氮化铝未脱脂直接烧结会怎么样_生活广记

导热率降低。根据查询金瑞欣特种电路技术显示，未脱脂的氮化铝直接烧结，大量气孔的存在，会引起其导热率降低，从而影响其高热导率的性能。氮化铝的密度为3.05克每立方厘米，最高可稳定到2200摄氏度，氮化铝具有高强度，强度随温度的升高下降较慢。
都是导热系数较高，导热性能较好的材料一般加工成氮化硅陶瓷基板或者氮化铝陶瓷基板以及器件，多用于于散热。
一，导热性能不同，氮化铝陶瓷基板有更高的导热率
氮化硅陶瓷基板的导热率一般75-80W/(m·K），氮化铝陶瓷基板的导热率最高可以去掉170W/(m·K），可见氮化铝陶瓷基板有这更高的导热性能。
二，机械强度不同，氮化硅陶瓷具有比氮化铝陶瓷更高的强度
机械强度这方面，氮化铝陶瓷基板比起氮化硅陶瓷基板更加容易碎。氮化铝陶瓷基板的机械折弯强度达450mpa，氮化硅陶瓷基板的折弯强度是800mpa，可见高强度高导热氮化硅陶瓷基板有这较好的弯曲强度，可以提高氮化硅陶瓷覆铜板强度和抗冲击能力，焊接更厚的无氧铜而不会产生瓷裂现象，提高了基板的可靠性。
三，应用范围不同，氮化硅陶瓷基板是可靠性模组封装的基板材料。
【氮化铝未脱脂直接烧结会怎么样】
氮化铝陶瓷基板和氮化硅陶瓷基板在LED，半导体以及大功率光电领域方面广范应用，用于导热性能要求比较高的领域。氮化硅
陶瓷基板具有高强度、高导热、高可靠的特点，可用湿法刻蚀工艺在表面制作电路，经表面镀覆后制得的一种用于高可靠性电子基板模块封装的基板材料，是新型电动汽车用 1681 功率控制模块的首选基板材料。此外，陶瓷基板产业还涉及 LED、精细陶瓷制备、薄膜金属化、黄光微影、激光成型、电化学镀、光学模拟、微电子焊接等多领域技术，产品在功率型发射器、光伏器件，IGBT 模块，功率型晶闸管、谐振器基座、半导体封装载板等大功率光电及半导体器件领域有广泛用途。
综上可以看出，氮化硅陶瓷基板和氮化铝陶瓷基板虽然同属于高导热性能基板，然而因其机械强度和导热性能不同，应用领域也所侧重。更多陶瓷基板的问题可以咨询金瑞欣特种电路。