55、专用寄存器PCON即电源控制寄存器中的PDPCON1和IDLPCON0位来实现的PD 是掉电模式当PD 1 时激活掉电工作模式单片机进入掉电工作状态IDL是空闲等待方式当IDL 1激活空闲工作模式单片机进入睡眠状态如需同时进入两种工作模式即PD和IDL同时为1则先激活掉电模式在空闲工作模式状态CPU保持睡眠状态而所有片内的外设仍保持激活状态这种方式由软件产生此时片内RAM和所有特殊功能寄存器的内容保持不变空闲模式可由任何允许的中断请求或硬件复位终止终止空闲工作模式的方法有两种其一是任何一条被允许中断的事件被激活IDLPCON0被硬件清除即刻终止空闲工作模式程序会首先响应中断进入中断服务程序执行 。

56、完中断服务程序并紧随RETI中断返回指令后下一条要执行的指令就是使单片机进入空闲模式那条指令后面的一条指令其二是通过硬件复位也可将空闲工作模式终止需要注意的是当由硬件复位来终止空闲工作模式时CPU 通常是从激活空闲模式那条指令的下一条指令开始继续执行程序的要完成内部复位操作硬件复位脉冲要保持两个机器周期24个时钟周期有效在这种情况下内部禁止CPU访问片内RAM而允许访问其它端口为了避免可能对端口产生意外写入激活空闲模式的那条指令后一条指令不应是一条对端口或外部存储器的写入指令掉电模式在掉电模式下振荡器停止工作进入掉电模式的指令是最后一条被执行的指令片内RAM 和特殊功能寄存器的内容在终止掉电模 。

57、式前被冻结退出掉电模式的唯一方法是硬件复位复位后将重新定义全部特殊功能寄存器但不改变RAM中的内容在Vcc恢复到正常工作电平前复位应无效且必须保持一定时间以使振荡器重启动并稳定工作空闲和掉电模式外部引脚状态程序存储器的加密AT89C51 可使用对芯片上的3 个加密位LB1LB2LB3 进行编程P或不编程U来得到如下表所示的功能加密位保护功能表注表中的U 表示未编程P 表示编程当加密位LB1 被编程时在复位期间EA端的逻辑电平被采样并锁存如果单片机上电后一直没有复位则锁存起的初始值是一个随机数且这个随机数会一直保存到真正复位为止为使单片机能正常工作被锁存的EA 电平值必须与该引脚当前的逻辑电平一 。

58、致此外加密位只能通过整片擦除的方法清除Flash闪速存储器的编程AT89C51 单片机内部有4k 字节的Flash PEROM这个Flash 存储阵列出厂时已处于擦除状态即所有存储单元的内容均为FFH用户随时可对其进行编程编程接口可接收高电压12V或低电压Vcc的允许编程信号低电压编程模式适合于用户在线编程系统而高电压编程模式可与通用EPROM编程器兼容AT89C51单片机中有些属于低电压编程方式而有些则是高电压编程方式用户可从芯片上的型号和读取芯片内的名字节获得该信息见下表AT89C51的程序存储器阵列是采用字节写入方式编程的每次写入一个字节要对整个芯片内的PEROM程序存储器写入一个非空字 。

59、节必须使用片擦除的方式将整个存储器的内容清除编程方法编程前须按表6和图6所示设置好地址数据及控制信号编程单元的地址加在P1口和P2口的P20P2311位地址范围为0000H0FFFH数据从P0口输入引脚P26comP37的电平设置见表6PSEN为低电平RST保持高电平EAVpp 引脚是编程电源的输入端按要求加上编程电压ALEPROG引脚输入编程脉冲负脉冲编程时可采用420MHz的时钟振荡器AT89C51编程方法如下1在地址线上加上要编程单元的地址信号2在数据线上加上要写入的数据字节3激活相应的控制信号4在高电压编程方式时将EAVpp端加上12V编程电压5每对Flash存储阵列写入一个字节或每写 。

60、入一个程序加密位加上一个ALEPROG编程脉冲改变编程单元的地址和写入的数据重复15步骤直到全部文件编程结束每个字节写入周期是自身定时的通常约为15ms数据查询AT89C51单片机用数据查询方式来检测一个写周期是否结束在一个写周期中如需读取最后写入的那个字节则读出的数据的最高位P07是原来写入字节最高位的反码写周期完成后有效的数据就会出现在所有输出端上此时可进入下一个字节的写周期写周期开始后可在任意时刻进行数据查询ReadyBusy字节编程的进度可通过RDYBSY输出信号监测编程期间ALE变为高电平H后P34RDYBSY端电平被拉低表示正在编程状态忙状态编程完成后P34变为高电平表示准备就绪状 。

61、态程序校验如果加密位LB1LB2没有进行编程则代码数据可通过地址和数据线读回原编写的数据采用下图的电路程序存储器的地址由P1 和P2 口的P20P23输入数据由P0口读出P26comP37的控制信号见表6PSEN保持低电平ALEEA和RST保持高电平校验时P0口须接上10k左右的上拉电阻表6 Flash 存储器编程真值表注片擦除操作时要求PROG脉冲宽度为10ms图5编程电路 图6校验电路加密位不可直接校验加密位的校验可通过对存储器的校验和写入状态来验证Flash存储器编程和校验时序图7高电压编程和图8低电压编程Flash存储器编程和校验的波形时序高电压编程VPP 12VFlash存储器编程和 。

稿源：(未知)

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标题：AT89C51|AT89C51外文翻译毕业设计( 五 )