 也可以适用于干膜抗蚀剂、正复型抗蚀剂之类厚膜 。
9、抗蚀剂的剥离 , 同时在LED和MEMS领域也有一定量的订单 。
除此之外 , 在半导体后工程领域 , 凸点刻蚀用高速无电解镀金液以及Cu、Au刻蚀液等产品的销量不断提升 。
该公司长期从事印刷电路基板用电解液的生产 , 这方面的经验可以推广应用到半导体后工程领域 。
Stella-Chemifa公司的优势产品是高纯度氢氟酸和高性能缓冲氢氟酸 , 其中氢氟酸约占60% , 缓冲氢氟酸约占40% 。
在日本、韩国的主要内存厂商中拥有垄断地位 , 在内存应用市场占有约60-70%的份额 。
2011至2012年来自韩国内存厂商的需求继续增加 , 而其它方面的需求则有所减少 , 总体基本保持高位平衡 。
供货的企业还包括台湾的UMC(联华电子)、美国GLOB 。
10、AL FOUNDRIES的新加坡工厂、太阳电池企业德国Q.CELLS以及挪威可再生能源公司REC 。
除此之外 , 正在接受美国IMFS(Intel与Micron的合资公司)新工厂的产品评测 。
此外 , 产品应用还在向高精细中小型液晶领域延伸 。
生产工厂有两处 , 分别是日本的三宝工厂(堺市堺区)和新加坡工厂 。
两家工厂分别于2010年和2011年通过改善生产效率提升了产能 。
目前日本三宝工厂的年产能为62000吨 , 新加坡工厂为12000吨 。
此外 , 还与三菱化学合资在日本北九州市建设了新工厂 , 该工厂设立的目的是为了对冲东日本大地震的风险 , 预计2014年4月投产 , 计划生产能力为年产20000吨 。
产品按纯度从低到高依次分为 。
11、IC、SA、SAX、SAXX、SAXXX等多个级别 。
其中 , IC和SA主要面向太阳能电池领域 , SA以上各级主要供给液晶和半导体厂商 , 而SA和SAX级约占到了总量的80% 。
SA级仍是主导产品 , 高端制造商多采用SAX级 , 而SAXX级向三星的供给量正在增加 。
新产品方面 , 开发了硅氧化膜刻蚀液“LPL系列”和“HSN系列” , 前者可以将多晶硅刻蚀损失减少到一般产品的约百分之一(相当于本公司现有产品的约十分之一) , 后者在DRAM的电容制程中可以实现对硅氧化膜的高选择性去除 , 这两种产品目前正在接受顾客的产品评测 。
此外 , 用于氧化铈抛光液的CMP后清洗液“PC系列”也正在接受现有客户的产品评测 。
DaiKin工业公司 。
12、拥有氢氟酸和缓冲氢氟酸的核心技术 , 产品包括以氟化物为基础的“Zielex”系列多种药液 。
2011年度面向内存的市场需求良好 , 下半年尽管已经表现出经济放缓的动向 , 销售收入仍实现了同比3-4%的正增长 。
2012年国内外需求回落 , 但是内存领域需求稳定增长 , 因此上半财年预计同比增长4-5% 。
尽管下半财年形势很难预测 , 但预计全年仍可实现同比增收 。
生产场所包括日本国内和台湾两处工厂 , 台湾工厂主要面向当地需求 , 拥有较高市场份额 。
今后将以国内和台湾两处工厂为中心 , 拓展台湾以及韩国市场 。
来源:(未知)
【学习资料】网址:/a/2021/0413/0021924228.html
标题:半导体|半导体IC清洗液发展现状( 二 )