三、二极管应用1单向导电特性应用二极管正向充分导通时只有很小的交流电阻 ， 近似于一个0.7V（Si管）或0.3V（Ge管）的恒压源 。
整流器：半波整流 ， 全波整流 ， 桥式整流限幅器：顶部限幅 ， 底部限幅 ， 双向限幅钳位电路*2反向击穿及应用二极管反偏电压增大到一定值时 ， 反向电流突然增大的现象即反向击穿 。
反向击穿的原因有价电子被 。

7、碰撞电离而发生的“雪崩击穿”和耗尽层中价电子强场激发而发生的“齐纳击穿” 。
反向击穿电压十分稳定 ， 可以用来作稳压管（图2.5.2） 。
稳压管电路设计时 ， 要正确选取限流电阻 ， 使稳压管在一定的负载条件下正常工作 。
3特殊二极管光电二极管、变容二极管、稳压二极管、激光二极管 。
第三章 双极型晶体三极管及其放大电路一、半导体BJT结构及偏置 双极型晶体管（BJT）分为NPN管和PNP管两类（图3.1.3和3.1.2） 。
电流控制器件 。
当BJT发射结正偏 ， 集电结反偏时 ， 称为放大偏置 。
在放大偏置时 ， NPN管满足；PNP管满足 。
放大偏置时 ， 作为PN结的发射结的VI特性是：（NPN） ， （PNP） 。
电流分配（图3.1.4 。

8、）：在BJT为放大偏置的外部条件下 ， 发射极电流将几乎转化为集电流 ， 而基极电流较小 。
电流放大系数：在放大偏置时 ， 令（是由转化而来的分量） ， 导出两个关于电极电流的关系方程：其中 ， 是集电结反向饱和电流 ， 是穿透电流 。
放大偏置时 ， 在一定电流范围内 ， 、基本是线性关系 ， 而三个电流与都是非线性指数关系 。
放大偏置时：三电极电流主要受控于 ， 而反偏 ， 对电流有较小的影响 。
影响的规律是；集电极反偏增大时 ， 增大而减小 。
发射结与集电结均反偏时BJT为截止状态 ， 发射结与集电结都正偏时 ， BJT为饱和状态 。
二、BJT静态伏安特性曲线三端电子器件的伏安特性曲线一般是画出器件在某一种双口组态时输入口和输出口的伏安特性曲线族 。
BJT常 。

9、用共射伏安特性曲线：输入特性曲线：（图3.1.7）输出特性曲线：（图3.1.7）输入特性曲线一般只画放大区 ， 典型形状与二极管正向伏安特性相似 。
输出特性曲线族把伏安平面分为4个区（放大区、饱和区、截止区和击穿区）放大区近似的等间隔平行线 ， 反映近似为常数（图3.3.5） 。
当温度增加时 ， 会导致增加 ， 增加和输入特性曲线左移 。
三、BJT主要参数电流放大系数：直流 ， 直流；交流和 ， 、也满足 。
极间反向电流：集电结反向饱和和电流；穿透电流极限参数：集电极最大允许功耗；基极开路时的集电结反向击穿电压；集电极最大允许电流 。
特征频率BJT小信号工作 ， 当频率增大时使信号电流与不同相 ， 也不成比例 。
若用相量表示为 ， 则称为高 。

10、频 。
是当高频的模等于1时的频率 。
四、BJT小信号模型放大作用：无论是共射组态或共基组态 ， 其放大电压信号的物理过程都是输入信号使正偏发射结电压变化 ， 经放大偏置BJT内部的的正向控制过程产生较大的集电极电流变化（出现信号电流） ， 在集电极电阻上的交流电压就是放大的电压信号（图3.2.1） 。
小信号：当发射结上交流电压mV时 ， BJT的电压放大才是工程意义上的线性放大 。
BJT混合小信号模型是在共射组态下推导出的一种物理模型（图3.7.5） ， 模型中有七个参数：基区体电阻 由厂家提供、高频管的比低频管小基区复合电阻 估算式： ， 发射结交流电阻跨导 估算（ms） ， 基调效应参数 估算 ， 厄利电压估算以上参数满足：高频 。

11、参数：集电结电容 由厂家给出；发射结电容 估算*最常用的BJT模型是低频简化模型（1）电压控制电流源（）模型（图3.7.5c）（2）电流控制电流源（）模型（图3.7.5d ， 常用） ， 其中五、放大电路基本概念向放大器输入信号的信号源模型一般可以用由源电压串联源内阻来表示 ， 接受被放大的信号的电路模型一般可以用负载电阻来表示（图3.4.4a） 。
未输入信号（静态）时 ， 放大管的直流电流、电压在特性曲线上对应的点称为放大器的工作点 。
工作点由直流通路求解 。
放大器工作时 ， 信号（电流、电压）均迭加在静态工作点上 ， 只反映信号电流、电压间关系的电路称为交流通路 。
放大器中的电压参考点称为“地” ， 放大器工作时 ， 某点对“地 。

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标题：模拟|模拟电路总复习知识点1( 二 )