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模拟|模拟电路总复习知识点1( 四 )



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2. 波特图放大器对数频率特性曲线波特图的频率轴按定刻度位置 , 但仍标示频率的值 。
对数频率轴的特点是每10倍频程相差一个单位长度 , 且点在频率轴处 。
幅频波特图 。

18、的纵坐标按的分贝刻度 , 即所谓分贝线性刻度 。
相频波特图的纵坐标仍按的角度刻度 。
波特图的优点是易于用渐近线方法近似作频率特性曲线 。
渐近线波特图绘法*:首先要判断是低频段还是高频段的频率特性函数(全频段另行讨论) 。
的通式为:若 , 则为;若 , 则为 。
1低频波特图画法将每个极零点因子化成以下形式( , )(1)画幅频波特图;在幅频特性平面上画出每个因子(包括中频增益)的幅频渐近线波特图 , 然后相加 。
每个因子对幅频波特图的贡献如下:的贡献为 , 即一条与无关的水平线;极点因子在极点频率左侧贡献负分贝 , 斜率为20dB/dec 。
零点因子在零点频率右侧贡献正分贝 , 斜率为dB/dec 。
(2)画相频波特图:在相频特性平面上画出每 。

19、个因子(包括)的相频渐近线波特图 , 然后相加 。
每个因子的贡献如下: , 则对相频波特图贡献为0o 。
, 则对相频波特图贡献为 。
极点因子 , 在频点的左而贡献正角度 。
在区间斜率为45o/dec 。
频点为45o , 小于处保持90o 。
零点因子在左侧贡献角度 , 在区间斜率为/dec;在频点处为45o(或) , 在0.1处为90o(或) , 小于0.1时保持90o(或) , 角度的符号与零点因子幅角的符号一致 。
2高频波特图的画法将中每个极零点因子化成以下形式( , )(1)画幅频波特图画出每个因子(包括)对幅频波特图的贡献 , 然后相加 , 其规律如下:贡献的分贝为 , 即一条与无关的水平线极点因子在右侧贡献负分贝 , 斜率是dB/dec 。
零点因子在右侧 。

20、贡献正分贝 , 斜率是20dB/dec 。
(2)画出相频波特图画出每个因子对相频波特图的贡献 , 然后相加 。
其规律如下:的贡献是0o()或180o() 。
极点因子在右侧贡献负角度 , 斜率/dec;在时 , 贡献达到 。
零点因子在0.1右侧贡献角度 , 斜率为45o/dec(或/dec) 。
在时 , 贡献达到并保持90o(或) 。
角度符号与零点因子幅角的符号相同 。
3全频段波特图的绘制首先要画出放大电路的交流通路 , 大电容视为短路 , 将BJT的高频小信号模型带入其中 , 得到高频等效电路 , 求出高频;保留大电容 , 将BJT的低频小信号模型带入 , 求出低频 。
识别中的高、低频极点和零点 , 然后将极、零点因子分别写成绘波图所需形式 , 再按前面两节的方法 。

21、绘出波特图 。
从中频除法遇到的高、低频段第一个柺点所对应的频率即为上限频率和下限频率 。
第四章 场效应管(FET)及基本放大电路场效应管(FET)是电压控制半导体器件 , 体积小、重量轻、耗电省、寿命长;输入阻抗高 , 在大规模和超大规模集成电路中得到了广泛的应用 。
一、场效应管(FET)原理FET分别为JFET和MOSFET两大类 。
每类都有两种沟道类型:N沟道和P沟道 。
而MOSFET又分为增强型和耗尽型(JFET属耗尽型) , 故共有6种类型FET(表4.3.1) 。
JFET和MOSFET内部结构有较大差别 , 但内部的沟道电流都是多子漂移电流 。
一般情况下 , 该电流与、都有关 。
沟道未夹断时 , FET的D-S口等效为一个 。

22、压控电阻(控制电阻的大小) , 沟道全夹断时 , 沟道电流为零;沟道在靠近漏端局部断时称部分夹断 , 此时主要受控于 , 而影响较小 。
这就是FET放大偏置状态;部分夹断与未夹断的临界点为预夹断 。
在预夹断点 , 与满足预夹断方程:耗尽型FET的预夹断方程:(夹断电压)增强型FET的预夹断方程:(开启电压)各种类型的FET , 偏置在放大区(沟道部分夹断)的条件由下表总结 。
FET放大偏置时与应满足的关系极 性放大区条件VDSN沟道管:正极性(VDS0)VDSVGSVP(或VT)0P沟道管:负极性(VDSVP(或VT)P沟道管:VGSrds, 最大AI决定于RG, AI1决定于RG, AI1AI1)输入电阻RifR1输出电 。

23、阻Rof00共模输入电压vic0vs反馈类型和极性电压取样电流求和负反馈电压取样电压求和负反馈当上述电路中电阻为阻抗时 , 有关公式仍然成立 , 如:(反相组态)(同相组态) 。
四、集成OA线性应用(举例)1代数和运算电路上式成立的条件是:由上述电路可获得OA组成的基本差动放大器(图8.1.3) , 公式如下:2基本反相积分器(图8.1.5)公式:3基本反相微分器(图8.1.8)公式:4. 理想运放分析法应用时的一些要点:(1)利用虚短和虚断的概念 。


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