1、第一章 绪论1 模拟信号和数字信号模拟信号：时间连续、幅度连续的信号（图1.1.8） 。
数字信号：时间、幅度离散的信号（图1.1.10）2放大电路的基本知识输入电阻：是从放大器输入口视入的等效交流电阻 。
是信号源的负载 ， 从信号源吸收信号功率 。
输出电阻：放大器在输出口对负载而言 ， 等效为一个新的信号源（这说明放大器向负载输出功率） ， 该信号源的内阻即为输出电阻 。
放大器各种增益定义如下：端电压增益：源电压增益：电流增益：互导增益：互阻增益：负载开路电压增益（内电压增益）： ， 功率增益：、的分贝数为；的分贝数为 。
不同放大器增益不同 ， 但任何正常工作的放大器 ， 必须 。
任何单向化放大器都可以用模型来等效 ， 可用模型有四 。

2、种（图1.2.2） 。
频率响应及带宽：或 幅频相应（图1.2.7）：电压增益的模与角频率的关系 。
相频相应：输出与输入电压相位差与角频率的关系 。
BW 带宽：幅频相应的两个半功率点间的频率差 。
线性失真：电容和电感引起 ， 包括频率失真和相位失真（图1.2.9）非线性失真：器件的非线性造成 。
第二章 晶体二极管及应用电路一、半导体知识1本征半导体单质半导体材料是具有4价共价键晶体结构的硅（Si）和锗（Ge）（图2.1.2） ， 一些金属化合物也具有半导体的性质如砷化镓GaAs 。
前者是制造半导体IC的材料 ， 后者是微波毫米波半导体器件和IC的重要材料 。
本征半导体：纯净且具有完整晶体结构的半导体称为本征半导体 。
本征 。

3、激发（又称热激发或产生）：在一定的温度下 ， 本征激发产生两种带电性质相反的载流子自由电子和空穴对 。
温度越高 ， 本征激发越强 。
空穴：半导体中的一种等效载流子 。
空穴导电的本质是价电子依次填补本征晶格中的空位 ， 使局部显示电荷的空位宏观定向运动（图2.1.4） 。
复合：在一定的温度下 ， 自由电子与空穴在热运动中相遇 ， 使一对自由电子和空穴消失的现象 。
复合是产生的相反过程 ， 当产生等于复合时 ， 称载流子处于平衡状态 。
2杂质半导体在本征硅（或锗）中渗入微量5价（或3价）元素后形成N型（或P型）杂质半导体（P型：图2.1.5 ， N型：图2.1.6） 。
电离：在很低的温度下 ， N型（P型）半导体中的杂质会全部 ， 产生自由电子和杂质 。

4、正离子对（空穴和杂质负离子对） 。
载流子：由于杂质电离 ， 使N型半导体中的多子是自由电子 ， 少子是空穴 ， 而P型半导体中的多子是空穴 ， 少子是自由电子 。
在常温下 ， 多子少子（图1-7） 。
多子浓度几乎等于杂质浓度 ， 与温度无关；少子浓度是温度的敏感函数 。
在相同掺杂和常温下 ， Si的少子浓度远小于Ge的少子浓度 。
二、PN结在具有完整晶格的P型和N型材料的物理界面附近 ， 会形成一个特殊的薄层PN结（图2.2.2） 。
PN结（又称空间电荷区）：存在由N区指向P区的内电场和内电压；PN结内载流子数远少于结外的中性区（称耗尽层）；PN结内的电场是阻止结外两区的多子越结扩散的（称势垒层或阻挡层） 。
单向导电特性：正偏PN结（P区 。

【模拟|模拟电路总复习知识点1】5、电位高于N）时 ， 有随正偏电压指数增大的电流；反偏PN结（P区电位低于N区） ， 在使PN结击穿前 ， 只有很小的反向 。
即PN结有单向导电特性（正偏导通 ， 反偏截止） 。
反向击穿特性：当反偏电压达到一定值时 ， 反向电流急剧增大 ， 而PN结两端的电压变化不大（图2.2.6） 。
PN结的伏安方程为： ， 其中 ， 在T = 300K时 ， 热温度当量 。
三、半导体二极管普通二极管内就是一个PN结 ， P区引出正电极 ， N区引出负电极（图2.3.1） 。
在低频运用时 ， 二极的具有单向导电特性 ， 正偏时导通 ， Si管和Ge管导通电压典型值分别是0.7V和0.3V；反偏时截止 ， 但Ge管的反向饱和电流比Si管大得多（图2.3.2、图2.3.3） 。
低频运 。

6、用时 ， 二极管是一个非线性电阻 ， 其交流电阻不等于其直流电阻 。
二极管交流电阻： 。
二极管交流电阻估算：二极管直流电阻：二极管的低频小信号模型：就是交流电阻 ， 它反映了在工作点Q处 ， 二极管的微变电流与微变电压之间的关系 。
二极管的低频大信号模型：是一种开关模型 ， 有理想开关、恒压源模型和折线模型 。

稿源：(未知)

【傻大方】网址：/a/2021/0801/0023374760.html

标题：模拟|模拟电路总复习知识点1