● 由于RCD钳位在PWM电压的上升沿和下降沿都不会动作，只在电压尖峰出现时动作，因此RCD钳位是高效率的吸收。
齐纳钳位
● 齐纳钳位的几种形式。
● 齐纳钳位也是在电压尖峰才起作用，也是高效率吸收。
● 某些场合，齐纳钳位需要考虑齐纳二极管的反向恢复特性对电路的影响。
● 齐纳吸收需注意吸收功率匹配,必要时可用有源功率器件组成大功率等效电路
无损吸收


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无损吸收的条件
● 吸收网络不得使用电阻。
● 不得形成LD电流回路。
● 吸收回路不得成为拓扑电流路径。
● 吸收能量必须转移到输入侧或者输出侧。
● 尽量减少吸收回路二极管反向恢复电流的影响。
无损吸收是强力吸收，不仅能够吸收电压尖峰，甚至能够吸收拓扑反射电压，比如：


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缓冲
缓冲是对冲击尖峰电流而言
● 引起电流尖峰第一种情况是二极管（包括体二极管）反向恢复电流。
● 引起电流尖峰第二种情况是对电容的充放电电流。这些电容可能是：电路分布电容、变压器绕组等效分布电容、设计不恰当的吸收电容、设计不恰当的谐振电容、器件的等效模型中的电容成分等等。
缓冲的基本方法：
在冲击电流尖峰的路径上串入某种类型的电感，可以是以下类型：


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缓冲的特性：
● 由于缓冲电感的串入会显著增加吸收的工作量，因此缓冲电路一般需要与吸收电路配合使用。
● 缓冲电路延缓了导通电流冲击，可实现某种程度的软开通（ZIS)。
● 变压器漏感也可以充当缓冲电感。
LD 缓冲


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特点：
● 可不需要吸收电路配合。
● 缓冲释能二极管与拓扑续流二极管电流应力相当甚至更大。
● 缓冲释能二极管的损耗可以简单理解为开关管减少的损耗。
● 适当的缓冲电感（L3）参数可以大幅度减少开关管损耗，实现高效率。
LR 缓冲


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特点：