21、(2)式中 ，p (0)为t=0时刻的非平衡载流子浓度 。
此式表达了非平衡载流子随时 间呈指数衰减的规律 。
得证 。
18dxk0Tdx5-6、证明：假设这是n型半导体 ， 杂质浓度和内建电场分布入图所示E内稳态时 ， 半导体内部是电中性的 ， Jn=0即-J n-Dnq - nq%Ex = 0dx对于非简并半导体Ec x 二 Ec 0-qV x 2Ec x耳qV xkoT丿Edx Dnn(x)丄叮dV(x)nDn J4 式=5 式 =n x nn x 5dxDndxDnk0T所以 n x = Nc e kT 二 n 0 k0T ； ：.3由3 =也二旦曲心 ， 4这就是非简并半导体满足的爱因斯坦关系 得证 。
5-7、 。

22、答：间接复合效应是指非平衡载流子通过位于禁带中特别是位于禁带中央 的杂质或缺陷能级Et而逐渐消失的效应 ， Et的存在可能大大促进载流子的复合； 陷阱效应是指非平衡载流子落入位于禁带中的杂质或缺陷能级Et中 ， 使在Et上的电子或空穴的填充情况比热平衡时有较大的变化 ， 从引起nA p,这种效应对瞬态过程的影响很重要 。
此外 ， 最有效的复合中心在禁带中央 ， 而最有效的陷 阱能级在费米能级附近 。
一般来说 ， 所有的杂质或缺陷能级都有某种程度的陷阱 效应 ， 而且陷阱效应是否成立还与一定的外界条件有关 。
5-8、解：光照前1 1-_01. 167二J cm P6光照后 p=G t = (4X 1021) (8X 10-6)。

23、=3.2X 1017 cm-3则二=：丁0.- ；0二161911p q 讥=1.167 3.2 10 1.6 10 490=3.51cm_:光照前后样品的电导率分别为1.167 Qcmi1和3.51 Qem15-9、证明：对于非简并的非均匀半导体dnjf扩jn厂何nE 7%由于Ec( o) 7 V X ：卜Ef nNc ekoTdVq-dxkTdndx同时利用非简并半导体的爱因斯坦关系 ， 所以j 二 nqE qDn 半dxdEFndx=nq Jn( -dV)-dx（卩dV dEFn q - n dx dx kTu dEFnFndx得证5-10、解:dp-qDpdx-q二 kcT dpn_q dx-1.6 10_190.055.02656必10一19） 。
101.6 10-1916 1084 10*一 7.15 10-5A/m2答：空穴的扩散电流密度为7.15 X10-5 A/m2 。
5-11、证明：在小信号条件下 ， 本征半导体的非平衡载流子的寿命1 1T 海=r n 。
p2rnip 一 2 np0 =2口所以1T 2rni 本征半导体的非平衡载流子的寿命最长 。
得证 。
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稿源：(未知)

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标题：半导体|半导体中的电子状态精( 四 )