射极偏置电路的旁路电容有什么作用？_生活广记

可将混有高频电流和低频电流的交流电中的高频成分旁路滤掉的电容，称做“旁路电容” 。
对于同一个电路来说，旁路（bypass）电容是把输入信号中的高频噪声作为滤除对象，把前级携带的高频杂波滤除，而去耦（decoupling，也称退耦）电容是把输出信号的干扰作为滤除对象。
射极偏置电路的旁路电容主要功能是产生一个交流分路，从而消去进入易感区的那些不需要的能量，即当混有高频和低频的信号经过放大器被放大时，要求通过某一级时只允许低频信号输入到下一级，而不需要高频信号进入，则在该级的输入端加一个适当大小的接地电容，使较高频率的信号很容易通过此电容被旁路掉（这是因为电容对高频阻抗?。??而低频信号由于电容对它的阻抗较大而被输送到下一级放大。
什么是偏置电压、偏置电流晶体管构成的放大器要做到不失真地将信号电压放大，就必须保证晶体管的发射结正偏、集电结反偏。即应该设置它的工作点。所谓工作点就是通过外部电路的设置使晶体管的基极、发射极和集电极处于所要求的电位（可根据计算获得）。这些外部电路就称为偏置电路（可理解为，设置PN结正、反偏的电路），偏置电路向晶体管提供的电流就称为偏置电流。
以常用的共射放大电路说吧，主流是从发射极到集电极的IC，偏流就是从发射极到基极的IB 。相对与主电路而言，为基极提供电流的电路就是所谓的偏置电路。偏置电路往往有若干元件，其中有一重要电阻，往往要调整阻值，以使集电极电流在设计规范内。这要调整的电阻就是偏置电阻。
稳定静态工作点原理
设流过基极偏置电阻的电流IR>>IB，因此可以认为基极电位VB只取决于分压电阻、，VB与三极管参数无关，不受温度影响。
静态工作点的稳定是由VB和Re共同作用实现，稳定过程如下：
设温度升高→IC↑→IE↑→VBE↓→IB↓→IC↓
其中：IC↑→IE↑是由电流方程 IE ＝ IB＋IC得出，IE↑→VBE↓是由电压方程VBE＝ VB－IERe得出， IB↓→IC↓是由 IC ＝βIB得出。
【射极偏置电路的旁路电容有什么作用？】
由上述分析不难得出，Re越大稳定性越好。但事物总是具有两面性， Re太大其功率损耗也大，同时VE也会增加很多，使VCE减小导致三极管工作范围变窄。因此Re不宜取得太大。在小电流工作状态下，Re值为几百欧到几千欧；大电流工作时， Re为几欧到几十欧。
偏置电压是指晶体管放大电路中使晶体管处于放大状态时，基极-射极之间，集电极-基极之间应该设置的电压。偏置电流 bias current 就是第一级放大器输入晶体管的基极直流电流。
因为运算放大器要求尽可能宽的共模输入电压范围，而且都是直接耦合的，不可能在芯片上集成提供偏置电流的电流源。所以都设计成基极开路的，由外电路提供电流。
第一级偏置电流的数值都很?。?uA到 nA?数量级，所以一般运算电路的输入电阻和反馈电阻就可以提供这个电流了。而运放的偏置电流值也限制了输入电阻和反馈电阻数值不可以过大，使其在电阻上的压降与运算电压可比而影响了运算精度。
或者不能提供足够的偏置电流，使放大器不能稳定的工作在线性范围。如果设计要求一定要用大数值的反馈电阻和输入电阻，可以考虑用 J-FET 输入的运放。
因为 J-FET 是电压控制器件，其输入偏置电流参数是指输入 PN 结的反向漏电流，数值应在 PA 数量级。同样是电压控制的还有?MOSFET?器件，可以提供更小的输入漏电流。
扩展资料
以常用的共射放大电路为例，当是PNP型晶体三极管时，主电流是从发射极（e极）到集电极（c极）的Ic，偏置电流就是从发射极（e极）到基极（b极）的Ib 。相对与主电路而言，为基极提供电流的电路就是所谓的偏置电路。
这些外部电路，为发射极（e极）与基极（b极）之间（即发射结）提供正向偏置电压；为基极（b极）与集电极（c极）之间（即集电结）提供反向偏置电压，偏置电路可理解为，设置晶体管PN结正、反电压的电路，偏置电路为晶体管基极（b极）提供的电流Ib称为偏置电流。
偏置电路往往有若干元件，其中有一重要电阻，往往要调整阻值，以便集电极电流Ic在设计规范内，保证晶体管正常工作，这要调整的电阻就是偏置电阻Re阻值大小。
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百度百科-偏置电压